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公开(公告)号：CN108666416B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201710215955.2
申请日：2017-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器单元及其制备方法，所述相变存储器单元包括相变材料层，所述相变材料层包括单层相变材料SbxTe1‑x层和单层化合物ScyTe1‑y层交替垂直堆叠生长而形成的相变超晶格薄膜结构，其中，0.4≤x≤0.8，0.4≤y≤0.8。本发明制备出的超晶格(SbxTe1‑x)‑(ScyTe1‑y)相变材料具有和传统Ge‑Sb‑Te相变材料相比，获得的相变存储器件具有更低功耗、更高的相变速、更高的保持力、更长寿命等优点。
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公开(公告)号：CN109839296A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201711213560.5
申请日：2017-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N1/28
Abstract: 本发明提供一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法，至少包括：首先提供金属探针，将金属探针的顶端针尖削平形成平台；然后在平台表面制备相变存储器器件，包括下电极层、相变层、以及上电极层；接着在上电极层表面淀积保护层；再以保护层为掩膜，刻蚀所述相变存储器器件，在平台两侧缘形成薄片；最后对薄片进行分割，形成多个独立的透射电镜样品。本发明解决了TEM样品与原位电学测试TEM样品杆的电学连接问题，避免了常规FIB制备TEM样品所需的样品提取转移到Cu网的步骤，减小了样品制备的难度，提高了样品制备的成功率，大大降低了样品的制备成本，加快了新型高密度存储相变材料研发，为其可逆相变行为及界面相变行为的研究提供了快捷的手段。
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公开(公告)号：CN104831235A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510136878.2
申请日：2015-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的Zr-Sb-Te系列相变材料及其制备方法，所述Zr-Sb-Te系列相变材料的化学式为Zr100-x-ySbxTey，其中0＜100-x-y＜20，0.5≤x/y≤4。本发明的用于相变存储器的Zr-Sb-Te系列相变材料具有较好的结晶速度及较高的沉积态稳定性，其在电脉冲作用下可以实现可逆相变，相变前后有电阻高低差异之分，差值较大，可以分辨出“0”、“1”，其中Set电压脉冲宽达到100ns，Reset电压脉冲宽度达到10ns，循环次数达到104，是一种较为理想的相变材料，可用于制作相变存储器单元。所述Zr-Sb-Te系列相变材料可采用多种方法制备，其中磁控溅射法比较灵活，可以方便制得组分可调、质量较高的Zr100-x-ySbxTey复合薄膜。
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公开(公告)号：CN102122636B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201010579606.7
申请日：2010-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/822 , H01L21/82 , H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种三维电阻转换存储芯片制备方法。该方法利用电阻转换材料与含有电极阵列的绝缘介质层的直接键合以及改进型智能剥离技术突破了存储单元三维堆叠的温度难题。该方法中采用低温等离子体活化键合技术将包含电极阵列的第一半导体晶圆与包含电阻转换材料和选通管层材料的第二半导体晶圆进行键合；利用不高于400℃低温退火增强键合强度，同时实现低温电阻转换材料转移，即将具有电阻转换材料和选通管层材料的薄膜转移到第一半导体晶圆上，随后在第一半导体晶圆结构上通过半导体工艺，制备存储和选通单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102122636A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201010579606.7
申请日：2010-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/822 , H01L21/82 , H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种三维电阻转换存储芯片制备方法。该方法利用电阻转换材料与含有电极阵列的绝缘介质层的直接键合以及改进型智能剥离技术突破了存储单元三维堆叠的温度难题。该方法中采用低温等离子体活化键合技术将包含电极阵列的第一半导体晶圆与包含电阻转换材料和选通管层材料的第二半导体晶圆进行键合；利用不高于400℃低温退火增强键合强度，同时实现低温电阻转换材料转移，即将具有电阻转换材料和选通管层材料的薄膜转移到第一半导体晶圆上，随后在第一半导体晶圆结构上通过半导体工艺，制备存储和选通单元。
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公开(公告)号：CN108666416A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710215955.2
申请日：2017-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/16
Abstract: 本发明提供一种相变存储器单元及其制备方法，所述相变存储器单元包括相变材料层，所述相变材料层包括单层相变材料SbxTe1-x层和单层化合物ScyTe1-y层交替垂直堆叠生长而形成的相变超晶格薄膜结构，其中，0.4≤x≤0.8，0.4≤y≤0.8。本发明制备出的超晶格(SbxTe1-x)-(ScyTe1-y)相变材料具有和传统Ge-Sb-Te相变材料相比，获得的相变存储器件具有更低功耗、更高的相变速、更高的保持力、更长寿命等优点。
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公开(公告)号：CN103530690A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310533049.9
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06N3/08
Abstract: 本发明提供一种神经元器件及神经网络，所述神经元器件包括：下加热电极；相变材料；上电极；以及周围介质材料；其中，所述神经元器件在施加恢复脉冲时转变为正常态，而在施加刺激脉冲时转变为兴奋态。该神经元器件由正常态转变为兴奋态只需要几十个纳米的时间，在由兴奋态转化为正常态只需要很小的能量消耗。同时该神经元器件具有对刺激脉冲的幅度、宽度及个数的综合响应，提供权重部分和运算部分的功能。该神经元器件结构简单，与CMOS工艺兼容，便于大量集成。所述神经网络由包含多个神经元器件的阶层神经元阵列组成，可实现信息的多通道传输与存储，而且具有学习功能，将来有望在认知计算机等领域得到应用。
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公开(公告)号：CN102064134A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010572456.7
申请日：2010-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及到一种三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片。该方法中采用室温等离子体活化键合技术将已含有外围电路层、或者同时含有外围电路和平面存储结构层的基片与包含用作选通管的薄膜材料层的SOI片键合；利用不高于400℃低温退火增强键合强度，并使用机械减薄和化学腐蚀的方法实现低温下薄膜材料层转移；然后沉积电阻转换存储材料和导电薄膜，再经过光刻、刻蚀以及化学机械抛光等工艺，获得立体的选通管-电阻存储单元阵列。重复实施上述过程即可实现立体多层结构的电阻存储阵列，本发明中利用等离子体活化室温键合技术可以避免已有电路结构以及下层电阻存储单元因高温而产生的性能退化，因而该工艺适用于高速高密度存储芯片的开发。
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公开(公告)号：CN101892453A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010237976.2
申请日：2010-07-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于具有第一材料基底，基底上方具有多个凹槽，凹槽中填充有至少一种非第一材料。制造上述靶材的步骤如下：在第一材料基底靶材上形成槽结构，填充至少一种非第一材料的粉末或者熔液，经烧结、冷却和平坦化得到。在靶材部分消耗后，还可通过对靶材的消耗部分的修复实现靶材的重复充分利用，提高利用率。本发明可方便地制备复合材料薄膜，并且降低薄膜制备的成本，提升靶材的利用率。
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