公开(公告)号：CN102017122B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200980115595.2

申请日：2009-04-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·M·拉希德 ,  T·伊瓦施塔 ,  H·欧塔克 ,  Y·科加 ,  K·梅哈拉 ,  X·陈 ,  S·贡德哈利卡 ,  D·卢博米尔斯基

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687

CPC classification number: C23C16/4585 ,  C23C16/4581 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/68735

Abstract: 在此提供一种工艺套组的实施方式，所述工艺套组可用在一半导体基材工艺腔室的基材支撑件上。在某些实施例中，此一用于半导体工艺腔室的工艺套组可包括一环形主体，所述环形主体大致水平，并且所述环形主体具有一内侧边缘与一外侧边缘以及一上表面与一下表面；一内凸缘，所述内凸缘配置于所述内侧边缘附近，且所述内凸缘由所述上表面垂直向上延伸；以及一外凸缘，所述外凸缘配置于所述外侧边缘附近，且所述外凸缘位于所述下表面上，且所述外凸缘具有一形状，所述形状与一基材支撑座表面相符。在某些实施例中，用于半导体工艺腔室的工艺套组可包括一环形主体，所述环形主体具有一内侧边缘与一外侧边缘以及一上表面与一下表面，所述上表面是由所述内侧边缘向所述外侧边缘以径向朝外且往下约5-65度的方式配置。

公开(公告)号：CN102414793A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080019306.1

申请日：2010-03-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Z·刘 ,  R·王 ,  X·唐 ,  S·冈迪科塔 ,  T-J·龚 ,  M·M·拉希德

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3407 ,  H01J37/342 ,  H01J37/3423

Abstract: 本文公开靶材组件及包括靶材组件的PVD腔室。靶材组件包括具有凹面外形的靶材。当用于PVD腔室中时，凹面靶材在配置于溅射腔室中的基板上提供径向更均匀的沉积。

公开(公告)号：CN105513952A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610123696.6

申请日：2010-03-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Z·刘 ,  R·王 ,  X·唐 ,  S·冈迪科塔 ,  T-J·龚 ,  M·M·拉希德

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3407 ,  H01J37/342 ,  H01J37/3423 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 本申请公开了用于PVD腔室的溅射靶材。本文公开靶材组件及包括靶材组件的PVD腔室。靶材组件包括具有凹面外形的靶材。当用于PVD腔室中时，凹面靶材在配置于溅射腔室中的基板上提供径向更均匀的沉积。