公开(公告)号：CN119365960A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202380045601.1

申请日：2023-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·高希 ,  S·S·罗伊 ,  A·B·玛里克 ,  S·S·奥哈 ,  P·P·杰哈 ,  程睿

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32

Abstract: 示例性半导体处理方法可包括以下步骤：将含碳前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。基板可被设置在半导体处理腔室的处理区域内。基板可限定沿着基板的一个或多个特征。所述方法可包括以下步骤：在处理区域内形成含碳前驱物的等离子体。所述方法可包括以下步骤：将含碳材料沉积到基板上。含碳材料可在沿着基板的一个或多个特征内延伸。所述方法可包括以下步骤：在半导体处理腔室的处理区域内形成含氢前驱物的等离子体。所述方法可包括以下步骤：用含氢前驱物的等离子体流出物处理含碳材料。含氢前驱物的等离子体流出物可导致含碳材料的一部分被从基板去除。

公开(公告)号：CN116802772A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202280011650.9

申请日：2022-01-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·C·李 ,  P·P·杰哈 ,  梁璟梅 ,  郭津睿 ,  李文慧

IPC: H01L21/02

Abstract: 公开了一种沉积含硅材料的方法。本公开的一些实施例提供填充窄CD特征而没有接缝或空隙的膜。本公开的一些实施例提供在具有更宽CD的特征上保形地形成的膜。本公开的实施例还提供具有低粗糙度、低缺陷和有利地低沉积速率的优质膜。

公开(公告)号：CN114787999A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202080084805.2

申请日：2020-11-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·P·杰哈 ,  S·S·奥哈 ,  梁璟梅 ,  A·B·玛里克 ,  S·文卡特拉曼

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556

Abstract: 形成半导体结构的示例性方法可包括形成覆盖半导体基板的第一氧化硅层。此方法可包括形成覆盖第一氧化硅层的第一硅层。此方法可包括形成覆盖第一硅层的氮化硅层。此方法可包括形成覆盖氮化硅层的第二硅层。此方法可包括形成覆盖第二硅层的第二氧化硅层。此方法可包括移除氮化硅层。此方法可包括移除第一硅层和第二硅层。此方法可包括形成在第一氧化硅层和第二氧化硅层中的每一者之间并接触第一氧化硅层和第二氧化硅层中的每一者的金属层。

公开(公告)号：CN111684566A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201980010113.0

申请日：2019-01-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 郭津睿 ,  梁璟梅 ,  P·P·杰哈 ,  T·阿肖克 ,  T-J·龚

IPC: H01L21/02

Abstract: 本文的实施例提供使用可流动化学气相沉积(FCVD)工艺沉积的氮化硅层的基于自由基的处理。该FCVD沉积的氮化硅层的基于自由基的处理期望地增加层中稳定的Si-N键的数目，从该层移除不期望的氢杂质，且期望地提供所得的氮化硅层中的进一步交联、致密化、及氮化(氮的并入)。在一个实施例中，形成氮化硅层的方法包括：将基板定位在基板支撑件上，该基板支撑件设置在处理腔室的处理容积中；以及处理沉积在该基板上的氮化硅层。处理该氮化硅层包括：使第一气体的一种或多种自由基物质流动，该第一气体包括NH3、N2、H2、Ar、He、或前述气体的组合；以及将氮化硅层暴露于该自由基物质。

公开(公告)号：CN110622298A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201880031479.1

申请日：2018-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁璟梅 ,  Y·孙 ,  郭津睿 ,  P·P·杰哈 ,  J·C·李 ,  T-J·龚 ,  M·斯利尼瓦萨恩

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本文公开的实施方式关于在基板中形成沟槽和以可流动介电材料填充沟槽的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：使具有至少一个沟槽的基板经历沉积处理，以自下而上的方式在所述沟槽的底表面和侧壁表面上形成可流动层，直到所述可流动层达到预定的沉积厚度为止；使所述可流动层经历第一固化处理，所述第一固化处理是UV固化处理；使经UV固化的可流动层经历第二固化处理，所述第二固化处理是等离子体处理或等离子体辅助处理；以及依序地且重复地执行所述沉积处理、所述第一固化处理和所述第二固化处理，直到经等离子体固化的可流动层填充沟槽并在所述沟槽的顶表面上达到预定高度为止。

公开(公告)号：CN107075671B

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201580053158.8

申请日：2015-09-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·K·库尔施拉希萨 ,  S·拉斯 ,  P·P·杰哈 ,  S·巴苏 ,  K·D·李 ,  M·J·西蒙斯 ,  金柏涵 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  Z·段 ,  荆雷 ,  M·B·潘迪特

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  H01L21/66

Abstract: 一种调节一个或多个图案化膜的局部应力与覆盖误差的方法可包括调节引入腔室主体的气体的气体流动轮廓、使腔室主体内的气体流向基板、旋转基板，及通过利用双区加热器控制基板温度来统一基板的中心至边缘温度轮廓。用于沉积膜的腔室可包括包含一个或多个处理区的腔室主体。腔室主体可包括气体分配组件，气体分配组件具有挡板以用于输送气体至一个或多个处理区。挡板具有第一区域与第二区域，第一区域与第二区域各具多个孔洞。腔室主体可具有双区加热器。

公开(公告)号：CN107980172A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201680047305.5

申请日：2016-07-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·W·蒋 ,  P·P·杰哈 ,  韩新海 ,  金柏涵 ,  金相赫 ,  朱明勋 ,  朴亨珍 ,  金伦宽 ,  孙镇哲 ,  S·格纳纳威路 ,  M·G·库尔卡尼 ,  S·巴录佳 ,  M·K·莎莱扎 ,  J·K·福斯特

IPC: H01L27/11582 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/76801 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开的实施例一般涉及一种用于形成介电膜堆栈的改进方法，该介电膜堆栈用于3D NAND结构中的层间电介质(ILD)层。在一个实施例中，该方法包括提供具有栅堆栈沉积于其上的基板，使用第一RF功率及第一处理气体在该栅堆栈的暴露表面上形成第一氧化层，第一处理气体包含TEOS气体与第一含氧气体，及使用第二RF功率与第二处理气体在该第一氧化层上形成第二氧化层，第二处理气体包含硅烷气体与第二含氧气体。