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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106299112B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201610692256.2
申请日：2016-08-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种多态相变存储器单元器件及其制备方法，包括：上电极；下电极；相变材料层结构，位于所述上电极与所述下电极之间；所述相变材料层结构包括至少两层具有不同电阻值的相变材料层，各层所述相变材料层之间电学隔离；所述相变材料层的一端与所述上电极相连接，另一端与所述下电极相连接。本发明的多态相变存储器单元器件及其制备方法通过在相变材料层结构中设置至少两层具有不同电阻值的相变材料层，可以形成多个具有一定区分度的稳定电阻，通过不同大小的脉冲操作，可以实现多态存储；多态相变存储器单元器件结构中不同相变材料层之间的电阻差异，不受热影响，更加稳定；且通过调节不同相变材料层的电阻值，可以具有更大的电阻区分。
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公开(公告)号：CN106299112A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610692256.2
申请日：2016-08-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种多态相变存储器单元器件及其制备方法，包括：上电极；下电极；相变材料层结构，位于所述上电极与所述下电极之间；所述相变材料层结构包括至少两层具有不同电阻值的相变材料层，各层所述相变材料层之间电学隔离；所述相变材料层的一端与所述上电极相连接，另一端与所述下电极相连接。本发明的多态相变存储器单元器件及其制备方法通过在相变材料层结构中设置至少两层具有不同电阻值的相变材料层，可以形成多个具有一定区分度的稳定电阻，通过不同大小的脉冲操作，可以实现多态存储；多态相变存储器单元器件结构中不同相变材料层之间的电阻差异，不受热影响，更加稳定；且通过调节不同相变材料层的电阻值，可以具有更大的电阻区分。
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公开(公告)号：CN106910743B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201710218226.2
申请日：2017-04-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11578
Abstract: 本发明提供一种三维非易失性存储器件及其制备方法，三维非易失性存储器件的制备方法包括如下步骤：1)提供一基板，于基板表面形成第一绝缘层和第一导电层交替叠置的第一叠层结构；2)于所述第一叠层结构的至少一侧形成与所述第一叠层结构平行间隔的第二叠层结构，所述第二叠层结构包括交替叠置的第二绝缘层和第二导电层，相邻的所述第一导电层与所述第二导电层位于不同的平面上；3)于所述第一叠层结构及所述第二叠层结构之间形成至少一个环形非易失材料层，所述环形非易失材料层与所述第一导电层及所述第二导电层相接触；4)于所述环形非易失材料层内侧形成一导电柱。本发明的三维非易失性存储器件具有存储密度高、存储单元串扰小等优点。
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公开(公告)号：CN105633279A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610066316.X
申请日：2016-01-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1683 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1286
Abstract: 本发明提供一种包含部分限定型相变材料结构的相变存储单元及制作方法，包括：1）提供衬底，在衬底内形成至少一个下电极；2）在下电极的上表面形成加热电极，在加热电极之间的衬底表面形成第一绝缘材料层；3）采用回刻工艺刻蚀去除部分加热电极及第一绝缘材料层，在加热电极上方的第一绝缘材料层内形成限定型孔结构；4）在限定型孔结构内形成部分限定型相变材料结构，并在部分限定型相变材料结构表面形成上电极；5）在上电极表面形成引出电极。本发明与传统蘑菇型器件结构相比，相变体积减小，可以大大降低器件功耗并提高相变速度，与完全限定型相变材料器件结构相比，不需要引入相变材料的化学机械抛光工艺，避免了对相变材料上表面的损伤。
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公开(公告)号：CN106910743A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710218226.2
申请日：2017-04-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/115 , H01L27/11578
CPC classification number: H01L27/115 , H01L27/11578
Abstract: 本发明提供一种三维非易失性存储器件及其制备方法，三维非易失性存储器件的制备方法包括如下步骤：1)提供一基板，于基板表面形成第一绝缘层和第一导电层交替叠置的第一叠层结构；2)于所述第一叠层结构的至少一侧形成与所述第一叠层结构平行间隔的第二叠层结构，所述第二叠层结构包括交替叠置的第二绝缘层和第二导电层，相邻的所述第一导电层与所述第二导电层位于不同的平面上；3)于所述第一叠层结构及所述第二叠层结构之间形成至少一个环形非易失材料层，所述环形非易失材料层与所述第一导电层及所述第二导电层相接触；4)于所述环形非易失材料层内侧形成一导电柱。本发明的三维非易失性存储器件具有存储密度高、存储单元串扰小等优点。
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