公开(公告)号：CN102810637A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210339752.1

申请日：2012-09-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 饶峰 ,  任堃 ,  宋志棠 ,  任万春

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1666

Abstract: 本发明提供一种用于替代DRAM及FLASH的相变存储单元及其制作方法，其包括相变材料层和与其接触并位于其下方的圆柱体下电极，其特征在于，所述相变材料层由侧壁层与圆形底层连接而成，并形成上部开口的空心圆柱体或空心倒圆台，所述空心圆柱体或空心倒圆台内部填充介质层。本发明采用制备内部填充介质材料的侧壁层垂直的相变材料层和侧壁层倾斜的相变材料层以及采用小电极的手段，减少相变材料层的厚度，从而减小操作时的相变区域、提高相变材料层的热稳定性及相变速度，最终达到减小操作功耗、提高器件数据保持力、提高器件操作速度和提高器件循环操作次数的目的。