公开(公告)号：CN104112741B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201410150407.2

申请日：2014-04-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·贝尔 ,  D·迈尔 ,  G·梅茨格-布吕克尔 ,  R·洛伊施纳

IPC: H01L27/02

CPC classification number: G06F17/5077 ,  G06F17/5081

Abstract: 通过测量在第一衬底上制造的无源部件的电感或电容值，存储无源部件和无源部件各自的测定值之间的个体关联，并且基于无源部件和无源部件各自的测定值之间的个体关联为无源部件确定电连接，来调整电学电路的电容或电感。相应的系统包括：测试器，可操作为测量在第一衬底上制造的无源部件的电感或电容值；存储系统，可操作为存储无源部件和无源部件各自的测定值之间的个体关联；和处理电路，可操作为基于无源部件和无源部件各自的测定值之间的个体关联为无源部件确定电连接。

公开(公告)号：CN105810595A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610042137.2

申请日：2016-01-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·鲍尔 ,  H·德普克 ,  D·迈尔 ,  G·迈尔-贝格 ,  D·波尔沃尔 ,  T·施密特 ,  C·冯韦希特尔

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B32B37/26 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/562 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H05K3/007 ,  Y10S156/93 ,  Y10S156/941 ,  H01L21/50 ,  H01L21/7813

Abstract: 一种用于处理产品衬底的方法包括将承载体粘结至产品衬底。将永久性粘合剂的层施加到承载体的表面上。提供结构化的中间层。所施加的永久性粘合剂将承载体粘结至产品衬底。结构化的中间层布置在产品衬底与承载体之间。结构化的中间层的表面和永久性粘合剂的表面与产品衬底的表面直接接触。结构化的中间层减小产品衬底与承载体之间的粘合强度。

公开(公告)号：CN104008980A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410060022.7

申请日：2014-02-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·贝尔 ,  T·基尔格 ,  D·迈尔 ,  U·瓦赫特

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L25/50 ,  H01L27/04 ,  H01L28/00 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开的实施例涉及多个半导体芯片，每个半导体芯片包括第一主面和与第一主面相对的第二主面。第一包封层被施加在半导体芯片的第二主面之上。电布线层施加在第一半导体芯片的第一主面之上。第二包封层施加在电布线层之上。减小第一包封层的厚度和第一半导体芯片的厚度。可以对结构进行单片化以获得多个半导体器件。

公开(公告)号：CN107867672B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN201710867433.0

申请日：2017-09-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·马勒 ,  D·迈尔 ,  D·波尔沃尔 ,  A·西格尔

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种用于制作电子器件的方法包括：提供半导体晶片；在所述半导体晶片中形成多个空腔；将稳定化材料填充到所述空腔中；通过将盖片施加在所述半导体晶片上来制作临时面板，所述盖片覆盖所述空腔；将所述临时面板单个化地分割成多个半导体器件；通过将所述半导体器件嵌入包封材料中来制作嵌入式晶片；将每一个半导体器件的所述盖片去除；以及将所述嵌入式晶片单个化地分割成多个电子器件。

公开(公告)号：CN112938891A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202011346803.4

申请日：2020-11-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 祁思源 ,  J·埃德尔 ,  C·格拉策 ,  D·迈尔 ,  M·帕维尔

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00

Abstract: 本公开涉及一种用于光声传感器的发射器封装件(100)。该发射器封装包括用于发射第一波长范围内的脉冲红外辐射的MEMS红外辐射源(11)。MEMS红外辐射源(11)可以布置在基底(10)上。发射器封装件(100)可以进一步包括刚性壁结构(12)，该刚性壁结构布置在基底(10)上并且侧向围绕MEMS红外辐射源(11)的外周。发射器封装件(100)可以进一步包括附接到刚性壁结构(12)的盖结构(13)，盖结构(13)包括滤波器结构(14)，用于对从MEMS红外辐射源(11)射出的红外辐射进行滤波，并用于提供减小的第二波长范围内的经滤波的红外辐射。

公开(公告)号：CN104008980B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201410060022.7

申请日：2014-02-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·贝尔 ,  T·基尔格 ,  D·迈尔 ,  U·瓦赫特

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L25/50 ,  H01L27/04 ,  H01L28/00 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开的实施例涉及多个半导体芯片，每个半导体芯片包括第一主面和与第一主面相对的第二主面。第一包封层被施加在半导体芯片的第二主面之上。电布线层施加在第一半导体芯片的第一主面之上。第二包封层施加在电布线层之上。减小第一包封层的厚度和第一半导体芯片的厚度。可以对结构进行单片化以获得多个半导体器件。

公开(公告)号：CN106082110B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201610244599.2

申请日：2016-04-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·德厄 ,  T·基尔格 ,  D·迈尔 ,  M·梅纳特 ,  F·X·米尔鲍尔 ,  D·波尔沃尔 ,  J·瓦格纳

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00896 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0194 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明提出了一种制造芯片封装体的方法。在第一晶片上提供多个芯片。每个芯片都包括通向所述芯片的第一主表面的腔。所述腔被临时地填充或盖住。然后所述芯片被单片化。将单片化的芯片嵌设到封装材料中。然后重新暴露所述腔。