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公开(公告)号：CN105280815A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510626675.1
申请日：2015-09-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器检测结构及其制备方法，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有有源区；相变存储器单元，位于所述半导体衬底上，且与所述有源区相连接；相变电阻伪单元，位于所述相变存储器单元的一侧，且与所述有源区相隔离。本发明利用该相变存储器检测结构，在正常的相变存储单元旁边设置相变电阻伪单元，使得相变电阻材料处于浮空状态以免受电场的影响，以此对比来检测相变电阻材料是否受到工艺中电场条件的影响，能够检测相变电阻材料在不同连接情况下受到工艺中偏压条件影响的差异，进而优化工艺参数，提高相变单元的可靠性。
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公开(公告)号：CN104124337A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410335807.0
申请日：2014-07-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及相变存储器单元的制作方法。本发明针对包含加热电极过渡层材料TiON的相变存储器器件单元结构，提出一种TiON过渡层的制备方法，即采用氧等离子体处理TiN的方法，该方法在不增加相变存储器制作工艺复杂度的前提下，实现了TiON材料的均匀可控制备，方法简单易行，且与半导体工艺完全兼容，可有效提高加热电极的加热效率，降低相变存储器操作电流和功耗。
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公开(公告)号：CN106299112B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201610692256.2
申请日：2016-08-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种多态相变存储器单元器件及其制备方法，包括：上电极；下电极；相变材料层结构，位于所述上电极与所述下电极之间；所述相变材料层结构包括至少两层具有不同电阻值的相变材料层，各层所述相变材料层之间电学隔离；所述相变材料层的一端与所述上电极相连接，另一端与所述下电极相连接。本发明的多态相变存储器单元器件及其制备方法通过在相变材料层结构中设置至少两层具有不同电阻值的相变材料层，可以形成多个具有一定区分度的稳定电阻，通过不同大小的脉冲操作，可以实现多态存储；多态相变存储器单元器件结构中不同相变材料层之间的电阻差异，不受热影响，更加稳定；且通过调节不同相变材料层的电阻值，可以具有更大的电阻区分。
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公开(公告)号：CN105280815B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201510626675.1
申请日：2015-09-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器检测结构及其制备方法，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有有源区；相变存储器单元，位于所述半导体衬底上，且与所述有源区相连接；相变电阻伪单元，位于所述相变存储器单元的一侧，且与所述有源区相隔离。本发明利用该相变存储器检测结构，在正常的相变存储单元旁边设置相变电阻伪单元，使得相变电阻材料处于浮空状态以免受电场的影响，以此对比来检测相变电阻材料是否受到工艺中电场条件的影响，能够检测相变电阻材料在不同连接情况下受到工艺中偏压条件影响的差异，进而优化工艺参数，提高相变单元的可靠性。
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公开(公告)号：CN106299112A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610692256.2
申请日：2016-08-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种多态相变存储器单元器件及其制备方法，包括：上电极；下电极；相变材料层结构，位于所述上电极与所述下电极之间；所述相变材料层结构包括至少两层具有不同电阻值的相变材料层，各层所述相变材料层之间电学隔离；所述相变材料层的一端与所述上电极相连接，另一端与所述下电极相连接。本发明的多态相变存储器单元器件及其制备方法通过在相变材料层结构中设置至少两层具有不同电阻值的相变材料层，可以形成多个具有一定区分度的稳定电阻，通过不同大小的脉冲操作，可以实现多态存储；多态相变存储器单元器件结构中不同相变材料层之间的电阻差异，不受热影响，更加稳定；且通过调节不同相变材料层的电阻值，可以具有更大的电阻区分。
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