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公开(公告)号：CN104241527A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410522199.4
申请日：2014-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的V-Sb-Te相变材料体系及其制备方法，其中，所述V-Sb-Te相变材料体系为在Sb-Te相变材料体系基础上掺V而成，其化学通式为V100-x-ySbxTey，其中，0.5≤x/y≤4，且50≤x+y≤99.99。本发明的V-Sb-Te相变材料体系具有相变速度快和操作功耗低，并有较佳的数据保持力和相稳定性，可以极大地拓展Sb-Te相变材料体系的应用范围。同时，V元素可以极大地减小Sb-Te材料体系的晶粒尺寸，使得材料有更好的可微缩性能，这也减小了材料相变前后的体积变化率，提高了材料的抗疲劳特性。另外，V元素与Sb-Te材料体系有较好的相容性，整个材料表现为均一相。
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公开(公告)号：CN105322090B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201410265001.9
申请日：2014-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种存储器，至少包括：衬底和依次形成于衬底上的底电极和介质层、介质层上的复合存储结构及复合存储结构上的顶电极。本发明还提供该存储器的制作方法：在清洗后的衬底上依次形成底电极和介质层；在介质层上制作贯孔；在介质层上形成由硫系化合物和氧化物构成的复合存储结构及复合存储结构上的顶电极。本发明的存储器兼具相变和电致阻变的特性，弥补了高密度存储氧化物材料纳米尺度下缺陷不均匀的问题，氧化物材料中形成的氧空位通路能促进硫系化合物材料的阈值转变，使高低阻值增大，有利于提升其存储单元的成品率与可靠性，具有稳定可重复性好以及结构变化小的特点，并且容量大、密度高、功耗低，适用于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN104241527B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410522199.4
申请日：2014-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的V‑Sb‑Te相变材料体系及其制备方法，其中，所述V‑Sb‑Te相变材料体系为在Sb‑Te相变材料体系基础上掺V而成，其化学通式为V100‑x‑ySbxTey，其中，0.5≤x/y≤4，且50≤x+y≤99.99。本发明的V‑Sb‑Te相变材料体系具有相变速度快和操作功耗低，并有较佳的数据保持力和相稳定性，可以极大地拓展Sb‑Te相变材料体系的应用范围。同时，V元素可以极大地减小Sb‑Te材料体系的晶粒尺寸，使得材料有更好的可微缩性能，这也减小了材料相变前后的体积变化率，提高了材料的抗疲劳特性。另外，V元素与Sb‑Te材料体系有较好的相容性，整个材料表现为均一相。
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公开(公告)号：CN105322090A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410265001.9
申请日：2014-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种存储器，至少包括：衬底和依次形成于衬底上的底电极和介质层、介质层上的复合存储结构及复合存储结构上的顶电极。本发明还提供该存储器的制作方法：在清洗后的衬底上依次形成底电极和介质层；在介质层上制作贯孔；在介质层上形成由硫系化合物和氧化物构成的复合存储结构及复合存储结构上的顶电极。本发明的存储器兼具相变和电致阻变的特性，弥补了高密度存储氧化物材料纳米尺度下缺陷不均匀的问题，氧化物材料中形成的氧空位通路能促进硫系化合物材料的阈值转变，使高低阻值增大，有利于提升其存储单元的成品率与可靠性，具有稳定可重复性好以及结构变化小的特点，并且容量大、密度高、功耗低，适用于大规模工业化生产。
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