公开(公告)号：CN106711325A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201510792042.8

申请日：2015-11-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李乐 ,  宋三年 ,  宋志棠

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种相变薄膜材料、相变存储器单元及其制备方法，所述相变薄膜材料的通式为NixTiySbzTe100-x-y-z，其中0＜x≤40，15≤y≤85，15≤z≤85，30≤x+y+z

公开(公告)号：CN106711325B

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201510792042.8

申请日：2015-11-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李乐 ,  宋三年 ,  宋志棠

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种相变薄膜材料、相变存储器单元及其制备方法，所述相变薄膜材料的通式为NixTiySbzTe100‑x‑y‑z，其中0＜x≤40，15≤y≤85，15≤z≤85，30≤x+y+z