公开(公告)号：CN101542016B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200880000148.8

申请日：2008-02-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五味淳 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  原正道 ,  横山敦 ,  多贺敏

IPC: C23C16/16

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明涉及一种成膜方法，其通过向被处理基板的表面上供给羰基金属原料的气相分子，在所述被处理基板表面附近使其分解，而在所述被处理基板的表面上堆积金属膜，设置有在所述被处理基板表面堆积金属层时，使与所述被处理基板外周部分邻接的区域中的所述羰基金属原料优先分解的工序，使得在所述被处理基板外周部附近的气氛中CO浓度局部增大，抑制金属膜在所述外周部的堆积。

公开(公告)号：CN102077325A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980124821.3

申请日：2009-07-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本贤治 ,  水泽宁

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/14 ,  C23C16/18 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，是在可抽真空的处理容器内对在表面具有凹部的被处理体的表面实施成膜处理的成膜方法，其特征在于，包括：使用含过渡金属原料气体通过热处理形成含过渡金属膜的含过渡金属膜形成工序；和形成包含元素周期表的VIII族的元素的金属膜的金属膜形成工序。

公开(公告)号：CN101689490A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880022486.1

申请日：2008-06-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  若林哲 ,  成嶋健索 ,  波多野达夫 ,  水泽宁 ,  横山敦 ,  佐久间隆

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/14 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C14/18 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和处理系统。该成膜方法在被处理体(W)上形成薄膜，该被处理体(W)在表面形成有具有凹部(6)的绝缘层(4)。该成膜方法依次实施如下的工序：阻挡层形成工序，在包括凹部内的表面的被处理体的表面形成含有Ti的阻挡层(12)；种子层形成工序，利用CVD，在阻挡层上形成含有Ru的种子层(16)；和辅助种子层形成工序，利用溅射，在种子层上形成含有Cu的辅助种子层(164)。由此，能够在被处理体的整个面上，对线宽或孔径小的凹部或者高深宽比的凹部进行充分的埋入。

公开(公告)号：CN101410952A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780004018.7

申请日：2007-01-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐久间隆 ,  池田太郎 ,  横山敦 ,  松田司 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明提供一种种膜的成膜方法、等离子体成膜装置和存储介质，该种膜的成膜方法能够不产生悬突部分地形成种膜。该种膜以下述方式形成：在能够抽真空的处理容器(24)内利用等离子体使金属靶(70)离子化而产生金属离子，利用偏压电力将金属离子引向载置在处理容器内的载置台(34)上的表面具有凹部(4)的被处理体，在包括凹部内的被处理体的表面上形成金属膜，由此形成电镀用的种膜，该成膜方法的特征在于，交替地多次重复进行下述工序：将偏压电力设定为在被处理体的表面上一度形成的金属膜不会被溅射的大小，并形成金属膜的成膜工序；和不产生金属离子，中止金属膜的形成的中止工序。

公开(公告)号：CN101213642A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200680023575.9

申请日：2006-06-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  横山敦 ,  佐久间隆

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3471 ,  H01J37/321 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844

Abstract: 本发明是金属膜的薄膜沉积方法，包括以下步骤：将表面上形成有凹部的被处理的物体放置在处理容器中的载置台上；抽空处理容器以在其中产生真空；借助于从惰性气体生成等离子体而形成的等离子体，在抽空的处理容器中将金属靶离子化，以产生包括金属离子的金属粒子；通过对放置在载置台上的被处理的物体施加偏压电功率，将等离子体和金属粒子吸向被处理的物体，刮削凹部的底部以形成刮削凹部，并在包括凹部内和刮削凹部内的表面在内的被处理的物体的整个表面上沉积金属膜。

公开(公告)号：CN101205605A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200610168334.5

申请日：2006-12-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 李一成 ,  石坂忠大 ,  山本薰 ,  五味淳 ,  原正道 ,  藤里敏章 ,  雅克·法盖特 ,  水泽宁

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/513 ,  C23C16/52 ,  C23C16/06 ,  C23C16/22

Abstract: 本发明公开了在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质以及系统：将衬底布置在处理系统的处理空间中，处理空间与处理系统的传递空间真空隔离；在处理空间中的第一位置或第二位置对衬底进行处理，同时保持与传递空间的真空隔离；在第一位置或第二位置在所述衬底上沉积材料。同样，该系统包括第一组件，第一组件设置有便于材料沉积的处理空间；第二组件，连接到第一组件并具有便于将衬底传递进出沉积系统的传递空间；衬底载台，连接到第二组件并设置为支撑衬底以及将衬底在传递空间中的第一位置到处理空间中的第二位置之间进行平移。该系统包括密封组件，密封组件设置为在衬底在处理空间中平移的过程中阻挡气体在处理空间与传递空间之间的流动。

公开(公告)号：CN101044258A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200580035895.1

申请日：2005-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  铃木健二 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C23C14/06 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/2855 ,  C23C14/046 ,  C23C14/3471 ,  H01J37/34 ,  H01J2237/3327 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明涉及利用等离子体溅射在半导体晶片(S)的上面和在上面开口的凹部的表面形成金属薄膜的技术。本发明的成膜方法的特征在于：利用放电气体的等离子体在处理容器(14)内溅射金属靶(56)而产生金属离子，同时，对载置台(20)施加偏置电力，其中，该电力的大小使在处理体(S)上面通过金属离子的引入进行的金属膜的沉积和通过放电气体的等离子体进行的溅射蚀刻同时发生。