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公开(公告)号：CN105404096A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510564914.5
申请日：2015-09-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0048 , G03F7/0392 , G03F7/11 , G03F7/168
Abstract: 待在支持膜上形成的化学增幅型正型抗蚀剂干膜包含5-40重量％的在大气压下具有55℃至250℃的沸点的组分。可以通过简单的步骤制备具有柔性和尺寸稳定性的抗蚀剂干膜。可以将所述抗蚀剂干膜有效地和简易地置于制品上并加工，以形成图案。
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公开(公告)号：CN114600045B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202080073517.7
申请日：2020-09-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供感光性树脂组合物，其包含：(A)包含由下述式(A1)表示的重复单元、和选自由下述式(A2)表示的重复单元及由下述式(A3)表示的重复单元中的至少1种的聚合物、(B)在1分子中平均包含4个以上的环氧基的环氧化合物、(C)光致产酸剂、(D)苯并三唑化合物和/或咪唑化合物、和(E)有机溶剂。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN110176432B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201910491197.6
申请日：2015-03-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L23/538 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/768 , H01L25/03 , H01L25/065 , H01L25/10 , H01L21/02 , H01L21/48 , H01L21/56 , B23K1/00 , B29C70/78 , B29C70/88 , C23C14/04 , C23C14/34 , C23C14/58 , C25D3/60 , C25D5/02 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D5/54 , C25D7/00 , C25D7/12 , H05K1/11 , H05K3/28 , H05K3/34 , H05K3/40
Abstract: 本发明是一种半导体装置，其具有半导体元件和与半导体元件电连接的半导体元件上金属焊盘和金属配线，金属配线与贯穿电极和焊料凸块电连接，其中，所述半导体装置，具有载置有半导体元件的第一绝缘层、形成于半导体元件上的第二绝缘层以及形成于第二绝缘层上的第三绝缘层；金属配线，在第二绝缘层的上表面，通过半导体元件上金属焊盘而与半导体元件电连接，并且自第二绝缘层的上表面贯穿第二绝缘层并在第二绝缘层的下表面与贯穿电极电连接；并且，在第一绝缘层与半导体元件之间配置有半导体元件下金属配线，半导体元件下金属配线，在第二绝缘层的下表面与金属配线电连接。据此，提供一种半导体装置，容易载置于配线基板上和积层半导体装置，即便在金属配线的密度较大的情况下，也可以抑制半导体装置翘曲。
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公开(公告)号：CN108107676B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201711186205.3
申请日：2017-11-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂膜层叠体和图案形成方法。提供层叠体，其包括热塑性膜和其上的化学增幅正型抗蚀剂膜，该抗蚀剂膜包含：(A)具有羟基苯基和保护基团的基础聚合物，该聚合物由于在酸的作用下保护基团被除去而变为碱可溶，(B)光致产酸剂，(C)有机溶剂，和(D)在其主链中具有酯键的聚合物。该抗蚀剂膜可被转印至台阶形支承体而不形成空隙。
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公开(公告)号：CN106249547B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201610404738.3
申请日：2016-06-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种光固化性树脂组合物，当其用于形成图案时，能够容易地形成高膜厚且微小的图案。为此，本发明提供一种光固化性树脂组合物，其含有：(A)硅酮高分子化合物，其具有由下述通式(1)和(2)所示的重复单元；(B)光致产酸剂，其利用波长190～500nm的光而分解，并产生酸；(C)选自下述化合物中的1种或2种以上的化合物：被甲醛或甲醛‑醇类改性后的氨基缩合物、在1分子中平均具有2个以上羟甲基或烷氧基羟甲基的酚类化合物、以及将多元酚的羟基以缩水甘油氧基取代而成的化合物；以及，(D)选自具有3个以上羟基的多元酚中的1种或2种以上的化合物
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公开(公告)号：CN106415823B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201580018117.5
申请日：2015-03-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L23/12 , C25D5/02 , C25D7/00 , H01L21/312 , H01L23/52 , H01L25/10 , H01L25/11 , H01L25/18 , H05K1/11 , H05K3/00 , H05K3/28 , H05K3/40
Abstract: 本发明是一种半导体装置，其具有半导体元件以及与半导体元件电连接的半导体元件上金属焊盘和金属配线，金属配线与贯穿电极和焊料凸块电连接，其中，所述半导体装置，具有载置有半导体元件的第一绝缘层、形成于半导体元件上的第二绝缘层以及形成于第二绝缘层上的第三绝缘层；金属配线，在第二绝缘层的上表面，通过半导体元件上金属焊盘而与半导体元件电连接，且自第二绝缘层的上表面贯穿第二绝缘层并在第二绝缘层的下表面与贯穿电极电连接。据此，提供一种半导体装置，容易载置于配线基板上和积层半导体装置，即便在金属配线的密度较大的情况下，也可以抑制半导体装置翘曲。
