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公开(公告)号：CN112687638A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011551795.7
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种立式互联金属陶瓷封装外壳、器件及制备方法，立式互联金属陶瓷封装外壳包括下陶瓷基板、上陶瓷基板、金属墙和盖板；下陶瓷基板上设有第一金属柱，下陶瓷基板的上表面用于生长金属墙；上陶瓷基板上设有第二金属柱，上陶瓷基板的下表面与下陶瓷基板的上表面对称设置；金属墙包括用于芯片侧装的多个第一金属侧墙、以及第二金属侧墙，第一金属侧墙与对应的第二金属侧墙形成一侧面开口的芯片密封腔；盖板包括用于密封芯片密封腔的开口的侧盖板。立式互联金属陶瓷封装器件包括：将封装的芯片焊接在立式互联金属陶瓷封装外壳内的芯片密封腔内，然后焊接盖板。本发明在单个封装内实现了多频收发甚至多频多通道收发。
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公开(公告)号：CN112687637A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011551694.X
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/31 , H01L21/768 , H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供了一种立式金属陶瓷封装外壳、封装器件及制备方法，立式金属陶瓷封装外壳包括：结构对称的下封装外壳和上封装外壳，以及盖板；其中，下封装外壳包括：下陶瓷基板和贯穿下陶瓷基板的上下表面的下金属互联柱；在下陶瓷基板的上表面的第一区域内围设成第一金属侧墙，第二金属侧墙在安装芯片的第一金属侧墙一侧向外延伸设置；第一金属侧墙和第二金属侧墙的端面作为对称面用于下封装外壳与上封装外壳的焊接，盖板用于密封芯片密封腔。立式金属陶瓷封装器件包括：将封装的芯片焊接在立式金属陶瓷封装外壳内的芯片容纳腔内，然后将盖板焊接形成气密的封装器件。本发明在封装外壳内电镀微流道作为散热通道，满足了高频TR模块的封装需要。
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公开(公告)号：CN112687616A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011551749.7
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 本发明适用于微波组件技术领域，提供了一种射频管壳的制备方法及射频管壳，包括：在基板上溅射多层金属得到第一种子层，在第一种子层上第一区域和第二区域上电镀金分别制备金导体层；去除金导体层区域外的第一种子层，在第一区域与第二区域之间制备薄膜电阻，得到第一样品；对第一样品采用第一预设温度烘烤并空气退火，得到第二样品；在第二样品的表面溅射多层金属得到第二种子层，在第二种子层上电镀铜制备铜导体层；在第三区域中的第四区域上再次电镀铜，加高铜导体层；去除铜导体层区域外的第二种子层。本发明完成高精度金导体层制备，从而实现高密度布线，通过制备铜导体层叠加金导体层的叠加结构，防止电迁移，保证器件长期稳定性。
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公开(公告)号：CN112687556A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011554202.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本发明适用于焊盘制备技术领域，提供了一种在基板表面集成BGA焊盘的阻焊制备方法及结构，该方法包括：在基板上溅射多层金属得到种子层，在种子层上电镀金层；在金层上电镀复合金属结构得到焊盘，并刻蚀焊盘形成焊接锡球的阻焊环，得到第一样品；对第一样品进行第一预设温度空气退火，对退火后的第一样品表面的焊盘四周、覆盖阻焊环位置制备有机阻焊环，再次进行第二预设温度烘烤；在焊盘上有机阻焊环范围内焊接焊料球。本发明在基板上溅射电镀金层做基板表面的导体层，可以提高布线密度；本发明实施例采用全加成逐层电镀的方式制备焊盘，尺寸精度高，且通过焊料球将数字电路芯片焊接到射频管壳内的焊盘上，实现高密度集成。
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公开(公告)号：CN111029320A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911155009.9
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/485
Abstract: 本发明公开了一种射频微波电路板及制备方法，射频微波电路板包括基板，设有第一通孔，正面介质层，设置在基板的上表面，正面介质层设有贯穿正面介质层的上表面和下表面的第二通孔和第三通孔，第一通孔内的金属浆料记为第一金属柱，第二通孔内的金属浆料记为第二金属柱；第一芯片设置在基板的上且在第三通孔内，第一芯片的焊盘通过键合线与一个第二金属柱相连；第二芯片设置在正面介质层的上表面，第二芯片的焊盘通过键合线与一个第二金属柱相连；背面介质层，设置在基板背面。本发明通过在基板上设置正面介质层和背面介质层，形成四层电路板结构，芯片既能安装在基板上又能安装在正面介质层上，射频微波电路板布线更方便。
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公开(公告)号：CN111029312A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911155125.0
