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公开(公告)号：CN102998037A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210340683.6
申请日：2012-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种介质隔离压阻式压力传感器，包括SOI硅片以及键合的下盖板（6），SOI硅片的顶层硅（5c）中设置的压敏体电阻（1）周围设有隔离介质（2a），顶层硅（5c）表面设有氧化隔离层（2），其表面设有铝电极（4）与对应的压敏体电阻（1）连接；SOI硅片的底层硅（5）中设有空腔及硅岛（5a）。本发明有效的解决了传统压阻式压力传感器灵敏度、线性度、可靠性低和电隔离差的难题，同时采用顶层硅作为压敏体电阻的厚度有效的保证了后期工艺高温环境对器件性能的影响，保证了器件性能的一致性和稳定性，采用硅硅键合等工艺，避免了新材料引入的应力，实现器件的高性能，该结构加工工艺易于控制，保证了结构加工的一致性。
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公开(公告)号：CN114132888B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202111479241.5
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种异构集成的芯片级光谱调谐微系统，包括：固定滤光结构层，在SOI硅片顶层硅上制作驱动电极（13）、驱动检测电极（12）、下支撑柱（14）、信号输入端（18），在信号输入端上设有导电键合层（16）；可动滤光结构层光刻可动结构（22）、上支撑柱（23），将上支撑柱、下支撑柱键合连接，由上述固定滤光结构和可动滤光结构构成法布里珀罗干涉腔；盖帽层（30）设有垂直导电柱（31）、导电金属（35）和PAD点（33）；驱动电路芯片（40）联于PAD点（41）。本发明有益效果：将静电驱动电极与复合光学薄膜结构结合于一体，提高了光学占空比，增加了驱动力，提高了滤光系统运行精度及稳定性。
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公开(公告)号：CN118723918A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410885735.0
申请日：2024-07-03
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种晶圆级SOI硅片阳极键合方法，包括以下步骤：S1、取SOI硅片，采用湿法腐蚀或干法刻蚀将SOI硅片的顶层硅与衬底硅之间裸漏的埋层氧化层去除干净，保留中间顶层硅部分；S2、采用溅射或蒸发工艺，在顶层硅面及裸漏的衬底硅面制作一层金属；S3、采用光刻与腐蚀或刻蚀工艺，去除顶层硅部分金属，仅保留顶层硅与衬底硅之间的金属连接，形成顶层硅与衬底硅的导电通道；S4、将SOI硅片与玻璃片对准，进行阳极键合。本发明的有益效果是，在SOI硅片的顶层硅与衬底硅之间形成导电通道，再与玻璃片进行精确的对准并键合，形成适用绝大多数应用场景的一种晶圆级SOI硅片阳极键合方法。
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公开(公告)号：CN118583334A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410815487.2
申请日：2024-06-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种硅压阻式压力传感器的灵敏度温度补偿结构，硅压阻式压力传感器芯片由R1、R2、R3与R4四个压敏电阻构成的电桥组成，在桥臂电阻R2上并联一个低温漂系数电阻Ra、以及在另一个不相连的桥臂R3上串联低温漂系数电阻Rb，在电桥的输出端分别接入低温度系数电阻R以及正温度系数热敏电阻Rp，以此补偿灵敏度温度漂移本发明提高压力传感器的测量精度，并且在电桥输入端增加可调电压模块，可对电桥输出量进行调整，弥补输出损耗，硬件电路结构简单，补偿效果显著且传感器输出损耗小。
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公开(公告)号：CN116295542A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211515863.3
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种提高N型压阻传感器结隔离特性的制备方法，其特征在于：它包括以下步骤S1在P型硅晶圆上，进行光刻、大剂量磷注入、去胶，形成重掺杂区；S2光刻、按设计要求进行磷注入、去胶，形成压敏电阻；S3光刻、硼注入、去胶，形成P型隔离环结构6；S4退火、氧化，形成绝缘层；S5光刻、刻蚀、去胶，在绝缘层上形成接触孔；S6溅射、光刻、刻蚀、去胶，形成金属引线。本发明步骤简单，实施方便，通过隔离环有效阻断N型压阻传感器与其他功能端口之间电子迁移通道，降低漏电流，提高产品性能和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110683507B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201910793426.X
