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公开(公告)号：CN117616589A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202280048800.3
申请日：2022-05-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 杨子浩 , 周孟南 , 朱明伟 , 戴维·马萨尤基·石川 , 奈格·帕蒂班德拉
IPC: H01L33/00 , H01L33/12
Abstract: 形成LED结构的示例性处理方法可包括经由物理气相沉积工艺在基板上沉积氮化铝层。这些方法可包括将氮化铝层加热到大于或约为1500℃的温度。这些方法可包括利用金属有机化学气相沉积或分子束外延形成上覆于氮化铝层上的紫外发光二极管结构。
