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公开(公告)号：CN1905134A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610072446.0
申请日：2006-04-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/335 , H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12 , H01L21/28123 , H01L21/76224 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种控制半导体装置栅极形成的方法，包括测定在晶圆上隔离结构的阶差高度；使用阶差高度来决定阶差高度与过蚀刻时间之间的关连性；根据阶差高度来决定过蚀刻时间；以及用过蚀刻时间来蚀刻栅极。此方法更包括显影后检视步骤，以测定栅极轮廓并微调栅极形成控制。晶圆内非一致性可通过测定晶圆上阶差高度非一致性以及通过调整栅极制程而改善。本发明所述控制半导体装置栅极形成的方法，对于栅极形成控制，提供了一种简单且有经济效益的方法及系统，而在产品的生产量上不会有显著的减少。
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公开(公告)号：CN113851366B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202011229741.9
申请日：2020-11-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种感应耦合电浆设备及其操作方法，感应耦合电浆设备包含反应室、线圈以及晶圆基座。反应室具有本体以及介电板体，其中本体以及介电板体定义一空间，其中介电板体具有凹槽，凹槽朝向该空间。线圈设置于该介电板体背向该空间的表面。晶圆基座设置于该空间中。
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公开(公告)号：CN115527878A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210353919.3
申请日：2022-03-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L27/11517
Abstract: 一种测试结构、半导体元件及其形成方法，半导体元件包括记忆体单元元件阵列的记忆体区及包括测试记忆体单元结构的测试区。测试记忆体单元结构包括在基材的第一凸起部分上的第一栅极堆叠、邻近于第一凸起部分且在基材的第一凸起部分与第二凸起部分之间的一区中的第一多晶硅结构、邻近于第一多晶硅结构的第一间隔物，以及在第二凸起部分上的第二栅极堆叠、邻近于第二凸起部分且在第一凸起部分与第二凸起部分之间的区中的第二多晶硅结构，以及邻近于第二多晶硅结构的第二间隔物。半导体元件包括在记忆体区的至少一部分及测试区的至少一部分上方的层间介电层。
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公开(公告)号：CN114664621A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011536346.5
申请日：2020-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种感应耦合电浆设备及其操作方法，操作感应耦合电浆设备的方法包含：将一第一磁场遮蔽元件设置邻近于一反应室的一第一侧；当第一磁场遮蔽元件设置邻近于该反应室的该第一侧时，进行一第一电浆制程；在进行完该第一电浆制程之后，从该反应室的该第一侧，移除该第一磁场遮蔽元件；以及在从该反应室的该第一侧移除该第一磁场遮蔽元件之后，进行一第二电浆制程。
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公开(公告)号：CN114628213A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110530051.5
申请日：2021-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本公开提供了一种晶片处理系统、气体喷射系统和控制气体的温度的方法。晶片处理系统包括晶片处理室，此晶片处理室限定了在其中处理晶片的处理区域。晶片处理系统包括气体喷射系统。气体喷射系统包括气体喷射器，此气体喷射器配置以将用于处理晶片的第一气体喷射到处理区域中。第一气体管用于将处于第一温度的第一气体引导至气体喷射器。气体喷射系统包括包围气体喷射器的加热壳体。第二气体管配置以将加热的气体引导到加热壳体，以将加热壳体处的壳体温度增加到第二壳体温度。由于在加热壳体处的第二壳体温度，气体喷射器中的第一气体的温度从第一温度升高到第二温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113851366A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202011229741.9
申请日：2020-11-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种感应耦合电浆设备及其操作方法，感应耦合电浆设备包含反应室、线圈以及晶圆基座。反应室具有本体以及介电板体，其中本体以及介电板体定义一空间，其中介电板体具有凹槽，凹槽朝向该空间。线圈设置于该介电板体背向该空间的表面。晶圆基座设置于该空间中。
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公开(公告)号：CN106558478A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610707664.0
申请日：2016-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/0276 , H01L21/0337 , H01L21/28035 , H01L21/28123 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/31127 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L29/66568 , H01L29/66575 , H01L29/78 , H01L21/027 , C23C16/44
Abstract: 提供了一种形成半导体器件结构的方法，半导体器件结构包括在衬底上方形成膜。半导体器件结构包括在膜上方形成第一掩模层。半导体器件结构包括在第一掩模层上方形成第二掩模层。第二掩模层暴露出第一掩模层的第一部分。半导体器件结构包括实施等离子体蚀刻和沉积工艺以去除第一掩模层的第一部分和以在第二掩模层的第一侧壁的上方形成保护层。在等离子体蚀刻和沉积工艺之后，第一掩模层暴露出膜的第二部分。半导体器件结构包括将第一掩模层和第二掩模层用作蚀刻掩模去除第二部分。本发明实施例涉及形成半导体器件结构的方法。
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公开(公告)号：CN103378110A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210340217.8
申请日：2012-09-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76229 , H01L27/1463 , H01L27/14643
Abstract: 本发明描述一种装置及其制造方法，该装置是半导体电路器件，其具有在半导体衬底上界定有源区域和外围区域以电隔离有源区域中的结构与外围区域中的结构的浅沟槽隔离部件。界定有源区域的浅沟槽隔离部件浅于界定外围区域的浅沟槽隔离部件，其中通过两个以上蚀刻步骤形成外围区域浅沟槽隔离结构。本发明公开了双轮廓浅沟槽隔离装置和系统。
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公开(公告)号：CN102438391A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110306800.2
申请日：2007-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01J37/32568 , H01J37/32091 , H01J37/321
Abstract: 本发明提供具有可调式电导体的装置及调整可调式电导体的方法，该装置包括用于半导体制程中的一压力反应室的一种可调式上电极或上线圈，该可调式上电极或上线圈的形状可选择性地被改变，而可调式上电极或上线圈包括两部分，这些部分可选择地由不同的功率或频率所驱动，因此，可调式上电极及上线圈可使压力反应室中的等离子体密度分布可选择地被控制。
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公开(公告)号：CN100419962C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200610072446.0
申请日：2006-04-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/335 , H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12 , H01L21/28123 , H01L21/76224 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种控制半导体装置栅极形成的方法，包括测定在晶圆上隔离结构的阶差高度；使用阶差高度来决定阶差高度与过蚀刻时间之间的关连性；根据阶差高度来决定过蚀刻时间；以及用过蚀刻时间来蚀刻栅极。此方法更包括显影后检视步骤，以测定栅极轮廓并微调栅极形成控制。晶圆内非一致性可通过测定晶圆上阶差高度非一致性以及通过调整栅极制程而改善。本发明所述控制半导体装置栅极形成的方法，对于栅极形成控制，提供了一种简单且有经济效益的方法及系统，而在产品的生产量上不会有显著的减少。
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