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公开(公告)号：CN115274636A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210839127.7
申请日：2017-06-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朱明伟 , 斯瓦帕基亚·甘纳塔皮亚潘 , 付博义 , 胡·T·额 , 奈格·B·帕蒂班德拉
IPC: H01L25/075 , H01L21/677
Abstract: 一种用于在基板上定位微装置的设备包括：一个或更多个支撑件，所述一个或更多个支撑件用于保持供体基板和目标基板；粘合剂分配器，所述粘合剂分配器用于输送粘合剂于供体基板上的微装置上；传送装置，所述传送装置包括传送表面以从供体基板传送微装置至目标基板；和控制器。控制器被配置为操作粘合剂分配器，以基于目标基板上的选择的微装置的所需间隔，选择性地分配粘合剂至供体基板上的所选择的微装置上。控制器被配置为操作传送装置，使得传送表面在供体基板上接合粘合剂，造成所选择的微装置粘附至传送表面，且接着传送表面从供体基板传送所选择的微装置至目标基板。
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公开(公告)号：CN113853393A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202080037795.7
申请日：2020-05-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯瓦帕基亚·甘纳塔皮亚潘 , 骆英东 , 张代化 , 胡·T·额 , 朱明伟 , 奈格·B·帕蒂班德拉
Abstract: 光可固化组合物包括纳米材料、一种或多种(甲基)丙烯酸酯单体和光引发剂，该纳米材料被选择为响应于在紫外或可见光范围内的第二波长带中的辐射的吸收而发射在可见光范围内的第一波长带中的辐射，该光引发剂响应于第二波长带中的辐射的吸收而引发一种或多种(甲基)丙烯酸酯单体的聚合。第二波长带不同于第一波长带。发光装置包括多个发光二极管和与表面接触的固化的光可固化组合物，通过该表面从每个发光二极管发射在紫外或可见光范围内的第一波长带中的辐射。
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公开(公告)号：CN113166943A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980079525.X
申请日：2019-10-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 赛捷·托克·加勒特·多莎 , 罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森 , 卢多维克·戈代 , 朱明伟 , 拿玛·阿加曼 , 韦恩·麦克米兰 , 西达斯·克里希南
Abstract: 本文描述的实施方式涉及半导体处理。更具体地，本文描述的实施方式涉及透明基板的处理。膜沉积在透明基板的背侧上。确定膜的厚度，以使所述膜反射特定波长的光并且大体上防止基板弯曲。膜提供对特定波长的光的相长干涉。
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公开(公告)号：CN107354428A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710165989.5
申请日：2013-07-01
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/0254 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , H01J37/3426 , H01J37/3467 , H01L21/02458 , H01L21/02631 , H01L21/3065 , H01L21/3228 , C23C14/0617
Abstract: 本文所述的本发明的实施方式一般涉及用于形成高品质缓冲层和III-V族层的设备和方法，所述缓冲层和III-V族层用来形成有用的半导体装置，如电源装置、发光二极管(light emitting diode；LED)、激光二极管(laser diode；LD)或其它有用装置。本发明的实施方式还可包括用于形成高品质缓冲层、III-V族层和电极层的设备和方法，所述缓冲层、III-V族层和电极层用来形成有用的半导体装置。在一些实施方式中，设备和方法包括使用一或多个群集工具，所述群集工具具有一或多个物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)腔室，所述腔室适于在多个基板的表面上同时沉积高品质氮化铝(AlN)缓冲层，所述缓冲层具有较高的结晶取向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119522648A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380035452.0
申请日：2023-04-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H10H20/82 , H10H20/841 , H10H20/83 , H10H20/825 , H10H20/01 , H10H29/85 , H10H29/14 , H10H29/30 , H10H29/37 , H10H29/856 , H10H29/855
Abstract: 微型LED结构包括LED外延层，该LED外延层可在微型LED结构耦接至背板基板之前形成。为了防止漏光且最大化光输出，LED外延层的侧壁及其他表面可涂布有反射涂层。例如，反射涂层可包括在介电层之间与微型LED电极电绝缘的金属层。反射涂层亦可使用多层以分布式布拉格反射器的配置形成。该反射涂层可在微型LED结构耦接至背板之前的LED制造处理期间形成。背板上的像素隔离结构亦可包括施加于LED外延层之上的反射涂层。
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公开(公告)号：CN114641591A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202080074677.3
申请日：2020-09-10
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所述的实施方式包括用于在控制基板的弓形弯曲和材料层的表面粗糙度的同时在基板上沉积材料层的方法。调整当沉积材料层时施加至基板的偏压以控制基板的弓形弯曲。在材料层上执行轰击工艺以改善材料层的表面粗糙度。偏压和轰击工艺改善材料层的均匀性，且减少由基板的弓形弯曲造成的材料层破裂的发生。
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公开(公告)号：CN113614275A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080023276.5
申请日：2020-03-18
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 通过以下步骤来在工件上形成包括金属氮化物层的结构：在将所述工件安置在包括金属靶的腔室中之前，通过将氮气及惰性气体以第一流率比流动到所述腔室中，及在所述腔室中点燃等离子体，来预调节所述腔室；在所述预调节步骤之后将所述腔室排气；在所述预调节步骤之后将所述工件安置在所述腔室中的工件支撑件上；及通过将氮气及所述惰性气体以第二流率比流动到所述腔室中，及在所述腔室中点燃等离子体，来在所述腔室中的所述工件上执行金属氮化物层的物理气相沉积。所述第二流率比小于所述第一流率比。
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