公开(公告)号：CN109979815B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201811610534.0

申请日：2018-12-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 浅田泰生 ,  折居武彦 ,  入江伸次 ,  高桥信博 ,  萩原彩乃 ,  山口达也

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。在向沿着横向按照含硅膜、多孔质膜、非蚀刻对象膜的顺序相邻地设置有含硅膜、多孔质膜、非蚀刻对象膜的基板供给蚀刻气体而将含硅膜去除时，防止非蚀刻对象膜的蚀刻。实施如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，供给成膜气体(21、22)，在多孔质膜(15)的孔部(16)成膜穿过防止膜(23)，该穿过防止膜(23)用于防止对含硅膜(14)进行蚀刻的蚀刻气体(24)穿过该孔部(16)而向非蚀刻对象膜(11)供给；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，在形成有穿过防止膜(23)的状态下，供给蚀刻气体(24)而对含硅膜(14)进行蚀刻。

公开(公告)号：CN110504165A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910375455.4

申请日：2019-05-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 折居武彦 ,  浅田泰生 ,  林军 ,  萩原彩乃 ,  入江伸次 ,  田内启士 ,  和田翔

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质及含硅膜的蚀刻装置。本发明的课题在于，在对基板上的含硅膜进行蚀刻时，减小蚀刻后的含硅膜的表面粗糙度；和/或，在对具有形成有孔以使蚀刻对象部分露出的图案的基板上的含硅膜进行蚀刻时，使孔的内部的蚀刻后的含硅膜的表面平坦。本蚀刻装置是对基板上的含硅膜进行蚀刻的装置，其具备如下给气部(12)：对上述含硅膜供给至少包含F2气的第一含氟气体和至少包含ClF3气体、IF7气体、IF5气体或SF6气体的第二含氟气体两者。

公开(公告)号：CN110462794A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880020478.7

申请日：2018-02-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 土桥和也 ,  折居武彦 ,  斋藤幸正 ,  小池国彦 ,  妹尾武彦 ,  泉浩一 ,  吉野裕 ,  荘所正 ,  兼平圭太

IPC: H01L21/304

Abstract: 向基板(S)照射气体团簇来对基板(S)进行规定的处理的气体团簇处理装置(100)具备：处理容器(1)；气体供给部(13)，其供给用于生成气体团簇的气体；质量流量控制器(14)，其控制从气体供给部(13)供给的气体的流量；团簇喷嘴(11)，其以规定的供给压力供给用于生成气体团簇的气体，将该气体喷出至被保持真空的处理容器内来通过绝热膨胀使该气体团簇化；以及压力控制部(15)，其设置于质量流量控制器(14)与团簇喷嘴(11)的之间的配管(12)，并且具有对用于生成气体团簇的气体的供给压力进行控制的背压控制器(17)。

公开(公告)号：CN109979815A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811610534.0

申请日：2018-12-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 浅田泰生 ,  折居武彦 ,  入江伸次 ,  高桥信博 ,  萩原彩乃 ,  山口达也

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。在向沿着横向按照含硅膜、多孔质膜、非蚀刻对象膜的顺序相邻地设置有含硅膜、多孔质膜、非蚀刻对象膜的基板供给蚀刻气体而将含硅膜去除时，防止非蚀刻对象膜的蚀刻。实施如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，供给成膜气体(21、22)，在多孔质膜(15)的孔部(16)成膜穿过防止膜(23)，该穿过防止膜(23)用于防止对含硅膜(14)进行蚀刻的蚀刻气体(24)穿过该孔部(16)而向非蚀刻对象膜(11)供给；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，在形成有穿过防止膜(23)的状态下，供给蚀刻气体(24)而对含硅膜(14)进行蚀刻。

公开(公告)号：CN104637784A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410641257.5

申请日：2014-11-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 相原明德 ,  田中晓 ,  金子都 ,  田内启士 ,  折居武彦 ,  菅野至

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/0206 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统。不给基板的表面带来影响就能够去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后，在溶解处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。

公开(公告)号：CN104425318A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410431101.4

申请日：2014-08-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 金子都 ,  折居武彦 ,  菅野至

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/67155

Abstract: 本发明提供能够提高生产率的基板处理方法和基板处理装置。一技术方案的基板处理方法包括以下工序：处理液供给工序，在该处理液供给工序中，对进行了在处理后需要气氛管理或时间管理的前处理的基板供给含有挥发成分的、用于在基板上形成膜的处理液；以及收纳工序，在该收纳工序中，将因上述挥发成分挥发而使上述处理液固化或硬化后的基板收纳于输送容器。

公开(公告)号：CN103567169A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310334657.7

申请日：2013-08-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 金子都 ,  折居武彦 ,  志村悟 ,  山下刚秀 ,  菅野至

IPC: B08B3/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0206 ,  B08B3/08 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/68728

Abstract: 本发明提供基板清洗装置、基板清洗系统以及基板清洗方法。在抑制图案塌陷、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除。实施方式的基板清洗装置包括第1液供给部和第2液供给部。第1液供给部用于向基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在基板上形成膜。第2液供给部用于对被第1液供给部供给到基板上的、因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化了的处理液供给用于将处理液全部去除的去除液。

公开(公告)号：CN100517603C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200610164648.8

申请日：2006-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤井康 ,  户岛孝之 ,  折居武彦

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31058 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

Abstract: 一种基板处理方法，包括：对基板上形成的被蚀刻膜进行蚀刻处理形成预定图案；使完成蚀刻处理后残余的物质变性为对于预定液体是可溶的；接着对形成有图案的被蚀刻膜的表面进行甲硅烷基化处理；然后提供预定液体溶解除去经过变性的物质。

公开(公告)号：CN100423205C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200480033944.3

申请日：2004-11-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 难波宏光 ,  薮田贵士 ,  折居武彦

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  B08B3/02

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/02 ,  G02F2001/1316 ,  G11B23/505 ,  H01L21/67034

Abstract: 边使晶片(W)大致呈水平姿态以既定转速旋转边向其表面以既定流量供给纯水，对晶片(W)进行冲洗处理，之后，减少对晶片(W)的纯水供给流量并使纯水供给点从晶片(W)的中心向外侧移动。由此，边在纯水供给点的大致外侧形成液膜边对晶片(W)进行自旋干燥处理。

公开(公告)号：CN1953145A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610164648.8

申请日：2006-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤井康 ,  户岛孝之 ,  折居武彦

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31058 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

Abstract: 一种基板处理方法，包括：对基板上形成的被蚀刻膜进行蚀刻处理形成预定图案；使完成蚀刻处理后残余的物质变性为对于预定液体是可溶的；接着对形成有图案的被蚀刻膜的表面进行甲硅烷基化处理；然后提供预定液体溶解除去经过变性的物质。