公开(公告)号：CN111244271B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202010058952.4

申请日：2020-01-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 赵进 ,  宋文雄 ,  宋志棠

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/35

Abstract: 本申请提供一种相变材料，所述相变材料包括钪(Sc)元素、钽(Ta)元素、锗(Ge)元素、锑(Sb)元素及碲(Te)元素，所述相变材料的化学式为ScxTayGehSbzTeu，其中，x、y、h、z、u均指元素的原子组分，且满足0≤x≤50，0≤y≤50，0≤z≤90，0≤z≤90，0≤u≤90，0＜100‑x‑y‑h‑z‑u＜100。本申请提供的相变材料可以通过调节Sc、Ta、Ge、Sb、Te元素的含量得到不同电阻率和结晶激活能的存储材料，且该体系相变材料相变前后电阻差值大，具有非常强的可调性，从而根据实际所需提供特定的性能。本发明的ScxTayGehSbzTeu相变材料具有良好的热稳定性，较高的数据保持力，较快的结晶速度。

公开(公告)号：CN117580442A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311558065.3

申请日：2023-11-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王禹昊 ,  宋文雄 ,  宋三年 ,  宋志棠

IPC: H10N70/00 ,  H10B63/10

Abstract: 本发明涉及一种OTS开关材料、存储器件及其制备方法，所述OTS开关材料的化学通式为(SbxSe100‑x)100‑yMy，其中M为As、Si、Ge、Te、C、W、N、B、P、ln中的一种或多种；x、y满足10

公开(公告)号：CN112397644B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN201910753993.2

申请日：2019-08-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋文雄 ,  赵进 ,  宋志棠 ,  宋三年

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明提供一种相变材料、相变存储单元及其制备方法，其中，相变材料包括铒元素、锑元素及碲元素，所述相变材料的化学式为ErxSbyTez，其中，x、y、z均指元素的原子组分，且满足0

公开(公告)号：CN111725397A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010061430.X

申请日：2020-01-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  宋文雄 ,  赵进

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明涉及微纳电子技术领域，本发明公开了一种相变材料结构，其包括第一材料层和第二材料层，该第一材料层设于该第二材料层上；该第一材料层的材料为包括钛(Ti)和碲(Te)两种化学元素的化合物，该该第一材料层的材料的化学通式为碲化钛(TixTey)，其中，x、y为元素的原子百分比；该第二材料层的材料为锑(Sb)。本发明提供的相变材料结构具有阻碍锑(Sb)扩散和热稳定性好和相变速度快的特点。

公开(公告)号：CN111725396A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010061426.3

申请日：2020-01-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  宋文雄 ,  赵进 ,  吴天如

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，本发明公开了一种石墨烯-相变材料结构，其包括相变材料层和石墨烯层，该石墨烯层设于该相变材料层的顶部或者底部。本发明提供的相变材料结构具有不易扩散和热稳定性好的特点。

公开(公告)号：CN119584850A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411614272.0

申请日：2024-11-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王禹昊 ,  黄文健 ,  宋文雄 ,  宋三年 ,  宋志棠

IPC: H10N70/00 ,  H10B63/10

Abstract: 本发明涉及一种相变材料，所述相变材料包括铟元素和硫元素，化学式为InxSy，x、y为元素的原子组分，并且满足0

公开(公告)号：CN116940221A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210318382.7

申请日：2022-03-29

Applicant: 华为技术有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郑龙 ,  宋志棠 ,  宋三年 ,  宋文雄 ,  唐文涛 ,  赵俊峰 ,  罗时江

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/10

Abstract: 本申请提供了一种相变存储材料、相变存储单元和相变存储器。该相变存储材料包括Nbδ(GexSbyTez)1‑δ，其中，Nb的原子含量δ为0＜δ＜1，Nbδ(GexSbyTez)1‑δ中，0＜x≤10，0＜y≤10，0＜z≤10。该相变存储材料可实现相变存储器的多态存储，满足高精度神经形态计算的要求。

公开(公告)号：CN109935688B

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201910233385.9

申请日：2019-03-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  郑龙 ,  宋三年 ,  任堃 ,  朱敏 ,  宋文雄

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器，相变薄膜结构包括：Cr层；GexTe100‑x层，其中，0＜x＜100；所述Cr层与所述GexTe100‑x层依次交替叠置。本发明的相变薄膜结构在升温过程中能够连续发生两次相变，在升温初期所述GexTe100‑x层由非晶态到多晶态相变，并伴随产生可逆的高阻态与低阻态的转变；继续升温，所述Cr层与所述GexTe100‑x层的界面处生成Cr2Ge2Te6层，即在高温诱导下部分Cr通过界面扩散作用进入所述GexTe100‑x层取代所述GexTe100‑x层中的部分Ge元素，并伴随可逆的低阻态到高阻态的转变；温度继续升高则能够回到高阻态的GexTe100‑x非晶态。

公开(公告)号：CN111244271A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010058952.4

申请日：2020-01-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 赵进 ,  宋文雄 ,  宋志棠

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/35

Abstract: 本申请提供一种相变材料，所述相变材料包括钪(Sc)元素、钽(Ta)元素、锗(Ge)元素、锑(Sb)元素及碲(Te)元素，所述相变材料的化学式为ScxTayGehSbzTeu，其中，x、y、h、z、u均指元素的原子组分，且满足0≤x≤50，0≤y≤50，0≤z≤90，0≤z≤90，0≤u≤90，0＜100-x-y-h-z-u＜100。本申请提供的相变材料可以通过调节Sc、Ta、Ge、Sb、Te元素的含量得到不同电阻率和结晶激活能的存储材料，且该体系相变材料相变前后电阻差值大，具有非常强的可调性，从而根据实际所需提供特定的性能。本发明的ScxTayGehSbzTeu相变材料具有良好的热稳定性，较高的数据保持力，较快的结晶速度。

公开(公告)号：CN109935688A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201910233385.9

申请日：2019-03-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  郑龙 ,  宋三年 ,  任堃 ,  朱敏 ,  宋文雄

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器，相变薄膜结构包括：Cr层；GexTe100-x层，其中，0＜x＜100；所述Cr层与所述GexTe100-x层依次交替叠置。本发明的相变薄膜结构在升温过程中能够连续发生两次相变，在升温初期所述GexTe100-x层由非晶态到多晶态相变，并伴随产生可逆的高阻态与低阻态的转变；继续升温，所述Cr层与所述GexTe100-x层的界面处生成Cr2Ge2Te6层，即在高温诱导下部分Cr通过界面扩散作用进入所述GexTe100-x层取代所述GexTe100-x层中的部分Ge元素，并伴随可逆的低阻态到高阻态的转变；温度继续升高则能够回到高阻态的GexTe100-x非晶态。