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/768 , H01L23/367 , H01L23/48 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种气密封装器件及气密封装方法，气密封装器件包括：下封装结构包括第一陶瓷基板，第一陶瓷基板设有第一通孔，第一通孔内的金属记为第一金属柱；第一芯片，设置在第一陶瓷基板上，第一芯片的焊盘与第一金属柱相连；中间封装结构，设置在下封装结构上，包括第二陶瓷基板，第二陶瓷基板设有第二通孔，第二通孔内的金属记为第二金属柱；第二芯片，设置在第二陶瓷基板上，第二芯片的焊盘与第二金属柱相连，连接第二芯片的第二金属柱通过导电结构与第一芯片或所述第一金属柱相连；上封装结构，设置在中间封装结构上。本发明形成垂直的两个封装腔，敏感元件单独存放，避免了二次封装，提高了集成度。
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公开(公告)号：CN111029311A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911155017.3
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/768 , H01L23/367 , H01L23/48 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种气密封装方法及气密封装器件，方法包括：在陶瓷基板上制备通孔；在陶瓷基板的通孔内注入金属浆料，并将金属浆料固化，形成贯穿所述陶瓷基板的上表面和下表面的金属柱；在陶瓷基板的上表面预留金属围框的位置制备金属围框；将待封装的射频芯片安装在陶瓷基板上金属围框的内部，并将待封装的射频芯片的射频线和控制线通过所述陶瓷基板上的金属柱引出；采用焊接的方式将盖板密封在所述金属围框的上表面，形成气密封装器件。本发明在陶瓷基板镭射钻孔后注入金属浆料，然后再将金属浆料固化在金属浆料固化时不会造成通孔的位置发生变化，从而提高了芯片封装的一致性。
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公开(公告)号：CN110943065A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911155712.X
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/495 , H01L23/498 , H01L23/15
Abstract: 本发明公开了一种封装器件及封装方法，封装器件包括：封装外壳，采用陶瓷基板作为封装底板，所述陶瓷基板设有贯穿所述陶瓷基板正面和所述陶瓷基板背面的通孔，所述陶瓷基板的通孔内部填充金属，所述通孔内的金属记为金属柱；芯片，安装在所述封装外壳的内部，所述芯片的焊盘通过键合线与所述陶瓷基板上的金属柱连接；铜导热柱，设在所述陶瓷基板的背面，其中，至少存在预设数量的铜导热柱作为所述封装器件的输入输出引脚与所述金属柱连接。本发明通过在陶瓷基板的背面设置铜导热柱，且设有与金属柱相连的铜导热柱，铜导热柱作为封装器件的输入输出引脚，比传统的表贴型焊盘或焊球的导热率更高，提高了封装器件的散热能力。
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公开(公告)号：CN210956642U
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201922044324.6
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/768 , H01L23/367 , H01L23/48 , H01L25/18
Abstract: 本实用新型公开了一种气密封装器件，气密封装器件包括：下封装结构包括第一陶瓷基板，第一陶瓷基板设有第一通孔，第一通孔内的金属记为第一金属柱；第一芯片，设置在第一陶瓷基板上，第一芯片的焊盘与第一金属柱相连；中间封装结构，设置在下封装结构上，包括第二陶瓷基板，第二陶瓷基板设有第二通孔，第二通孔内的金属记为第二金属柱；第二芯片，设置在第二陶瓷基板上，第二芯片的焊盘与第二金属柱相连，连接第二芯片的第二金属柱通过导电结构与第一芯片或所述第一金属柱相连；上封装结构，设置在中间封装结构上。本实用新型形成垂直的两个封装腔，民管元件单独存放，避免了二次封装，提高了集成度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210956664U
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201922041673.2
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/495 , H01L23/498 , H01L23/15
Abstract: 本实用新型公开了一种封装器件，包括：封装外壳，采用陶瓷基板作为封装底板，所述陶瓷基板设有贯穿所述陶瓷基板正面和所述陶瓷基板背面的通孔，所述陶瓷基板的通孔内部填充金属，所述通孔内的金属记为金属柱；芯片，安装在所述封装外壳的内部，所述芯片的焊盘通过键合线与所述陶瓷基板上的金属柱连接；铜导热柱，设在所述陶瓷基板的背面，其中，至少存在预设数量的铜导热柱作为所述封装器件的输入输出引脚与所述金属柱连接。本实用新型通过在陶瓷基板的背面设置铜导热柱，且设有与金属柱相连的铜导热柱，铜导热柱作为封装器件的输入输出引脚，比传统的表贴型焊盘或焊球的导热率更高，提高了封装器件的散热能力。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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