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公开(公告)号：CN106326421A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610719554.6
申请日：2016-08-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F17/30
CPC classification number: G06F17/30961
Abstract: 本发明提供一种基于索引树和数据链表的FPGA并行排序方法及系统，包括将待排序记录的特征值和标识值从存储器内依次读出；在数据链表存储区创建标识值节点，并将记录的标识值存储在标识值节点；根据记录的特征值在索引树存储区的索引树上建立特征值节点；全部记录读出并处理完毕后，依次遍历索引树上各层的特征值节点，并根据特征值节点的路径恢复特征值；再根据获取的特征值节点中记录的标识值节点地址，在数据链表存储区中找到对应的标识值；最后按照遍历顺序输出所有记录的特征值和标识值。本发明的基于索引树和数据链表的FPGA并行排序方法及系统通过FPGA对数据进行编/解码来实现对数据的排序，从而一边读取数据一边进行数据排序。
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公开(公告)号：CN101488514B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200910046487.6
申请日：2009-02-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/762 , G11C16/02
Abstract: 本发明揭示一种电阻转换存储器，包括选通单元、数据存储单元；所述选通单元为PN二极管、或肖特基二极管、或双极型晶体管；所述电阻转换存储器采用的选通单元被至少两个深度不同的浅沟道相互隔离开。本发明提供几种电阻转换存储器的器件结构，包括了PN二极管、肖特基二极管和双极型晶体管的器件结构，这些结构的特点在于构造简单，因此其制造方法简便，且与半导体工艺完全兼容，有助于降低成本，使采用该技术的高密度电阻转换存储器更具竞争力。
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公开(公告)号：CN102185104A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110091476.7
申请日：2011-04-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种多层堆叠电阻转换存储器结构，具有以下的特征：电阻转换存储器结构包括至少两层电阻转换存储层；每层的电阻转换存储层中含有选通管和对应的电阻转换存储单元，单个选通管选通至少两个电阻转换存储单元；选通管为双极型晶体管、肖特基二极管、PN二极管或者为氧化物二极管；多层堆叠电阻转换存储器结构还包含外围电路，各层电阻转换存储层共享外围电路。该器件结构能大幅提高存储器的密度，而且通过共享外围电路节省了外围电路的面积，并且多个存储单元共用选通管就有效地增大了选通二极管的面积，也就增大了选通管的驱动电流，给电阻转换存储器的编程操作留出了更多的空间。
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公开(公告)号：CN102110773A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010537183.2
申请日：2010-11-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种硅锑碲复合相变材料Siy(SbxTe1-x)1-y其由功能材料Si和相变材料SbxTe1-x作为两个相互分散的物相复合而成，用于纳米晶电阻转换存储器，其中0.5≤x≤0.9，0＜y≤0.4。硅锑碲复合相变材料S iy(SbxTe1-x)1-y与传统的相变材料的不同在于：在相变的过程以及相变的前后，材料中硅组份的结构和分布均保持不变，硅原子不进入SbxTe1-x的晶格，而是出现在SbxTe1-x颗粒之间。通过这种复合相变材料的应用，能够降低纳米晶电阻转换存储器操作的功耗，提升器件在高温下的数据保持能力，对于非易失性半导体存储器的应用具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN101404179B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810202405.8
申请日：2008-11-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明是一种提升相变存储器编程速度的方法及实现方法。其特征在于在存储器编程空闲时间对无数据或未存储数据部分的存储单元或者存储单元块进行全局性的SET编程操作；所述的空闲时间为存储器单元处于待机状态，没有编程的任务状态；所述的全局性的SET编程操作使所有的存储单元或者存储单元块都处于数据“1”状态。本发明还包括全局SET法的电路实现：在读、写、擦操作完成后的固有时间内监测是否有下一读、写、擦操作，如果有，则认为存储器繁忙，不进行全局SET；如果没有，则认为存储器空闲，此时启动全局SET操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101504949A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200810202824.1
申请日：2008-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768 , G11C16/02 , G11C11/56
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示一种电阻转换存储器及其制造方法，所述电阻转换存储器包括：基底、逻辑电路、字线、位线、若干分立的存储单元、隔离单元；通过扩散效应，使所述存储单元中存储材料的部分原子扩散到第一导电类型的半导体字线中，在接触界面形成对半导体字线的综合效应为第二导电类型的掺杂；经存储材料原子扩散掺杂形成的第二导电类型区域与第一导电类型半导体字线之间形成二极管，该二极管作为选通单元对上方的存储单元进行选通。电阻转换存储器所采用的存储材料在器件中具有多种功能，既作为高、低电阻转换的媒介材料，同时也是杂质材料，能通过扩散效应对与其接触的半导体进行掺杂，从而用简便的方法形成二极管作为逻辑单元选通存储器单元。
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公开(公告)号：CN101488514A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910046487.6
申请日：2009-02-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/762 , G11C16/02
Abstract: 本发明揭示一种电阻转换存储器，包括选通单元、数据存储单元；所述选通单元为PN二极管、或肖特基二极管、或双极型晶体管；所述电阻转换存储器采用的选通单元被至少两个深度不同的浅沟道相互隔离开。本发明提供几种电阻转换存储器的器件结构，包括了PN二极管、肖特基二极管和双极型晶体管的器件结构，这些结构的特点在于构造简单，因此其制造方法简便，且与半导体工艺完全兼容，有助于降低成本，使采用该技术的高密度电阻转换存储器更具竞争力。
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公开(公告)号：CN101477987A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910045084.X
申请日：2009-01-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示一种三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法。电阻转换存储器包括基底、若干第一布线、若干第二布线、若干存储单元阵列。多个平行设置的第一布线设置于基底上；多个相互平行的第二布线设置于基底上、与第一布线绝缘分离、并与第一布线交叉配置；呈矩阵排列的存储单元阵列层叠设置于基底上，上下相邻的两个存储单元阵列之间、存储单元阵列与基底之间至少设置第一布线、第二布线中的一个；存储单元阵列包括电阻转换存储单元、多晶半导体肖特基二极管。本方法可形成高质量的金属－半导体接触，成本较低，有望在三维高密度、低成本的固态存储器的竞争中获得较大优势。
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公开(公告)号：CN100461484C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610117153.X
申请日：2006-10-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变存储单元及其制备方法，其特征在于：在衬底上覆盖有下电极层；在下电极上覆盖有绝热材料层，绝热材料层中存在孔洞；孔洞中包含与下电极相通的空心柱状加热电极材料结构；柱状加热电极上覆盖有绝热材料层，绝热材料层中包含与柱状加热电极套刻的孔洞；且在柱状加热电极孔内和绝热材料层孔洞内含有可逆相变材料层；在相变材料层上覆盖有绝热材料层，在绝热材料层中包含孔洞，并在其内填充了与相变材料相通的上电极材料。本发明将相变材料限定在加热电极的空心柱与绝热材料中的孔洞里，在电脉冲对存储单元进行操作时，使相变材料处于高温，高压环境下，优先发生相变，诱导周围的相变材料进一步相变，从而实现相变存储单元的低压、低功耗、高速功能。
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公开(公告)号：CN101329906A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810040949.9
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种非易失顺序模块式存储器，所述存储器被分割为若干存储块，每个存储块的数据信息分配一个统一的地址，各存储块之间采用随机读写方式，存储块内部采用顺序存储方式。本发明针对大量数据存储，改善RAM式存储方式的缺点，提出一套新型的非易失模块式新型存储器及其存储与读取方法，可以提高相变存储芯片的读写速度、可重复读写次数、降低功耗。
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