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公开(公告)号：CN114203901B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202111512058.0
申请日：2021-12-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H10N70/00 , G11C11/4063 , G11C11/4074
Abstract: 本发明提供一种开关器件及存储器，该开关器件包括下电极、上电极及夹设于下电极与上电极之间的开关材料层，其中：开关材料层包括Te、Se和S中的至少一种元素；开关器件处于开启状态时，开关材料层呈液态，且禁带宽度为0；开关器件处于关闭状态时，开关材料层呈结晶态，且开关材料层与上电极之间形成肖特基势垒，开关材料层与下电极之间形成肖特基势垒。本发明的开关器件采用开关材料晶态‑液态‑晶态相变开关机理，具有开通电流大、漏电流小、阈值电压小、单元一致性高、与CMOS工艺兼容、热稳定好、元素简单、低毒性及可极度萎缩等优点，能够驱动相变存储单元、阻变存储单元、铁电存储单元、磁存储单元等存储单元，实现高密度三维信息存储。
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公开(公告)号：CN111384238B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201811623426.7
申请日：2018-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种选通管材料、选通管单元及存储器件结构，选通管材料为至少包括Ge及S的化合物，所述选通管材料的化学通式为(GexS1‑x)1‑yMy，其中，M包括掺杂材料，且0.1≤x≤0.9、0≤y≤0.5。本发明的选通管材料选用GexS1‑x材料，该材料用于选通管单元时具有开通电流大、漏电流小、热稳定性好、材料简单及无毒性等优点；本发明的选通管材料通过在GexS1‑x材料中掺入掺杂材料，可以调节和优化该选通材料制作的选通管单元的阈值电压、开通电流及疲劳特性等性能；可以提高该选通材料制作的选通管单元的热稳定性、降低该选通材料制作的选通管单元的漏电流、增强该选通管材料制作的选通管单元的可重复性。
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公开(公告)号：CN111129070A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911181892.9
申请日：2019-11-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24
Abstract: 本发明涉及微纳米电子技术领域，本申请公开了一种选通管材料，该选通管材料为包括锗(Ge)、硒(Se)和硫(S)三种元素的化合物；该选通管材料的化学通式为GeSexS1-x，其中，X为元素的原子占比，且0.01≤X≤0.99。本发明提供的选通管材料具有开通电流大和漏电流小的特点。
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公开(公告)号：CN111384238A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811623426.7
申请日：2018-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种选通管材料、选通管单元及存储器件结构，选通管材料为至少包括Ge及S的化合物，所述选通管材料的化学通式为(GexS1-x)1-yMy，其中，M包括掺杂材料，且0.1≤x≤0.9、0≤y≤0.5。本发明的选通管材料选用GexS1-x材料，该材料用于选通管单元时具有开通电流大、漏电流小、热稳定性好、材料简单及无毒性等优点；本发明的选通管材料通过在GexS1-x材料中掺入掺杂材料，可以调节和优化该选通材料制作的选通管单元的阈值电压、开通电流及疲劳特性等性能；可以提高该选通材料制作的选通管单元的热稳定性、降低该选通材料制作的选通管单元的漏电流、增强该选通管材料制作的选通管单元的可重复性。
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公开(公告)号：CN111725395B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201911183322.3
申请日：2019-11-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及微纳米电子技术领域，本发明公开了一种选通管材料，该选通管材料为包括硫化锗(GeS)和碲化砷(As2Te3)的化合物；该选通管材料的化学通式为(GeS)1‑X(As2Te3)X，其中，X为化合物的占比，且0＜X≤0.5。本发明提供的选通管材料具有开启电压小的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113571635A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202010975902.2
申请日：2020-09-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00 , H01L43/12 , H01L43/10 , H01L43/08 , H01L27/24 , H01L27/22 , H01L27/11514 , H01L27/11507
Abstract: 本发明提供一种选通管材料、选通管单元及制备方法、存储器结构，其中，选通管材料包括Te、Se及S中的至少一种，也就是说，选通管材料选用Te、Se和S单质或者其中任意元素构成的化合物，进一步，可通过掺入O、N、Ga、In、As等元素、氧化物、氮化物以及碳化物等介质材料提高性能，本发明的选通管材料用于选通管单元时具有开通电流大、材料简单、开关速度快、重复性好以及低毒性等优点，有助于实现高密度的三维信息存储。
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公开(公告)号：CN112018232A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910466003.7
申请日：2019-05-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种选通管材料及包含选通管材料的选通管单元，所述选通管材料的组分通式为(SnxSe1-x)1-yNy，其中，N为掺杂材料，且0.1≤x≤0.9，0.05≤y≤0.7。本发明的选通管材料通过在SnSe材料中掺入掺杂材料，调节和优化该选通材料制作的选通管单元的开通电流、漏电流及疲劳特性等性能。本发明的提供的包含该选通管材料的选通管单元具有开通电流大、漏电流小、材料简单及无毒性等优点。
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公开(公告)号：CN114122255A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111401334.6
申请日：2021-11-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种选通管材料及其选通管单元，该选通管单元包括选通管材料层、阻挡层、第一电极及第二电极，其中，所述选通管单元采用化学通式为(GexS1‑x)1‑yMy的选通管材料，0.1≤x≤0.9，0＜y≤0.5，M组分包括As、B、P和Li元素中的至少一种，所述阻挡层位于位于所述选通管材料层的上表面；所述第一电极位于所述阻挡层的上表面；所述第二电极位于所述选通管材料层的下表面。本发明的选通管单元通过采用化学通式为(GexS1‑x)1‑yMy的选通管材料作为选通管单元的选通管材料层，实现了选通管单元热稳定性的提高、漏电流减小、开态电流的增加、电压波动的减少、单元一致性的提高及使用寿命的提升。
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公开(公告)号：CN111725395A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201911183322.3
申请日：2019-11-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及微纳米电子技术领域，本发明公开了一种选通管材料，该选通管材料为包括硫化锗(GeS)和碲化砷(As2Te3)的化合物；该选通管材料的化学通式为(GeS)1-X(As2Te3)X，其中，X为化合物的占比，且0＜X≤0.5。本发明提供的选通管材料具有开启电压小的特点。
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公开(公告)号：CN109839296A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201711213560.5
申请日：2017-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N1/28
Abstract: 本发明提供一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法，至少包括：首先提供金属探针，将金属探针的顶端针尖削平形成平台；然后在平台表面制备相变存储器器件，包括下电极层、相变层、以及上电极层；接着在上电极层表面淀积保护层；再以保护层为掩膜，刻蚀所述相变存储器器件，在平台两侧缘形成薄片；最后对薄片进行分割，形成多个独立的透射电镜样品。本发明解决了TEM样品与原位电学测试TEM样品杆的电学连接问题，避免了常规FIB制备TEM样品所需的样品提取转移到Cu网的步骤，减小了样品制备的难度，提高了样品制备的成功率，大大降低了样品的制备成本，加快了新型高密度存储相变材料研发，为其可逆相变行为及界面相变行为的研究提供了快捷的手段。
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