具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器及其设计方法

    公开(公告)号:CN104730643B

    公开(公告)日:2018-04-17

    申请号:CN201510173591.7

    申请日:2015-04-13

    Abstract: 本发明提供一种具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器及其设计方法,其中,所述设计方法至少包括:将所述多模干涉耦合器中的多模区设计为矩形波导,确定所述多模区的尺寸,其方法如下:分析计算所述多模区各阶模的有效折射率,以得到横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差及其与所述多模区的宽度、厚度的对应关系图;预先选定所述多模区所需的厚度,在所述横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差为零的条件下,根据所述对应关系图确定所述多模区所需的宽度和长度,以使所述多模干涉耦合器工作时能够具有偏振不敏感特性。本发明的设计方法,通过最佳化的设计器件各个尺寸,实现偏振不敏感特性的90°相移光混合器。

    选通管材料、选通管单元及存储器件结构

    公开(公告)号:CN111384238A

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN201811623426.7

    申请日:2018-12-28

    Abstract: 本发明提供一种选通管材料、选通管单元及存储器件结构,选通管材料为至少包括Ge及S的化合物,所述选通管材料的化学通式为(GexS1-x)1-yMy,其中,M包括掺杂材料,且0.1≤x≤0.9、0≤y≤0.5。本发明的选通管材料选用GexS1-x材料,该材料用于选通管单元时具有开通电流大、漏电流小、热稳定性好、材料简单及无毒性等优点;本发明的选通管材料通过在GexS1-x材料中掺入掺杂材料,可以调节和优化该选通材料制作的选通管单元的阈值电压、开通电流及疲劳特性等性能;可以提高该选通材料制作的选通管单元的热稳定性、降低该选通材料制作的选通管单元的漏电流、增强该选通管材料制作的选通管单元的可重复性。

    C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料、相变存储器单元及其制备方法

    公开(公告)号:CN110098322A

    公开(公告)日:2019-08-06

    申请号:CN201810088435.4

    申请日:2018-01-30

    Inventor: 宋志棠 朱敏 陈鑫

    Abstract: 本发明提供一种C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料、相变存储器单元及其制备方法,所述Sc-Sb-Te相变存储材料为Sc-Sb2Te3相变存储材料,所述C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料中,C的原子百分比为1%~40%。本发明通过对Sc-Sb2Te3进行C掺杂,由于C是一种低热导的材料,可以很好的防止热扩散,且C的良好导电性保证了材料良好的导通,本发明的C掺杂Sc-Sb2Te3相变材料在外部能量的作用下,能够实现高电阻态与低电阻态之间的可逆转变,高低阻态的阻值比可达两个数量级;其作为相变存储器的存储介质时,相变存储单元不仅具有相变速度快、写操作电流低等优点,而且器件的高温数据保持力及可靠性有了极大的提高;采用本发明相变存储器单元结构的相变存储器具有高速、低功耗、良好数据保持力等优越性。

    选通管材料、选通管单元及存储器件结构

    公开(公告)号:CN111384238B

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN201811623426.7

    申请日:2018-12-28

    Abstract: 本发明提供一种选通管材料、选通管单元及存储器件结构,选通管材料为至少包括Ge及S的化合物,所述选通管材料的化学通式为(GexS1‑x)1‑yMy,其中,M包括掺杂材料,且0.1≤x≤0.9、0≤y≤0.5。本发明的选通管材料选用GexS1‑x材料,该材料用于选通管单元时具有开通电流大、漏电流小、热稳定性好、材料简单及无毒性等优点;本发明的选通管材料通过在GexS1‑x材料中掺入掺杂材料,可以调节和优化该选通材料制作的选通管单元的阈值电压、开通电流及疲劳特性等性能;可以提高该选通材料制作的选通管单元的热稳定性、降低该选通材料制作的选通管单元的漏电流、增强该选通管材料制作的选通管单元的可重复性。

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