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公开(公告)号：CN116435319A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310146543.3
申请日：2023-02-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的各个实施例针对图像传感器。图像传感器包括具有第一侧和第二侧的衬底。衬底包括像素区域。光电探测器位于像素区域中。第一掺杂区域位于像素区域中。第二掺杂区域位于像素区域中。第二掺杂区域垂直位于第一掺杂区域和衬底的第一侧之间。掺杂阱位于衬底中并且横向围绕像素区域。掺杂阱部分位于第二掺杂区域中。第二掺杂区域的部分垂直位于掺杂阱和衬底的第二侧之间。沟槽隔离结构位于半导体衬底中并且横向围绕像素区域。沟槽隔离结构的覆盖区位于掺杂阱的覆盖区内。本申请的实施例还涉及用于形成图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN114497097A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210016514.0
申请日：2022-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 半导体器件包括具有彼此相对的前侧和背侧的衬底。多个光电探测器设置在像素区域内的衬底中。隔离结构设置在像素区域内和光电探测器之间。隔离结构包括从衬底的背侧延伸至衬底中的位置的背侧隔离结构。导电插塞结构设置在外围区域内的衬底中。导电帽设置在衬底的背侧上，并且从像素区域延伸至外围区域，并且将背侧隔离结构电连接至导电插塞结构。导电接触件定位在导电插塞结构上，并且通过导电插塞结构和导电帽电连接至背侧隔离结构。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN106611765B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201610711927.5
申请日：2016-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的实施例涉及CMOS图像传感器及相关的形成方法，该图像传感器具有布置在深沟槽隔离结构与图像感测元件之间的掺杂区域。在一些实施例中，CMOS图像传感器具有设置在半导体衬底内的像素区域。像素区域具有配置为将辐射转换为电信号的图像感测元件。多个背侧深沟槽隔离(BDTI)结构在像素区域的相对侧上延伸进半导体衬底。掺杂区域横向布置在BDTI结构之间并且使图像感测元件与BDTI结构和半导体衬底的背侧分离。图像感测元件与BDTI结构的分离防止图像感测元件与BDTI结构的边缘附近的界面缺陷相互作用，并且从而减少暗电流和白像素数量。
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公开(公告)号：CN106252323B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201510736308.7
申请日：2015-11-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本公开提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的焊盘结构。半导体衬底布置在后道工序(BEOL)金属化堆叠件上方，并且包括划线开口。缓冲层衬垫划线开口。导电焊盘包括基区和突出区。基区布置在划线开口中的缓冲层上方，并且突出区从基区伸至BEOL金属化堆叠件中。介电层填充导电焊盘上方的划线开口，并且与半导体衬底的上表面大致齐平。此外，本公开提供了一种制造焊盘结构的方法以及CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN106549029A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610670908.2
申请日：2016-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L21/28247 , H01L27/14603 , H01L29/4916 , H01L27/14683 , H01L27/14614
Abstract: 一种制造图像传感器器件中的多晶硅栅极结构的方法，包括在衬底的表面上沉积栅极介电层。然后在栅极介电层上方沉积多晶硅层。接下来，在多晶硅层上方沉积保护膜。在保护膜上方形成硬掩模，并图案化多晶硅栅极结构。此后，剥离硬掩模。保护膜显示对多晶硅层的蚀刻选择性并具有40和60埃之间的厚度。通过磷酸溶液湿蚀刻工艺去除硬掩模。本发明实施例涉及形成图像传感器器件中的多晶硅栅极结构的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103378117B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310129824.4
申请日：2013-04-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 具有负电荷层的半导体图像传感器器件包括具有p型区域的半导体衬底，接近半导体衬底的正面位于p型区域中的多个辐射感应区域和接近多个辐射感应区域邻接p型区域的负电荷层。负电荷层可以是富氧氧化硅、高k金属氧化物或氮化硅，形成为浅沟槽隔离部件中的衬垫、晶体管栅极的侧壁间隔件或偏移间隔件、自对准硅化物阻挡层、位于自对准硅化物阻挡层下面的缓冲层、背表面层或它们的组合。
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公开(公告)号：CN103681708B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201310236886.5
申请日：2013-06-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14623 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685
Abstract: 一种器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底中的黑色参考电路；金属焊盘，位于半导体衬底的正面以及下方；以及第一和第二导电层。第一导电层包括：第一部分，穿过半导体衬底以连接至金属焊盘；以及第二部分，在半导体衬底的背面上形成金属屏蔽层。金属屏蔽层与黑色参考电路对准，并且互连第一部分和第二部分以形成连续区域。第二导电层包括在第一导电层的第一部分上方并与其接触的部分，其中，第一导电层的第一部分和第二导电层的该部分形成第一金属焊盘。介电层位于第一导电层的第二部分上面并与其接触。本发明还提供了BSI芯片中的多金属膜叠层。
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公开(公告)号：CN103515400B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210439407.5
申请日：2012-11-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14687
Abstract: 用作CMOS图像传感器ARC层的多孔硅。提供一种半导体器件。该半导体器件包括通过衬底支撑的金属化层，设置在金属化层上方的二极管和部分掺杂的硅层，设置在二极管和部分掺杂的硅层上方的缓冲层；以及设置在缓冲层上方的抗反射涂层，该抗反射涂层由多孔硅形成。
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公开(公告)号：CN116504796A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210955856.9
申请日：2022-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的各个实施例针对图像传感器，该图像传感器包括设置在衬底内的多个光电探测器。衬底包括与背侧表面相对的前侧表面。外部隔离结构设置在衬底中并且横向围绕多个光电探测器。外部隔离结构具有第一高度。内部隔离结构在外部隔离结构的侧壁之间间隔开。内部隔离结构设置在多个光电探测器中的相邻的光电探测器之间。外部隔离结构与内部隔离结构分别从背侧表面朝着前侧表面延伸。内部隔离结构包括小于第一高度的第二高度。根据本发明的其他实施例，还提供了用于形成图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN115117019A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210331398.1
申请日：2022-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 本公开涉及集成电路芯片及其形成方法。本公开的各种实施例涉及一种集成电路(IC)芯片，其中键合焊盘结构延伸到具有高过孔密度的柱状结构。例如，互连结构位于衬底的正面，并且包括形成柱状结构的第一键合导线、第二键合导线和一个或多个键合过孔。键合过孔从第一键合导线延伸到第二键合导线。键合焊盘结构被插入衬底的与正面相反的背面，并且延伸至第一键合导线。第一键合导线或第二键合导线在平行于衬底的顶表面的平面上的第一投影具有第一面积，并且键合过孔在该平面上的第二投影具有第二面积，第二面积为第一面积的10％或更多，使得过孔密度较高。
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