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公开(公告)号：CN102386067B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201010271287.3
申请日：2010-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/186 , C30B23/025 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02661
Abstract: 本发明涉及了一种有效抑制自掺杂效应的外延生长方法，其首先清除含有重掺杂埋层区域的半导体衬底和待使用的反应腔室内壁的杂质，然后将半导体衬底载入被清洗过的反应腔室，在真空条件下对其进行预烘烤，以去除所述半导体衬底表面的湿气及氧化物，随后抽出半导体衬底表面被解吸附的掺杂原子，接着在高温和低气体流量条件下，在已抽出掺杂原子的所述半导体衬底表面生长第一本征外延层；然后在低温和高气体流量条件下，在已生长有本征外延层的结构表面继续生长所需厚度的第二外延层，最后冷却载出硅片。该方法能够抑制半导体衬底外延生长过程中的自掺杂效应，从而确保周边电路区器件的性能，以增加器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN102487119B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201010569991.7
申请日：2010-12-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的-纳米复合相变材料，该材料由相变材料与复合而成，其化学式为，其中,。本发明通过在相变材料中掺入，使得具有可逆相变能力的相变材料被非晶态隔离成纳米尺度的区域，形成复合结构；提升了相变材料的电阻率和结晶温度，降低了相变材料热导率。相变材料的晶态电阻的增加，可以降低相变存储器件的Reset电流，从而克服了相变材料Reset电流过大的障碍；结晶温度的升高可以提升-相变材料器件的稳定性，熔化温度的下降则有效降低了其功耗；而热导率的降低，则可以提高能量的利用率。
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公开(公告)号：CN102412179B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201010289920.1
申请日：2010-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L45/00
CPC classification number: H01L21/76205 , H01L21/76224 , H01L27/0814
Abstract: 本发明公开了一种双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法，该方法首先在衬底上形成重掺杂的第一导电类型区域和高掺杂的第二导电类型区域，生长外延层，然后通过深沟道刻蚀形成二极管阵列字线间的隔离和垂直于深沟道方向的浅沟道刻蚀形成位线间的隔离，最后在深沟道和浅沟道隔离围成的区域通过离子注入的方法形成独立的二极管阵列单元。本发明还提出了基于上述双浅沟道隔离的外延二极管阵列的相邻字线和位线间串扰电流的抑制方法。本发明可用于二极管驱动的高密度大容量存储器，如相变存储器、电阻存储器、磁性存储器和铁电存储器等；其方法与传统的CMOS工艺完全兼容，二极管阵列在外围电路形成之前完成，其热制程不会造成外围电路的漂移，解决了实现高密度、大容量、嵌入式相变存储器的技术难题。
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公开(公告)号：CN101488514B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200910046487.6
申请日：2009-02-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/762 , G11C16/02
Abstract: 本发明揭示一种电阻转换存储器，包括选通单元、数据存储单元；所述选通单元为PN二极管、或肖特基二极管、或双极型晶体管；所述电阻转换存储器采用的选通单元被至少两个深度不同的浅沟道相互隔离开。本发明提供几种电阻转换存储器的器件结构，包括了PN二极管、肖特基二极管和双极型晶体管的器件结构，这些结构的特点在于构造简单，因此其制造方法简便，且与半导体工艺完全兼容，有助于降低成本，使采用该技术的高密度电阻转换存储器更具竞争力。
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公开(公告)号：CN101834152B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201010152466.5