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种抗干扰MEMS器件，包括依次硅硅键合的衬底层、感应电极层、可动敏感结构层与盖帽层，感应电极层包含感应电极中心锚点与两侧的感应电极；衬底层中心与两侧分别设有第一垂直引线与第二垂直引线；所述感应电极中心锚点与第一垂直引线相连；所述感应电极底部设有硅支撑柱，硅支撑柱顶端与感应电极相连、底端与第二垂直引线对应相连，使感应电极与衬底层之间形成间隙；该感应电极结构几乎完全切断了外界干扰通过衬底到达感应电极结构的传递路径，使得外界干扰对感应电极结构的影响大幅下降，从而保证了传感器存在外界干扰的情况下左右两边电容的对称性，提高了传感器抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN114122243A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111479920.2
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种红外探测器芯片，其特征在于：它包括硅衬底（1），在硅衬底（1）上设有支撑层（2），在支撑层（2）上设有一组热电偶层，在热电偶层与支撑层（2）上覆盖有钝化层（6），在硅衬底（1）上还设有空腔（12），相邻的热电偶层之间通过引线（11）连通。本发明具有结构简单、制造方便，在保证芯片响应灵敏度的同时有效减小了芯片和红外吸收支撑薄膜的面积，使红外吸收支撑薄膜的刚度提高，从而提高芯片整体可靠性。
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公开(公告)号：CN110568220B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201910793469.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明公开一种抗干扰耐过载MEMS加速度计，包括依次键合的衬底层、感应电极层、可动敏感结构层与盖帽，感应电极层包含感应电极中心锚点与两侧的感应电极，可动敏感结构层包含第一可动敏感结构中心锚点、第一实心可动敏感结构与第一空心可动敏感结构；感应电极底部设有硅支撑柱，硅支撑柱顶端与感应电极相连、底端与衬底层相连；第一可动敏感结构中心锚点、第一实心可动敏感结构与第一空心可动敏感结构上方分别对称键合有第二可动敏感结构中心锚点、第二实心可动敏感结构与第二空心可动敏感结构，第一空心可动敏感结构与第二空心可动敏感结构之间形成闭合的空腔；本加速度计能够降低外界环境对器件性能影响，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN105182005B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201510661916.6
申请日：2015-10-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种加速度计，包括：a.衬底（13）中设有浅腔（2）以及衬底锚点（5）；b.电极结构层（1）中部设有的中心锚点（16），中心锚点（16）的两侧对称设有至少一个悬浮电极（4），悬浮电极（4）与下面的浅腔（2）对应配合，悬浮电极（4）的上表面设有向上活动间隙（11）；c.可动结构层（15），及其中设有的可动结构（10），其中部设有上层锚点（18）与中心锚点（16）对应键合连接；d.盖帽（14）。本发明具有如下优点：热应力对电极结构的影响大幅下降，使得电极结构在全温范围内几乎无形变，从而保证了器件在全温范围内左右两边电容的对称性，提高了传感器全温性能。
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公开(公告)号：CN105137121B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201510661783.2
申请日：2015-10-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种加速度计的制备方法，包括衬底层（13）、电极结构层（1）、可动结构层（14）以及盖帽层（18），包括以下步骤：1，衬底（13）的制作，在双抛硅片光刻及刻蚀形成悬浮电极活动浅腔（2）、衬底层锚点（15）、防粘连凸点（12）；2、SOI硅片与衬底层（13）键合，光刻和刻蚀形成浅腔（11）、中心锚点（5）、防粘连凸点（8）、悬浮电极（4）；3、将SOI硅片与电极结构层键合，经光刻和刻蚀后形成可动结构（10）、可动层锚点（22）;4、盖帽（8）封装。本发明的优点是：热应力对电极结构的影响大幅下降，保证了固支悬浮电极结构的一致性以及重复性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。
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