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公开(公告)号：CN100353561C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200410057104.2
申请日：2004-08-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/5222 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种金属在金属上(MOM)的组件及其制造方法。该组件具有至少一组件单元位于一包含一框架部分以及一受到该框架部分所围绕的中心部分的第一层别上；该中心部分具有一十字型中心处以定义该框架与中心部分为四个空间象限。该中心部分具有一或一个以上中心指状物，每一中心指状物由其至少四个末端中的一末端于一象限中延伸；该框架部分也同样具有一或一个以上的框架指状物自此处延伸，每一框架指状物位于一象限中且不与位于同象限的中心指状物重迭。
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公开(公告)号：CN1819194A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510087360.0
申请日：2005-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L23/5225 , H01L27/0805 , H01L27/0808 , H01L28/40 , H01L29/93 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是有关于一种电容元件，可于一集成电路的相同布局区域中，选择性结合金属－绝缘层－金属(MIM)、金属－氧化层－金属(MOM)和变容二极管区域，两或多种电容区域形式，被垂直安排于一基板上用以形成一电容元件，此可在不占据额外布局区域的情况下，增加此电容元件每单位的电容值。
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公开(公告)号：CN107038697A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610815887.9
申请日：2016-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06T7/00
Abstract: 本发明的实施例提供了用于诊断半导体晶圆的方法和系统。根据半导体晶圆中的特定布局的图形数据系统(GDS)信息获得目标图像，其中，目标图像包括具有与特定布局对应的第一图案的第一外形。根据第一外形，执行基于图像的对准以从半导体晶圆采集原始图像。通过测量原始图像来分析半导体晶圆，从而提供诊断结果。
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公开(公告)号：CN102468328A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110324281.2
申请日：2011-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76838 , H01L21/76807 , H01L21/76816 , H01L23/485 , H01L23/53228 , H01L23/53242 , H01L23/53257 , H01L29/665 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 用于减少栅极电阻的接触结构及其制造方法。一种衬底上具有栅极且栅极与源极/漏极(S/D)相邻的半导体器件。第一介电层覆盖栅极和S/D区域，第一介电层具有位于S/D区域上的第一接触孔且第一接触插塞由第一材料形成，第一接触插塞与各自的S/D区域连接。第二介电层覆盖第一介电层和第一接触插塞。由第二材料形成的第二接触插塞填充形成在第一介电层和第二介电层中的第二接触孔。第二接触插塞与形成在第二介电层中的栅极和互连结构连接，互连结构与第一接触插塞连接。第二材料与第一材料不同，且第二材料具有比第一材料低的电阻。
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公开(公告)号：CN101447462B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810179055.8
申请日：2008-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/00
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/564 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，包含一第一电路、一第一封环以及至少一第一缺口。第一封环环绕第一电路。第一缺口切开第一封环，且此第一缺口包含一内开口、一外开口以及一连接沟。其中，内开口位于第一封环内侧。外开口位于第一封环外侧，且此外开口与内开口并未对齐。连接沟连接内开口与外开口。
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公开(公告)号：CN111125985B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201911051432.4
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/392
Abstract: 提供系统故障定位系统和方法，该方法利用计算GDS辅助导航来加速物理故障分析以识别系统故障位置和图案。在一些实施例中，一种方法包括检测半导体晶圆的多个管芯的多个电故障区域。生成与多个电气故障区域相关联的分解的图形数据库系统(GDS)跨层剪辑。基于分解的GDS跨层剪辑识别多个跨层公共图案。可以针对每个跨层公共图案确定归一化差分，并且可以基于确定的归一化差分来识别每个管芯中的热点的位置。
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公开(公告)号：CN107584410B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201710367508.9
申请日：2017-05-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 为了提供改进的平坦化，根据本发明的实施例的技术包括CMP工作站，CMP工作站包括具有多个孔的支撑板。多个孔的孔具有由狭槽连接的第一开口和第二开口。本发明的实施例也公开了其他系统和方法。本发明的实施例还涉及化学机械抛光头、化学机械抛光系统和方法。
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公开(公告)号：CN112233984A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202010466810.1
申请日：2020-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 凡卡塔·史瑞帕西·沙珊卡·普雷塔帕 , 陈俊宏 , 郑文豪
Abstract: 本公开描述了用于管理形成在半导体晶圆上的部件的平坦化的技术。所公开的技术通过调整在晶圆表面上的各个区域内形成的微凸块的图案密度来实现在晶圆表面上形成的微凸块结构的相对平坦化。可以增大或减小在给定晶圆表面区域内形成的微凸块的表面面积尺寸，以改变图案密度。可以将伪微凸块插入给定晶圆表面区域以增加图案密度。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法以及系统。
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公开(公告)号：CN102347360B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201010569674.5
申请日：2010-11-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/513 , H01L29/495
Abstract: 本发明公开了半导体装置及其制造方法，该半导体装置为一种栅极偏移结构的半导体装置，其包含一基底与形成于上述基底的一隔离构造。一有源区是形成于上述基底并实质上邻接上述隔离构造，一界面层是形成于上述基底上及上述隔离构造与上述有源区的上方，一多晶硅层是形成于上述界面层上及上述隔离构造与上述有源区的上方，一沟槽是形成于上述隔离构造上方的上述多晶硅层中，上述沟槽延伸至上述界面层，一填充层是沿着上述沟槽的轮廓形成，而一金属栅极是形成于上述沟槽中。本发明是在未明显增加装置的制造成本的情况下，可抵御高电压，并可提供优于传统装置的性能。
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