申请日：2010-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维立体多层堆叠的电阻转换存储器的制造方法，所述方法包括如下步骤：在制造有外围电路和电阻转换存储阵列的表面依次沉积粘附层和金属层，辅助以化学机械抛光进行平坦化，形成需要键合的圆晶一；制造键合所需的圆晶二工艺如下：在圆晶上形成PN层，并进行激活处理，随后表面依次沉积粘附层和金属层，并平坦化；圆晶键合圆晶一和圆晶二；通过后续的工艺去除圆晶二多余部分，可采用背面腐蚀、抛光、或者退火剥离工艺。本发明还包括一种制造肖特基二极管选通的三维立体堆叠的电阻转换存储器的制造方法。本发明不仅能够使工艺与电阻转换存储器工艺兼容，而且具有良好的可靠性和较少的缺陷，有望在三维立体堆叠中获得大规模的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101894771B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201010206329.5
申请日：2010-06-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，包括如下步骤：制造半导体第一晶圆；制造半导体第二晶圆；键合第一晶圆和第二晶圆；沉积第一电极材料；通过半导体工艺，在原第一晶圆顶部镶嵌的第一位线上方形成对应的多层结构单元；沉积绝缘介质材料；在所述基底上通过半导体工艺制造沟槽；填充存储材料，并进行回刻工艺，仅保留沟槽内的存储材料；填充第三金属材料层，并进行化学机械抛光平坦化，原位地、免光刻地在沟槽内形成第二字/位线。本发明提出的多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，通过键合法实现多层堆叠电阻转换存储器的制造，工艺与电阻转换存储器工艺兼容，而且具有良好的可靠性。
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公开(公告)号：CN101826546B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201010141273.X
申请日：2010-04-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米级侧壁限制的电阻转换存储器单元及其制造方法，该存储器单元结构，包括：上电极、下电极、以及分别与上电极和下电极相接触的存储单元，在所述存储单元周围设有绝缘材料将其隔离，所述存储单元在平行于电极方向的横截面为平行四边形，且所述平行四边形的其中一边长为另一边长的1.5倍以上，所述存储单元与所述一电极的接触面积等于或大于其与所述另一电极的接触面积。本发明通过绝缘侧壁限制了存储单元的体积，有效地缩小了存储单元与电极的接触面积，降低了功耗，而且绝缘侧壁对存储单元还起到了绝缘、绝热、抗扩散的作用，从而可提升存储器的可靠性。
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公开(公告)号：CN102185104A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110091476.7
申请日：2011-04-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种多层堆叠电阻转换存储器结构，具有以下的特征：电阻转换存储器结构包括至少两层电阻转换存储层；每层的电阻转换存储层中含有选通管和对应的电阻转换存储单元，单个选通管选通至少两个电阻转换存储单元；选通管为双极型晶体管、肖特基二极管、PN二极管或者为氧化物二极管；多层堆叠电阻转换存储器结构还包含外围电路，各层电阻转换存储层共享外围电路。该器件结构能大幅提高存储器的密度，而且通过共享外围电路节省了外围电路的面积，并且多个存储单元共用选通管就有效地增大了选通二极管的面积，也就增大了选通管的驱动电流，给电阻转换存储器的编程操作留出了更多的空间。
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公开(公告)号：CN102110773A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010537183.2
申请日：2010-11-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种硅锑碲复合相变材料Siy(SbxTe1-x)1-y其由功能材料Si和相变材料SbxTe1-x作为两个相互分散的物相复合而成，用于纳米晶电阻转换存储器，其中0.5≤x≤0.9，0＜y≤0.4。硅锑碲复合相变材料S iy(SbxTe1-x)1-y与传统的相变材料的不同在于：在相变的过程以及相变的前后，材料中硅组份的结构和分布均保持不变，硅原子不进入SbxTe1-x的晶格，而是出现在SbxTe1-x颗粒之间。通过这种复合相变材料的应用，能够降低纳米晶电阻转换存储器操作的功耗，提升器件在高温下的数据保持能力，对于非易失性半导体存储器的应用具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN101436614B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200810207453.6
申请日：2008-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/872 , H01L21/822
Abstract: 本发明提供多种自对准制造基于含锑的肖特基二极管阵列的方法，首先在本征或第一导电类型半导体基底上形成第二导电类型的重掺杂层，然后在第二导电类型的重掺杂层上形成第二导电类型的轻掺杂区，接着采用自对准法在轻掺杂区沉积含锑的金属区，使各金属区与相应的轻掺杂区形成肖特基接触进而制造出肖特基二极管阵列。
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