公开(公告)号：CN102956619A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210308191.9

申请日：2012-08-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 宇野友彰 ,  女屋佳隆 ,  加藤浩一 ,  工藤良太郎 ,  七种耕治

IPC: H01L23/544 ,  H01L25/07 ,  H02M1/08

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823487 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/73 ,  H01L25/074 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H02M1/32 ,  H02M3/156 ,  H02M2001/0009 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件。在可靠性上改进一种半导体器件。在一个半导体芯片中形成用于切换的功率MOSFET以及面积比功率MOSFET更小的、用于感测功率MOSFET中流动的电流的感测MOSFET。在芯片装配部分之上装配并且在树脂中密封半导体芯片。金属板键合到用于输出功率MOSFET中流动的电流的第一源极焊盘和第二源极焊盘。用于感测功率MOSFET的源极电压的第三源极焊盘在未与金属板重叠的位置。在形成第三焊盘的源极接线与形成第一焊盘和第二焊盘的另一源极接线之间的耦合部分在与金属板重叠的位置。

公开(公告)号：CN103681389B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201310439966.0

申请日：2013-09-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 舩津胜彦 ,  宇野友彰 ,  植栗徹 ,  佐藤幸弘

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/58 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/4835 ,  H01L21/4839 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/34 ,  H01L24/36 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/18 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的目的是提高将带施加于基板的后表面时的可靠性，同时确保施加于基板的后表面的带的耐热性。在设置于支撑部件内的沟道的底表面与驱动器IC芯片的上表面之间存在间隙。另一方面，引线框的上表面侧由支撑部件支撑，使得沟道的底表面接触安装于低MOS芯片之上的低MOS夹片的上表面。因而，即使在驱动器IC芯片和低MOS芯片被安装于引线框的上表面侧之上的状态下，带也能够被可靠地施加于引线框的后表面，特别地，施加于产品区的后表面。

公开(公告)号：CN103681369B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310439846.0

申请日：2013-09-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 舩津胜彦 ,  宇野友彰 ,  植栗徹 ,  高桥靖司

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/38 ,  H01L24/40 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。一种通过确保半导体芯片和金属板之间的导电性材料的厚度，便可提高半导体芯片和金属板之间连接可靠性的制造方法。在夹具PED上配置引线框LF1，且在设置于夹具PED的突起部PJU上配置夹框CLF。在此状态下进行加热处理（回流焊接）。此时，将在High－MOS芯片CHP(H)和High－MOS夹板CLP(H)之间形成第1空间，且在Low－MOS芯片CHP(L)和Low－MOS夹板CLP(L)之间形成有第1空间的状态下，使填埋在所述第1空间内的高熔点焊锡HS2熔化。此时，即使在高熔点焊锡HS2熔化的状态下，所述第1空间的尺寸（尤其是高度）也保持不变。

公开(公告)号：CN102447388B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201110305102.0

申请日：2011-09-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 工藤良太郎 ,  宇野友彰 ,  立野孝治 ,  石井秀雄 ,  梅津和之 ,  七种耕治

IPC: H02M3/157 ,  H02M3/158

CPC classification number: H02M3/158 ,  G06F1/26 ,  H02M3/1584 ,  H02M2003/1586

Abstract: 本发明涉及电源装置。可以实现多相型电源装置的微型化。电源控制单元、多个装有PWM的驱动单元、以及多个电感器配置多相电源，在电源控制单元中，例如，微控制器单元、存储器单元和模拟控制器单元形成在单个芯片上。微控制器单元将每一个都具有基于存储器单元上的程序定义的频率和相位的时钟信号和相位输出到各个装有PWM的驱动电路。模拟控制器单元检测负载的电压值与经由串行接口获得的目标电压值之间的差值，并从串行接口输出误差放大信号。通过使用时钟信号和误差放大信号的峰值电流控制体系，装有PWM驱动单元的每一个驱动每一个电感器。

公开(公告)号：CN104659016A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410422025.0

申请日：2014-08-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松井孝二郎 ,  阪本雄彦 ,  梅津和之 ,  宇野友彰

IPC: H01L23/528

Abstract: 本发明涉及半导体器件。提高半导体器件的性能。在半导体衬底(SB)的主面的LDMOSFET形成区域(LR)形成有相互并联连接而构成功率MISFET的多个单位MISFET元件。在半导体衬底(SB)的主面的驱动电路区域(DR)还形成有控制功率MISFET的栅极电压的控制电路。在半导体衬底(SB)上还形成有具有由同种金属材料构成的多个布线层的布线结构。形成于LDMOSFET形成区域(LR)的多个单位MISFET元件的栅电极(GE)彼此之间经由极布线(M1G、M2G、M3G)而相互电连接，所述极布线分别形成在由同种金属材料构成的多个布线层的全部布线层上。

公开(公告)号：CN101488496B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200910004386.2

申请日：2004-05-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 白石正树 ,  岩崎贵之 ,  松浦伸悌 ,  宇野友彰

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H02M3/00

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/495 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49112 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路。功率MOS-FET被用作非绝缘DC/DC变换器中的高端开关晶体管。用作功率MOS-FET源极端子的电极区分别通过连结导线连接到一个外部引线和两个外部引线。所述一个外部引线是连接到用于驱动栅极的通路上的外部端子。所述两个外部引线中的每一个是连接到主电流通路的外部端子。由于以分立的形式连接主电流通路和栅极驱动通路，因此可以减小寄生电感的影响，并提高电压变换效率。

公开(公告)号：CN101582415B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200910142454.1

申请日：2005-02-16

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 佐藤幸弘 ,  宇野友彰 ,  松浦伸悌 ,  白石正树

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/49 ,  H01L23/495 ,  H02M3/10

CPC classification number: H01L23/5386 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/50 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L25/165 ,  H01L29/4175 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H02M3/1588 ,  H05K7/02 ,  Y02B70/1466 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20754

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括这样一个电路的非绝缘型DC-DC转换器，在该电路中用于高压侧开关的功率MOS·FET和用于低压侧开关的功率MOS·FET串联连接。在非绝缘型DC-DC转换器中，用于高压侧开关的功率晶体管、用于低压侧开关的功率晶体管和驱动这些功率晶体管的驱动电路分别由不同的半导体芯片构成。这三个半导体芯片被容纳在一个封装中，并且包括用于高压侧开关的功率晶体管的半导体芯片和包括驱动电路的半导体芯片被彼此邻近地布置。

公开(公告)号：CN204204847U

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201420482097.X

申请日：2014-08-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松井孝二郎 ,  阪本雄彦 ,  梅津和之 ,  宇野友彰

IPC: H01L23/528

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7835 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19105 ,  H03K17/687 ,  H01L2924/00

Abstract: 本实用新型涉及半导体器件。提高半导体器件的性能。在半导体衬底(SB)的主面的LDMOSFET形成区域(LR)形成有相互并联连接而构成功率MISFET的多个单位MISFET元件。在半导体衬底(SB)的主面的驱动电路区域(DR)还形成有控制功率MISFET的栅极电压的控制电路。在半导体衬底(SB)上还形成有具有由同种金属材料构成的多个布线层的布线结构。形成于LDMOSFET形成区域(LR)的多个单位MISFET元件的栅电极(GE)彼此之间经由极布线(M1G、M2G、M3G)而相互电连接，所述极布线分别形成在由同种金属材料构成的多个布线层的全部布线层上。