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公开(公告)号：CN108732868A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810340335.6
申请日：2018-04-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/023 , C08G8/28 , C23C18/1601 , C25D3/02 , G03F7/022 , G03F7/0233 , G03F7/0236 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/322 , G03F7/38 , G03F7/40 , G03F7/0392 , G03F7/004
Abstract: 本发明为正型抗蚀剂膜层合体和图案形成方法。提供了包括热塑性膜和正型抗蚀剂膜的层合体，所述正型抗蚀剂膜包括(A)酚醛清漆树脂-萘醌二叠氮化物(NQD)系树脂组合物，(B)聚酯和(C)3-30重量％的有机溶剂。可以将所述抗蚀剂膜转印至有阶梯的支持体而不形成空隙。
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公开(公告)号：CN108373856A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201710951478.6
申请日：2017-10-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09D183/10 , C09D163/00 , C09D161/06 , C09D133/00 , C09D167/00 , C09D175/04 , C09D179/08 , C09D7/63 , G03F7/09 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0757 , C08G77/38 , C09D133/08 , C09D133/24 , C09D163/00 , C09D167/00 , C09D175/04 , C09D183/04 , G03F7/0382 , G03F7/11 , G03F7/161 , G03F7/2002 , C09D183/10 , C09D133/00 , C09D161/06 , C09D179/08 , G03F7/0035 , G03F7/09
Abstract: 本发明为层合体和图案形成方法。提供了即使在使用化学放大负型抗蚀剂材料的情况下也能够形成具有优异的开口形状的图案的层合体以及使用所述层合体的图案形成方法。所述层合体包括化学放大负型抗蚀剂层和在其上的含有0.001至10重量％的具有至多10,000的分子量的碱性化合物的碱性树脂涂层。
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公开(公告)号：CN107134414A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710107328.7
申请日：2017-02-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/488
CPC classification number: H01L25/0657 , C08G59/621 , C08G59/623 , C08G77/18 , C08G77/52 , C08L63/00 , C08L83/14 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/0757 , H01L21/563 , H01L21/78 , H01L23/296 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/05147 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11002 , H01L2224/11334 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11901 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1329 , H01L2224/13291 , H01L2224/133 , H01L2224/13393 , H01L2224/16148 , H01L2224/271 , H01L2224/2741 , H01L2224/27416 , H01L2224/27422 , H01L2224/27436 , H01L2224/27618 , H01L2224/27848 , H01L2224/29011 , H01L2224/2919 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81204 , H01L2224/81815 , H01L2224/81986 , H01L2224/83048 , H01L2224/83075 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83204 , H01L2224/83862 , H01L2224/83986 , H01L2224/9211 , H01L2224/92125 , H01L2224/92143 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2924/00015 , H01L2924/3511 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H01L2224/48 , H01L2224/83102 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/01006 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/81201 , C08L83/04 , H01L23/488 , H01L24/09 , H01L2224/091
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置的基板彼此或基板与元件的粘接良好，且它们的电性连接也良好。所述制造方法具备以下步骤：准备设置有衬垫或在衬垫上更设置有插头的第一基板与设置有插头的第二基板或元件；在第一基板的衬垫或插头及第二基板或元件的插头的至少一个上形成焊球；利用感光性绝缘层覆盖第一基板的衬垫形成面及第二基板或元件的插头形成面的至少一个；利用光刻在被感光性绝缘层覆盖的基板或元件中的衬垫或插头上形成开口；通过开口将第二基板或元件的插头经由焊球压接接合至第一基板的衬垫或插头；根据烘烤将第一基板的衬垫或插头与第二基板或元件的插头电性连接；利用烘烤将感光性绝缘层固化。
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