公开(公告)号：CN1830083B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200480021710.7

申请日：2004-11-10

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 胁坂伸治 ,  定别当裕康 ,  若林猛 ,  三原一郎

IPC: H01L23/538

CPC classification number: H01L2224/32145 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025

Abstract: 第一半导体元件(4)贴装在底板(1)上面，并且处于其外围由绝缘元件(16)覆盖并且其上表面由上部绝缘膜(17)覆盖的密封状态中。形成于上部绝缘膜(17)上面的上部布线层(20，24)和通过下部绝缘膜(31，34)形成于底板(1)下面的下部布线层(33，37)通过导体(43)相连。第二半导体元件(40)露出贴装，并与下部布线层(33，37)相连。

公开(公告)号：CN101589467A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200880002910.6

申请日：2008-01-24

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 河野一郎 ,  若林猛 ,  三原一郎

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2924/01014

Abstract: 一种半导体装置包括半导体衬底、设置在半导体衬底的一侧上并具有连接焊盘部分的多个布线、以及分别设置在布线的连接焊盘部分上的多个柱状电极，每个柱状电极都包括外周表面和顶表面。电迁移防护膜设置在至少布线的表面上。密封膜绕柱状电极的外周表面设置。

公开(公告)号：CN100514627C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200680001479.4

申请日：2006-05-30

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 若林猛 ,  三原一郎

IPC: H01L23/528

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L23/5286 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

Abstract: 一种半导体器件，包括具有集成电路的半导体基板，形成于所述半导体基板上的第一绝缘膜，形成于所述第一绝缘膜上的至少一个电源内部布线，和形成于所述第一绝缘膜上和所述内部布线上并且具有暴露出部分所述内部布线的多个开口的第二绝缘膜。至少一条布线被形成于所述第二绝缘膜的上侧上以与所述内部布线对应，并经由所述第二绝缘膜的多个开口电连接到所述内部布线。该布线具有至少一个外部电极焊盘部分，其数量小于在所述第二绝缘膜中的开口的数量。

公开(公告)号：CN1825590A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610008700.0

申请日：2006-02-21

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 若林猛 ,  三原一郎

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2924/14

Abstract: 本发明的半导体器件的制造方法中，适当地磨削硅衬底(1)的下表面侧。该情况下，在硅衬底(1)的下表面形成微细且锐角的凹凸(硅的结晶破坏层)。接着，利用湿法刻蚀，对硅衬底(1)的下表面进行台阶差1～5μm的粗糙面加工。接着，在硅衬底(1)的下表面形成由环氧类树脂等构成的保护膜(12)。该情况下，硅衬底(1)的下表面形成台阶差1～5μm的粗糙面，所以该粗糙面能够被保护膜12可靠地覆盖，在硅衬底的下表面不易产生损伤。

公开(公告)号：CN1246900C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN00100755.6

申请日：2000-02-03

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 桑原治 ,  若林猛 ,  三原一郎

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体装置，包括：一半导体基片；在该半导体基片上形成的多个凸缘电极；及在相邻的凸缘电极之间的所述的半导体基片上形成的一密封膜，所述密封膜的一预定特性在其厚度方向上不同以使接近于该半导体基片的一部分中的该密封膜的特性比远离于该半导体基片的一部分中的该密封膜的特性更接近于该半导体基片的特性。

公开(公告)号：CN1649162A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510006306.9

申请日：2005-01-26

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 三原一郎 ,  定别当裕康

IPC: H01L27/14

CPC classification number: H04N5/2253 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02325 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/82001 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H04N5/2254 ,  H04N5/2257 ,  H05K1/113 ,  H05K1/185 ,  H05K2201/10121 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种光传感器模块，其中，具备光传感器(35、61、111)，其在上面设置了光电变换器件区域(38、113)和连接于该光电变换器件区域(38、113)的连接衬垫(39、114)；具有多个外部连接用电极(9、16、134、144)的半导体构成体(5、131)；设置在所述半导体构成体(5、131)周围的绝缘层(18、137)；和配线(22、122)，其设置在至少所述半导体构成体(5、131)和所述光传感器(35、61、111)的任一方上，电连接所述光传感器(35、61、111)的连接衬垫(39、114)与所述半导体构成体(5、131)的外部连接用电极(9、16、134、144)。

