公开(公告)号：CN108288597A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201710015439.5

申请日：2017-01-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈庆跃 ,  翁国伦 ,  赖俊宏

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/66

Abstract: 一种存放盒，适于存放衬底，存放盒包括底座以及上盖。上盖覆盖底座上并且与底座组装，其中衬底适于被存放在底座与上盖之间的存放空间内，而上盖具有位于衬底上方的透光检测窗，且透光检测窗的尺寸大于衬底的尺寸。此外，一种使用前述的存放盒的颗粒检测方法亦被提出。

公开(公告)号：CN1905134A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610072446.0

申请日：2006-04-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 左佳聪 ,  赖俊宏 ,  吴玫真 ,  许立德 ,  苏斌嘉 ,  陈柏仁

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/76224 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种控制半导体装置栅极形成的方法，包括测定在晶圆上隔离结构的阶差高度；使用阶差高度来决定阶差高度与过蚀刻时间之间的关连性；根据阶差高度来决定过蚀刻时间；以及用过蚀刻时间来蚀刻栅极。此方法更包括显影后检视步骤，以测定栅极轮廓并微调栅极形成控制。晶圆内非一致性可通过测定晶圆上阶差高度非一致性以及通过调整栅极制程而改善。本发明所述控制半导体装置栅极形成的方法，对于栅极形成控制，提供了一种简单且有经济效益的方法及系统，而在产品的生产量上不会有显著的减少。

公开(公告)号：CN100419962C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200610072446.0

申请日：2006-04-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 左佳聪 ,  赖俊宏 ,  吴玫真 ,  许立德 ,  苏斌嘉 ,  陈柏仁

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/76224 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种控制半导体装置栅极形成的方法，包括测定在晶圆上隔离结构的阶差高度；使用阶差高度来决定阶差高度与过蚀刻时间之间的关连性；根据阶差高度来决定过蚀刻时间；以及用过蚀刻时间来蚀刻栅极。此方法更包括显影后检视步骤，以测定栅极轮廓并微调栅极形成控制。晶圆内非一致性可通过测定晶圆上阶差高度非一致性以及通过调整栅极制程而改善。本发明所述控制半导体装置栅极形成的方法，对于栅极形成控制，提供了一种简单且有经济效益的方法及系统，而在产品的生产量上不会有显著的减少。