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公开(公告)号：CN110828664B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201911132175.7
申请日：2019-11-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本申请提供一种相变材料、相变材料的制备方法和相变存储器，该相变材料是由碳、铋、锑和碲四种元素组成，相变材料的通式为CxBi0.5Sb1.5Te3，其中0.01
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公开(公告)号：CN103489478B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201210193028.2
申请日：2012-06-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器，特别指利用具有阈值电压开关特性（OTS）的薄膜作为选通开关的相变存储器件，该具有OTS特性的薄膜作为相变存储器中的选通开关能阻挡对未选中相变存储单元无意操作，起到与其他选通开关相同的作用，例如场效应晶体管和二极管等。利用OTS特性的薄膜作为存储器中的选通开关能有效减少选通开关的制备的工艺步骤，减小选通开关的尺寸。所以利用具有OTS特性的薄膜作为选通开关的相变存储器件在降低成本和提高存储密度方面具有更大的优势。
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公开(公告)号：CN103050620A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201110306748.0
申请日：2011-10-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的相变材料，该相变材料是由Al，Te两种元素组成的相变材料，通式为Al2Tex，其中，1≤x≤30，且所述相变材料在电信号操作下可以实现高低阻值的反复转换，并在没有操作信号的情况下维持阻值不变。本发明的Al-Te系列相变材料作为相变存储器中的存储介质，可以在电信号作用下实现高低阻值之间的转换，在电信号的操作下，低阻阻值大于基于Ge-Sb-Te传统相变材料的器件低阻值，满足了低功耗的需求。短脉宽的电脉冲（5ns）仍然能对Al-Te基相变存储器进行正常操作，满足了高速数据存储的需求。并且基于Al-Te系列相变材料的相变存储器在循环擦写107次之后仍维持了正常的高低阻差别，体现出器件的循环使用寿命长。
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公开(公告)号：CN102810637A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210339752.1
申请日：2012-09-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L45/06 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/1616 , H01L45/1641 , H01L45/1666
Abstract: 本发明提供一种用于替代DRAM及FLASH的相变存储单元及其制作方法，其包括相变材料层和与其接触并位于其下方的圆柱体下电极，其特征在于，所述相变材料层由侧壁层与圆形底层连接而成，并形成上部开口的空心圆柱体或空心倒圆台，所述空心圆柱体或空心倒圆台内部填充介质层。本发明采用制备内部填充介质材料的侧壁层垂直的相变材料层和侧壁层倾斜的相变材料层以及采用小电极的手段，减少相变材料层的厚度，从而减小操作时的相变区域、提高相变材料层的热稳定性及相变速度，最终达到减小操作功耗、提高器件数据保持力、提高器件操作速度和提高器件循环操作次数的目的。
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公开(公告)号：CN102637823A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210152787.4
申请日：2012-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种低功耗相变存储器用限制型电极结构及制备方法，所述限制型电极结构包括：基底，具有金属层及覆盖于金属层上的绝缘层，绝缘层中具有一深度直达金属层的凹槽；钨材料，填充于凹槽内，其厚度小于凹槽的深度至一预设范围值，以使凹槽形成一底部为钨材料、侧壁为绝缘层的浅槽结构；c-WOx材料，沉积于浅槽结构中并与钨材料上表面相结合，形成底部为c-WOx材料、侧壁为绝缘层的电极槽结构；相变材料，填充于电极槽结构中并与绝缘层的上表面共平面。本发明低功耗相变存储器用限制型电极结构解决了现有技术中相变存储器的相变材料中能量利用率低以及现有提高器件热效率的手段与传统的CMOS工艺不兼容等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110120453A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201810112299.8
申请日：2018-02-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种C-Ti-Sb-Te相变材料，所述C-Ti-Sb-Te相变材料为包括碳、钛、锑及碲四种元素的化合物，所述C-Ti-Sb-Te相变材料的化学式为Cz[Tix(SbyTe100-y)100-x]100-z；其中，0
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公开(公告)号：CN105322090B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201410265001.9
申请日：2014-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种存储器，至少包括：衬底和依次形成于衬底上的底电极和介质层、介质层上的复合存储结构及复合存储结构上的顶电极。本发明还提供该存储器的制作方法：在清洗后的衬底上依次形成底电极和介质层；在介质层上制作贯孔；在介质层上形成由硫系化合物和氧化物构成的复合存储结构及复合存储结构上的顶电极。本发明的存储器兼具相变和电致阻变的特性，弥补了高密度存储氧化物材料纳米尺度下缺陷不均匀的问题，氧化物材料中形成的氧空位通路能促进硫系化合物材料的阈值转变，使高低阻值增大，有利于提升其存储单元的成品率与可靠性，具有稳定可重复性好以及结构变化小的特点，并且容量大、密度高、功耗低，适用于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN108461628A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810174959.5
申请日：2018-03-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1253 , H01L45/141
Abstract: 本发明提供一种自加热相变存储单元及自加热相变存储结构。自加热相变存储单元包括自加热电极以及和所述自加热电极相连接的相变存储介质，所述自加热电极包括至少一层自加热材料层，所述相变存储介质包括至少一层相变存储材料层，其中，所述自加热材料层和所述相变存储材料层的材料不同，且所述自加热材料层和所述相变存储材料层均包含至少一种硫族元素。本发明的自加热相变存储单元在具有快速数据写入能力的同时还具有低功耗的特性，且能有效避免相邻自加热相变存储单元之间的热干扰；本发明的自加热相变存储结构具有非常快的数据写入速度，且数据保持能力强，同时还具有功耗低，使用寿命长等优点。
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公开(公告)号：CN102923676B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210414938.9
申请日：2012-10-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及电路中的浪涌保护器件领域，特别是涉及一种适用于浪涌保护器件的硫系化合物薄膜材料。本发明提供一种适用于浪涌保护器件的硫系化合物薄膜材料，所述硫系化合物薄膜材料为Ge、Al、As、Sb、Te、S或Se中任意两种以上的元素按任意比例所组成的化合物。本发明针对硫系化合物所独有的阈值导通特性来实现对电路的过压保护，其工作原理与半导体浪涌保护器件完全不同，是一种新型的浪涌保护器件。
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公开(公告)号：CN102637823B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210152787.4
申请日：2012-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种低功耗相变存储器用限制型电极结构及制备方法，所述限制型电极结构包括：基底，具有金属层及覆盖于金属层上的绝缘层，绝缘层中具有一深度直达金属层的凹槽；钨材料，填充于凹槽内，其厚度小于凹槽的深度至一预设范围值，以使凹槽形成一底部为钨材料、侧壁为绝缘层的浅槽结构；c-WOx材料，沉积于浅槽结构中并与钨材料上表面相结合，形成底部为c-WOx材料、侧壁为绝缘层的电极槽结构；相变材料，填充于电极槽结构中并与绝缘层的上表面共平面。本发明低功耗相变存储器用限制型电极结构解决了现有技术中相变存储器的相变材料中能量利用率低以及现有提高器件热效率的手段与传统的CMOS工艺不兼容等问题。
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