公开(公告)号：CN1338779A

公开(公告)日：2002-03-06

申请号：CN01125581.1

申请日：2001-08-13

Applicant: IEP技术株式会社 ,  卡西欧计算机株式会社

Inventor： 田原伊和男 ,  三原一郎 ,  青木由隆

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/08 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

Abstract: 在包括多个连接焊盘的半导体衬底的电路元件形成区域上,层积形成薄膜无源元件,该薄膜无源元件包括由多个导体层和介质层形成的电容元件或由已构图的导体层形成的电感元件的至少其中之一,并与电路元件形成区域的电路元件连接,可以缩小芯片面积,并且内置RF功能所需的无源元件,所以可以实现缩小具有无线I/F功能的模块尺寸。薄膜无源元件在半导体晶片上通过插入绝缘膜来形成,电容元件层积第1导体层、介质层和第2导体层来形成,电感元件通过产生电感分量的、例如形成构图为螺旋角形状的导体层来形成,在每个芯片形成区域中,通过将半导体晶片单片化来形成半导体器件。由此,在芯片上可以集中形成层积搭载薄膜无源元件的多个半导体器件。