公开(公告)号：CN108369897A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680072766.8

申请日：2016-12-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  K·陈 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L23/53266 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76876 ,  H01L31/18

Abstract: 用于沉积金属膜的方法，包括：在基板上形成非晶硅层以作为成核层和/或胶黏层。一些实施例进一步包括并入胶黏层，以增加非晶硅层与金属层黏着到该基板的能力。

公开(公告)号：CN102414793A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080019306.1

申请日：2010-03-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Z·刘 ,  R·王 ,  X·唐 ,  S·冈迪科塔 ,  T-J·龚 ,  M·M·拉希德

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3407 ,  H01J37/342 ,  H01J37/3423

Abstract: 本文公开靶材组件及包括靶材组件的PVD腔室。靶材组件包括具有凹面外形的靶材。当用于PVD腔室中时，凹面靶材在配置于溅射腔室中的基板上提供径向更均匀的沉积。

公开(公告)号：CN112889128B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201980069906.X

申请日：2019-11-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·冈迪科塔 ,  T-J·龚 ,  S·E·戈特海姆 ,  T·J·富兰克林 ,  P·曼纳 ,  E·文卡塔苏布磊曼聂 ,  E·海伍德 ,  S·C·加纳

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/505

Abstract: 本文描述的实施例关于磁性和电磁系统以及用于控制PECVD腔室的处理空间中产生的等离子体的密度分布以影响膜的沉积分布的方法。在一个实施例中，多个固定架设置在磁性壳体系统的旋转磁性壳体中。所述多个固定架中的每个固定架设置在所述旋转磁性壳体中，每个固定架之间的距离为d。所述多个固定架具有可移除地设置在其中的多个磁铁。当旋转磁性壳体绕圆形中心开口旋转时，所述多个磁铁经配置在圆环形路径中行进。

公开(公告)号：CN110622280B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN201880030287.9

申请日：2018-05-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： E·文卡塔苏布磊曼聂 ,  S·E·戈特海姆 ,  杨扬 ,  P·曼纳 ,  K·拉马斯瓦米 ,  T·越泽 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  G03F7/20 ,  H01L21/033 ,  H01L21/683

Abstract: 本公开的实施方式大体涉及集成电路的制造。更具体地，本文中描述的实施方式提供用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施方式中，提供一种处理基板的方法。该方法包括使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，该处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板。该基板维持在介于约0.5毫托与约10托之间的压力下。该方法还包括通过将第一RF偏压施加于该静电吸盘，在基板层级产生等离子体，以在

公开(公告)号：CN111052346B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN201880055895.5

申请日：2018-08-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·罗伊 ,  P·古帕拉加 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/304

Abstract: 描述了形成自对准高深宽比特征的处理方法。所述方法包括在结构化基板上沉积金属膜、容积地扩张所述金属膜、在所扩张的柱体之间沉积第二膜、与可选地使所述柱体凹陷以及重复此处理以形成高深宽比结构。

公开(公告)号：CN111194361B

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN201880064867.X

申请日：2018-10-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  陈一宏 ,  巫勇 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/02 ,  C23C16/08

Abstract: 用于在掺杂的非晶硅层上沉积金属膜作为衬底上的成核层和/或胶层的方法。一些实施方式还包括结合胶层以增加所述掺杂的非晶硅层和金属层粘附到所述衬底的能力。

公开(公告)号：CN108369897B

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN201680072766.8

申请日：2016-12-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  K·陈 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/02

Abstract: 用于沉积金属膜的方法，包括：在基板上形成非晶硅层以作为成核层和/或胶黏层。一些实施例进一步包括并入胶黏层，以增加非晶硅层与金属层黏着到该基板的能力。

公开(公告)号：CN111699549A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201980012399.6

申请日：2019-01-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  程睿 ,  P·曼纳 ,  A·B·玛里克 ,  江施施 ,  巫勇 ,  K·莱斯彻基什 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本公开的各方面包括处理基板的方法。所述方法包括将共形层沉积在包含接缝的基板上。在存在氧化剂时使用高压退火来处理所述基板。

公开(公告)号：CN108140562A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680060335.X

申请日：2016-10-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  程睿 ,  P·曼纳 ,  K·陈 ,  K·杰纳基拉曼 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/04 ,  C23C16/045 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/4584

Abstract: 用于沉积膜的方法，包括将基材表面循环暴露至前体与除气环境，以移除从膜释出的气体。一些实施例进一步包括：并入毒化特征的顶部，以抑制特征的顶部处的膜生长。一些实施例进一步包括：在循环之间蚀刻在特征的顶部沉积的该膜的一部分，以增加间隙填充均匀度。

公开(公告)号：CN107949918A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201680050010.3

申请日：2016-08-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔 ,  P·曼纳

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/324 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L21/2254 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/324 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803

Abstract: 本文中所述的实施方式总体涉及对基板上的三维(3D)结构的掺杂。在一个实施方式中，保形的含掺杂物膜可沉积在3D结构上方。可结合在膜中的合适的掺杂物可以包括硼、磷、和其他合适的掺杂物。随后可使膜退火以将掺杂物扩散至3D结构中。