公开(公告)号：CN109728162A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811626077.4

申请日：2018-12-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  郑龙 ,  宋三年

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种相变薄膜、相变存储单元及其制备方法及相变存储器，相变薄膜包括：至少一层Ge-Sb-Te层；至少一层C层；至少一层界面层，界面层位于相邻的Ge-Sb-Te层与C层之间并与二者相接触，界面层的成分包括C掺杂的Ge-Sb-Te。本发明的界面层，通过诱导部分C原子扩散进入Ge-Sb-Te层纳米层并取代Ge-Sb-Te层中的部分的Ge、Sb、Te元素，从而在界面形成有序、稳定的C掺杂Ge-Sb-Te结构。此外，体系仍然具有超晶格体系特点，从而可以基于其有效的调控得到的相变薄膜材料的相变性能，相变薄膜体系可调控出两态或三态等的存储特性，本发明所提供的超晶格结构相变薄膜可应用于相变存储器中，具有结晶温度可调、晶态电阻以及多态存储等特点。

公开(公告)号：CN109728162B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201811626077.4

申请日：2018-12-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  郑龙 ,  宋三年

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种相变薄膜、相变存储单元及其制备方法及相变存储器，相变薄膜包括：至少一层Ge‑Sb‑Te层；至少一层C层；至少一层界面层，界面层位于相邻的Ge‑Sb‑Te层与C层之间并与二者相接触，界面层的成分包括C掺杂的Ge‑Sb‑Te。本发明的界面层，通过诱导部分C原子扩散进入Ge‑Sb‑Te层纳米层并取代Ge‑Sb‑Te层中的部分的Ge、Sb、Te元素，从而在界面形成有序、稳定的C掺杂Ge‑Sb‑Te结构。此外，体系仍然具有超晶格体系特点，从而可以基于其有效的调控得到的相变薄膜材料的相变性能，相变薄膜体系可调控出两态或三态等的存储特性，本发明所提供的超晶格结构相变薄膜可应用于相变存储器中，具有结晶温度可调、晶态电阻以及多态存储等特点。

公开(公告)号：CN116940221A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210318382.7

申请日：2022-03-29

Applicant: 华为技术有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郑龙 ,  宋志棠 ,  宋三年 ,  宋文雄 ,  唐文涛 ,  赵俊峰 ,  罗时江

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/10

Abstract: 本申请提供了一种相变存储材料、相变存储单元和相变存储器。该相变存储材料包括Nbδ(GexSbyTez)1‑δ，其中，Nb的原子含量δ为0＜δ＜1，Nbδ(GexSbyTez)1‑δ中，0＜x≤10，0＜y≤10，0＜z≤10。该相变存储材料可实现相变存储器的多态存储，满足高精度神经形态计算的要求。

公开(公告)号：CN109935688B

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201910233385.9

申请日：2019-03-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  郑龙 ,  宋三年 ,  任堃 ,  朱敏 ,  宋文雄

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器，相变薄膜结构包括：Cr层；GexTe100‑x层，其中，0＜x＜100；所述Cr层与所述GexTe100‑x层依次交替叠置。本发明的相变薄膜结构在升温过程中能够连续发生两次相变，在升温初期所述GexTe100‑x层由非晶态到多晶态相变，并伴随产生可逆的高阻态与低阻态的转变；继续升温，所述Cr层与所述GexTe100‑x层的界面处生成Cr2Ge2Te6层，即在高温诱导下部分Cr通过界面扩散作用进入所述GexTe100‑x层取代所述GexTe100‑x层中的部分Ge元素，并伴随可逆的低阻态到高阻态的转变；温度继续升高则能够回到高阻态的GexTe100‑x非晶态。

公开(公告)号：CN109935688A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201910233385.9

申请日：2019-03-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  郑龙 ,  宋三年 ,  任堃 ,  朱敏 ,  宋文雄

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器，相变薄膜结构包括：Cr层；GexTe100-x层，其中，0＜x＜100；所述Cr层与所述GexTe100-x层依次交替叠置。本发明的相变薄膜结构在升温过程中能够连续发生两次相变，在升温初期所述GexTe100-x层由非晶态到多晶态相变，并伴随产生可逆的高阻态与低阻态的转变；继续升温，所述Cr层与所述GexTe100-x层的界面处生成Cr2Ge2Te6层，即在高温诱导下部分Cr通过界面扩散作用进入所述GexTe100-x层取代所述GexTe100-x层中的部分Ge元素，并伴随可逆的低阻态到高阻态的转变；温度继续升高则能够回到高阻态的GexTe100-x非晶态。