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公开(公告)号：CN110223908A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910309885.6
申请日：2014-12-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/321 , H01L21/336 , B24B37/20
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括形成为填充两个相邻的层间电介质(ILD)区之间的沟槽的金属栅极(MG)层；使用CMP系统实施化学机械抛光(CMP)工艺以平坦化MG层和ILD区；以及使用包括溶解在去离子水(DIW)中的臭氧气体(O3)的O3/DIW溶液清洗平坦化的MG层。MG层形成在ILD区上。本发明涉及用于化学机械抛光和清洗的系统和方法。
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公开(公告)号：CN109571240A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811131662.7
申请日：2018-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及化学机械研磨方法和化学机械研磨浆料。提供用于化学机械平坦化/研磨的研磨浆料成分。研磨浆料包括胶态氧化铝、分散剂以及pH值缓冲剂。胶态氧化铝具有的颗粒尺寸在约5nm与约100nm之间。胶态氧化铝可以是α相材料或γ相材料，α相材料具有莫氏硬度约9的第一硬度，γ相材料具有莫氏硬度约8的第二硬度。研磨浆料可还包括聚丙烯酸、下压力增强剂或研磨速率抑制剂。
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公开(公告)号：CN109599339B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201811132823.4
申请日：2018-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种方法包括在衬底上形成第一栅极结构，其中第一栅极结构由第一介电层围绕；在第一栅极结构上和第一介电层上形成掩模结构，其中形成掩模结构包括在所述第一栅极结构的上表面上选择性地形成第一覆盖层；在第一覆盖层周围形成第二介电层。该方法还包括在掩模结构上形成图案化的介电层，图案化的介电层暴露掩模结构的一部分；去除掩模结构的暴露部分和掩模结构的暴露部分下面的第一介电层的一部分，从而形成凹槽，该凹槽暴露与第一栅极结构相邻的源极/漏极区；以及用导电材料填充凹槽。本发明的实施例还涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN109585361B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201810721468.8
申请日：2018-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本发明实施例提供了半导体器件和形成方法。在一些实施例中，该方法包括在衬底上方形成介电层并且图案化介电层以形成第一凹槽。该方法还包括在第一凹槽中沉积第一层并且在第一层上方沉积第二层，第二层不同于第一层。该方法还包括使用第一氧化剂对第二层实施第一化学机械抛光(CMP)工艺并且使用第一氧化剂对第二层和第一层的多余部分实施第二CMP工艺。该方法还包括在实施第二CMP抛光之后在第一层的剩余部分上方形成第一导电元件。
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公开(公告)号：CN109590895B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201811107936.9
申请日：2018-09-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/22 , B24B55/06 , H01L21/321 , H01L21/768
Abstract: 研磨装置的研磨平台包括：平板、研磨垫、及设置于平板与研磨垫之间的电场元件。研磨装置还包括控制器，用以施加电压至电场元件。对电场元件施加第一电压，以将研磨浆料的带电颗粒朝研磨垫吸引。被吸引的颗粒会减少显现于工件的研磨表面的整体形貌变异，以进行研磨。对电场元件施加第二电压，以将研磨浆料的额外的带电颗粒朝研磨垫吸引。额外被吸引的颗粒会更进一步减少显现于工件的研磨表面的整体形貌变异。对电场元件施加第三电压，以将研磨浆料的带电颗粒排斥远离研磨垫，改善研磨垫的清洁。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113134783A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110049486.8
申请日：2021-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/20 , B24B37/34 , H01L21/306
Abstract: 本公开提供一种化学机械平坦化设备。化学机械平坦化设备包括一多区域平台包括多个独立控制的同心超环形。每个同心超环形的旋转方向、旋转速度、作用力、相对高度和温度都是单独控制的。同心研磨垫固定到在每个单独控制的同心超环形的一上表面。化学机械平坦化设备包括一单一中心浆料源或包括用于每个单独控制的同心超环形的单独浆料源。
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公开(公告)号：CN112405335A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010851423.X
申请日：2020-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供一种化学机械平坦化工具，其包括平台以及附接至前述平台的研磨垫。研磨垫远离平台的第一表面包括第一研磨区和第二研磨区，其中前述第一研磨区是位在前述研磨垫的第一表面中心处的圆形区域，而前述第二研磨区是在前述第一研磨区周围的环形区域。前述第一研磨区和第二研磨区具有不同的表面性质。
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公开(公告)号：CN110970392A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910922907.6
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 半导体器件包括位于衬底上方的第一介电层，第一介电层包括从第一介电层的远离衬底的第一侧延伸到第一介电层的与第一侧相对的第二侧的第一介电材料；第二介电层，位于第一介电层上方；导线，位于第一介电层中，导线包括第一导电材料，导线的上表面比第一介电层的上表面更靠近衬底；金属帽，位于第一介电层中，金属帽位于导线上方并物理连接至导线，金属帽包括与第一导电材料不同的第二导电材料；以及通孔，位于第二介电层中并且物理连接到金属帽，该通孔包括第二导电材料。本发明的实施例还涉及一种形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN109590895A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811107936.9
申请日：2018-09-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/22 , B24B55/06 , H01L21/321 , H01L21/768
Abstract: 研磨装置的研磨平台包括：平板、研磨垫、及设置于平板与研磨垫之间的电场元件。研磨装置还包括控制器，用以施加电压至电场元件。对电场元件施加第一电压，以将研磨浆料的带电颗粒朝研磨垫吸引。被吸引的颗粒会减少显现于工件的研磨表面的整体形貌变异，以进行研磨。对电场元件施加第二电压，以将研磨浆料的额外的带电颗粒朝研磨垫吸引。额外被吸引的颗粒会更进一步减少显现于工件的研磨表面的整体形貌变异。对电场元件施加第三电压，以将研磨浆料的带电颗粒排斥远离研磨垫，改善研磨垫的清洁。
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公开(公告)号：CN109585295A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811131650.4
申请日：2018-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 半导体装置的形成方法包括在形成工艺时使源极/漏极接点插塞或栅极接点插塞暴露至金属离子源溶液，其中金属离子源溶液中的金属离子的金属成分，与源极/漏极接点插塞或栅极接点插塞的金属成分相同。若源极/漏极接点插塞或栅极接点插塞的组成为钴，则金属离子源溶液包含钴离子源溶液。若源极/漏极接点插塞或栅极接点插塞的组成为钨，则金属离子源溶液包含钨离子源溶液。
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