公开(公告)号：CN107210196B

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201680009234.X

申请日：2016-01-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  K·陈 ,  S·慕克吉 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本文揭示的实施例通常涉及形成氧化硅膜的方法。此方法可包括在具有末端羟基的基板的表面上执行硅烷化。接着使用等离子体与H2O浸泡来再生成基板的表面上的羟基以执行额外的硅烷化。进一步的方法包括使用路易斯酸来催化这些暴露表面，直接地使该暴露第一和第二表面非活化及在侧壁表面上沉积含硅层。多个等离子体处理可被执行以沉积具有期望厚度的层。

公开(公告)号：CN111194361A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201880064867.X

申请日：2018-10-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  陈一宏 ,  巫勇 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/02 ,  C23C16/08

Abstract: 用于在掺杂的非晶硅层上沉积金属膜作为衬底上的成核层和/或胶层的方法。一些实施方式还包括结合胶层以增加所述掺杂的非晶硅层和金属层粘附到所述衬底的能力。

公开(公告)号：CN106688078B

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201580034916.1

申请日：2015-05-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 周建华 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  陈一宏 ,  A·B·玛里克 ,  O·洛佩茨 ,  N·刘

IPC: H01L21/205

Abstract: 本文所公开的实施方式总体包括一种用于电介质膜的基于自由基的沉积的装置。该装置包括：处理腔室；自由基源，所述自由基源被耦接到处理腔室；基板支撑件，所述基板支撑件设置在处理腔室中；以及双通道喷头，所述双通道喷头设置在自由基源与基板支撑件之间。双通道喷头包括多个管道和内部容积，所述内部容积围绕所述多个管道。多个管道和内部容积被嵌在双通道喷头中的一个或多个环形通道围绕。双通道喷头进一步包括：第一入口，所述第一入口被连接到所述一个或多个通道；以及第二入口，所述第二入口被连接到内部容积。处理腔室可以是PECVD腔室，并且该装置能够执行循环工艺(交替进行基于自由基的CVD和PECVD)。

公开(公告)号：CN108807264A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810410364.5

申请日：2018-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·B·玛里克 ,  P·曼纳 ,  陈一宏 ,  段子青 ,  程睿 ,  江施施

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0338 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838

Abstract: 描述了形成自对准图案的方法。在图案化膜上沉积膜材料以填充和覆盖由所述图案化膜形成的特征。使所述膜材料凹入到低于所述图案化膜的顶部的水平。通过暴露于金属前驱物来将所述凹入膜转化为金属膜，接着所述金属膜体积膨胀。

公开(公告)号：CN108028172A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680054413.5

申请日：2016-09-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·陈 ,  陈一宏 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/04 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/306 ,  H01L21/32 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829

Abstract: 公开了用于通过原子层沉积选择性地沉积膜的方法。基板表面通过硅氢加成来钝化以防止沉积，并允许在未钝化的表面上选择性沉积。

公开(公告)号：CN106688078A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201580034916.1

申请日：2015-05-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 周建华 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  陈一宏 ,  A·B·玛里克 ,  O·洛佩茨 ,  N·刘

IPC: H01L21/205

Abstract: 本文所公开的实施方式总体包括一种用于电介质膜的基于自由基的沉积的装置。该装置包括：处理腔室；自由基源，所述自由基源被耦接到处理腔室；基板支撑件，所述基板支撑件设置在处理腔室中；以及双通道喷头，所述双通道喷头设置在自由基源与基板支撑件之间。双通道喷头包括多个管道和内部容积，所述内部容积围绕所述多个管道。多个管道和内部容积被嵌在双通道喷头中的一个或多个环形通道围绕。双通道喷头进一步包括：第一入口，所述第一入口被连接到所述一个或多个通道；以及第二入口，所述第二入口被连接到内部容积。处理腔室可以是PECVD腔室，并且该装置能够执行循环工艺(交替进行基于自由基的CVD和PECVD)。

公开(公告)号：CN116978862A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202311135956.8

申请日：2018-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·B·玛里克 ,  P·曼纳 ,  陈一宏 ,  段子青 ,  程睿 ,  江施施

IPC: H01L21/768

Abstract: 描述了形成自对准图案的方法。在图案化膜上沉积膜材料以填充和覆盖由所述图案化膜形成的特征。使所述膜材料凹入到低于所述图案化膜的顶部的水平。通过暴露于金属前驱物来将所述凹入膜转化为金属膜，接着所述金属膜体积膨胀。

公开(公告)号：CN110088875B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201780077670.5

申请日：2017-11-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  凯尔文·陈 ,  卢欣亮 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  吴勇 ,  苏米特·辛格·罗伊 ,  基亚·成·蔡

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 处理方法包括通过以下步骤来形成包含钨或钼的间隙填充层：将具有至少一个特征在其上的基板表面依次地暴露于金属前驱物和包含氢的还原剂以在所述特征中形成所述间隙填充层，其中在所述基板表面与所述间隙填充层之间不存在成核层。

公开(公告)号：CN111492467B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201880081231.6

申请日：2018-12-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  巫勇 ,  S·冈迪科塔 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 兹描述选择性地沉积钌的方法。优选的沉积表面根据处理期间的基板温度而改变。在高温下，钌沉积在导电材料的第一表面上更甚于绝缘材料的第二表面。在低温下，钌沉积在绝缘表面上更甚于导电表面。

公开(公告)号：CN110678981B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201880033951.5

申请日：2018-05-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  段子青 ,  A·B·玛里克 ,  K·陈

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40

Abstract: 描述半导体器件(例如，3D‑NAND)中字线分离的方法。金属膜沉积在字线中及在间隔开的氧化物层的堆叠的表面上。通过高温氧化及蚀刻氧化物，或通过以单层方式氧化表面及蚀刻氧化物的低温原子层蚀刻，来移除金属膜。在移除金属覆盖层之后，字线被金属膜填充。