公开(公告)号：CN1338779A

公开(公告)日：2002-03-06

申请号：CN01125581.1

申请日：2001-08-13

Applicant: IEP技术株式会社 ,  卡西欧计算机株式会社

Inventor： 田原伊和男 ,  三原一郎 ,  青木由隆

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/08 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

Abstract: 在包括多个连接焊盘的半导体衬底的电路元件形成区域上,层积形成薄膜无源元件,该薄膜无源元件包括由多个导体层和介质层形成的电容元件或由已构图的导体层形成的电感元件的至少其中之一,并与电路元件形成区域的电路元件连接,可以缩小芯片面积,并且内置RF功能所需的无源元件,所以可以实现缩小具有无线I/F功能的模块尺寸。薄膜无源元件在半导体晶片上通过插入绝缘膜来形成,电容元件层积第1导体层、介质层和第2导体层来形成,电感元件通过产生电感分量的、例如形成构图为螺旋角形状的导体层来形成,在每个芯片形成区域中,通过将半导体晶片单片化来形成半导体器件。由此,在芯片上可以集中形成层积搭载薄膜无源元件的多个半导体器件。

公开(公告)号：CN1264168A

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN00100754.8

申请日：2000-02-03

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 三原一郎 ,  桑原治

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/10253 ,  Y10S438/942 ,  Y10S438/945 ,  H01L2924/00

Abstract: 利用印刷掩模和刮板,在硅衬底上形成树脂密封膜。刮板端梢部分的侧面基本上为V形,通过将刮板的端梢部分推到相邻凸电极间的间隙中进行印刷。结果,密封膜形成为在相邻凸电极间凹下,从而有助于凸电极的摆动运动。由此可知,在硅衬底安装到电路基片上后进行的温度循环试验中,凸电极可以吸收硅衬底和电路基片间热膨胀系数差造成的应力。

公开(公告)号：CN1568546B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN03801269.3

申请日：2003-08-05

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 定别当裕康 ,  三原一郎

IPC: H01L23/538 ,  H01L25/10 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5387 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/24247 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体器件，它包括半导体结构部件(23)，它具有一块半导体基片(24)，这块基片有第一表面和第二表面，并具有在第一表面上形成的集成电路元件、多个连接在集成电路元件上的连接条带(25)、覆盖半导体基片并具有用于暴露上述连接条带(25)的孔(28)的保护层(27)、以及多个布置在保护层(27)上与连接条带(25)连接并具有条带的导体(31)。上绝缘层(37)覆盖除了条带之外、包括上述导体(31)在内的半导体结构部件(23)的整个上表面。密封构件(34或36)覆盖半导体结构部件(23)的至少一个侧表面。上导体(43)在上绝缘层上形成，并分别具有与上述条带电连接的端部和外连接条带，至少一个上导体的外连接条带布置在与密封构件相对应的区域内。

公开(公告)号：CN101569010A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880000824.1

申请日：2008-05-30

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 水泽爱子 ,  冈田修 ,  若林猛 ,  三原一郎

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L23/525

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/525 ,  H01L24/11 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体器件，包括其上除了其外围部分之外设置有结构部分(3)的半导体衬底(1)，还具有包括低介电性膜(4)和布线线路(5)的层叠结构，所述低介电性膜的相对介电常数为3.0或更低，其玻璃化温度为400℃或更高。在所述结构部分(3)上形成绝缘膜(9)。连接焊盘部分设置于所述绝缘膜(9)上并连接至所述层叠结构部分(3)的最上层布线线路(5)。凸块电极(13)设置于所述连接焊盘部分。由有机树脂制成的密封膜(14)设置于包围所述凸块电极(13)的绝缘膜(9)的一部分上。所述层叠结构部分(3)的侧表面被所述绝缘膜(9)和/或所述密封膜(14)覆盖。