公开(公告)号：CN111725395B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201911183322.3

申请日：2019-11-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 贾淑静 ,  朱敏 ,  陈鑫 ,  沈佳斌 ,  武仁杰 ,  宋志棠

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及微纳米电子技术领域，本发明公开了一种选通管材料，该选通管材料为包括硫化锗(GeS)和碲化砷(As2Te3)的化合物；该选通管材料的化学通式为(GeS)1‑X(As2Te3)X，其中，X为化合物的占比，且0＜X≤0.5。本发明提供的选通管材料具有开启电压小的特点。

公开(公告)号：CN111129070A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911181892.9

申请日：2019-11-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 沈佳斌 ,  朱敏 ,  陈鑫 ,  贾淑静 ,  武仁杰 ,  宋志棠

IPC: H01L27/24

Abstract: 本发明涉及微纳米电子技术领域，本申请公开了一种选通管材料，该选通管材料为包括锗(Ge)、硒(Se)和硫(S)三种元素的化合物；该选通管材料的化学通式为GeSexS1-x，其中，X为元素的原子占比，且0.01≤X≤0.99。本发明提供的选通管材料具有开通电流大和漏电流小的特点。

公开(公告)号：CN111584710A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010277520.2

申请日：2020-04-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 武仁杰 ,  朱敏 ,  贾淑静 ,  宋志棠

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及一种OTS材料、选通器单元及其制备方法。该OTS材料的化学通式为GaxS1-x-yRy。该选通器单元包括该OTS材料。该选通器单元在外部电激励的作用下，能够实现从关断的、高电阻态到导通的、低电阻态的快速转变；而且，在撤去外部电激励时，能够由导通的、低电阻态向关断的、高电阻态快速转变；并且该选通器单元具有驱动电流高、阈值电压较低、开启速度快、开关比大、热稳定性好等优点。

公开(公告)号：CN111584710B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202010277520.2

申请日：2020-04-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 武仁杰 ,  朱敏 ,  贾淑静 ,  宋志棠

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明涉及一种OTS材料、选通器单元及其制备方法。该OTS材料的化学通式为GaxS1‑x‑yRy。该选通器单元包括该OTS材料。该选通器单元在外部电激励的作用下，能够实现从关断的、高电阻态到导通的、低电阻态的快速转变；而且，在撤去外部电激励时，能够由导通的、低电阻态向关断的、高电阻态快速转变；并且该选通器单元具有驱动电流高、阈值电压较低、开启速度快、开关比大、热稳定性好等优点。

公开(公告)号：CN111725395A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201911183322.3

申请日：2019-11-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 贾淑静 ,  朱敏 ,  陈鑫 ,  沈佳斌 ,  武仁杰 ,  宋志棠

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及微纳米电子技术领域，本发明公开了一种选通管材料，该选通管材料为包括硫化锗(GeS)和碲化砷(As2Te3)的化合物；该选通管材料的化学通式为(GeS)1-X(As2Te3)X，其中，X为化合物的占比，且0＜X≤0.5。本发明提供的选通管材料具有开启电压小的特点。