-
公开(公告)号：CN113557797B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202080020699.1
申请日：2020-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/31 , C23C16/505
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。分隔板具有绝缘性，将处理容器的内部分隔为载置被处理体的反应室和生成等离子体的等离子体生成室。此外，分隔板在等离子体生成室侧的面设置第一电极，形成有用于将在等离子体生成室内生成的等离子体所包含的活性种供给到反应室的多个贯通孔。第二电极与第一电极相对地配置在等离子体生成室。在等离子体生成室生成等离子体时，电功率供给部对第一电极和第二电极中的任一者供给将多个频率的高频电功率进行相位控制并叠加而成的高频电功率。
-
公开(公告)号：CN116941012A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280017209.1
申请日：2022-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 在基板处理中的处理条件的探索中，收集适当的数据。一种数据收集系统，具有：具有第1处理空间的第1基板处理装置、具有第2处理空间的第2基板处理装置、和与所述第1基板处理装置及第2基板处理装置连接的数据收集装置，具有：修正量计算部，比较通过在相同的处理条件下在所述第1处理空间和第2处理空间中分别处理相同或类似形状的基板而观测到的观测数据，计算出对通过在所述第2处理空间中进行处理而观测到的观测数据进行修正的修正量；和收集部，在通过在所述第2处理空间中改变处理条件来处理基板从而探索处理条件时，基于所述修正量来对通过在所述第2处理空间中进行处理而观测到的观测数据进行修正，并收集修正后的观测数据。
-
公开(公告)号：CN112956003A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201980071967.X
申请日：2019-10-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/318 , C23C16/04
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其包括：准备与基片的正面状态的测量结果相应的掩模的步骤；将上述掩模送入处理容器内的步骤；将上述基片送入上述处理容器内的步骤；和在上述基片的背面配置有上述掩模的状态下，对上述基片的背面进行成膜的步骤。
-
公开(公告)号：CN106409670B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201610597359.0
申请日：2016-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及基板处理装置的维护方法。在对晶圆进行加热处理时分解由于晶圆的处理而产生的升华物，从而抑制升华物附着于排气路径的情况。另外，在利用来自光源部的光对晶圆W进行加热等处理时将附着到透光窗的升华物去除。在处理容器的内表面形成热催化剂层，对该热催化剂层进行了加热。因此，在自晶圆上的涂敷膜升华而引入到处理容器内的升华物到达了热催化剂层的附近时，利用热催化剂层的热活性化从而升华物被分解去除。另外，在将附着到透光窗的升华物去除时，将在表面形成有热催化剂层的清洁用基板输入处理容器内，在将热催化剂层靠近了透光窗后，加热清洁用基板，从而将附着到透光窗的表面的升华物去除。
-
公开(公告)号：CN102754192B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201180008727.9
申请日：2011-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02057 , B08B5/02 , H01L21/02046 , H01L21/67028
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法，其能够清除基板上附着的异物，且防止基板和该基板上形成的膜的劣化。向附着有异物（22）且配置在几乎真空气氛中的晶片（W）以0.3MPa~2.0MPa中的任一压力喷雾清洗气体形成包含多个气体分子（20）的团簇（21），使该团簇（21）不离子化就向晶片（W）碰撞。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1606145B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200410080756.8
申请日：2004-10-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J2237/0048 , H01L21/67028
Abstract: 本发明提供一种防止微粒附着装置，为了防止在基板处理工序的装置内的微粒附着在基板上，在利用离子发生装置使微粒带电的同时，利用直流电源将与带电微粒同极性的直流电压施加在基板上。而且，在将气体导入基板处理工序的真空处理室的上下电极之间，将高频电压施加在上下电极上生成等离子体时，以多阶段顺序施加高频电压。即，在最初步骤中，将能够等离子体点火的最小限度的高频电压施加在上下电极上，生成最小限度等离子体，然后，分阶段地增加所施加电压，生成规定的等离子体。
-
公开(公告)号：CN101728243A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910207039.X
申请日：2009-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B08B7/0071 , B08B7/0064 , B08B7/02 , H01L21/67028 , H01L21/67115
Abstract: 本发明提供一种不会产生图案毁坏的基板清洗方法。在清洗、除去附着在晶片(W)表面的颗粒(P)的基板清洗方法中，具有：加热晶片(W)通过热应力使附着在晶片(W)表面的颗粒(P)从晶片(W)表面剥离的加热步骤；通过晶片(W)表面附近产生的温度梯度使颗粒(P)从晶片(W)表面脱离的脱离步骤；通过与晶片(W)相对配置的捕集板(13)捕集从晶片(W)表面脱离的颗粒(P)的颗粒(P)的捕集步骤。
-
公开(公告)号：CN101622688A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006702.3
申请日：2008-09-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: G05B23/024 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在以往的信息处理装置中，存在无法根据与半导体过程有关的时间序列数据精度良好地检测半导体过程的状态的问题。本发明具备：第一输入接受部(101)，接受作为与半导体过程有关的时间序列数据的第一信息；第二输入接受部(102)，接受作为与半导体过程有关的时间序列数据的第二信息；窗函数处理部(103)，使用窗函数取出第一信息的规定期间内的信息，得到窗取得信息；相关计算部(109)，计算窗函数处理部(107)取出的窗取得信息与第二信息之间的互相关函数；以及输出部(111)，输出与相关计算部(109)的计算结果相应的信息。
-
公开(公告)号：CN101526482A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910006536.3
申请日：2009-02-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 守屋刚
CPC classification number: G01N15/02
Abstract: 本发明提供即使是几乎没有与颗粒的发生原因有关知识的人员，也能够正确地判别颗粒的发生原因的颗粒发生原因判别系统和颗粒发生原因判别方法，判别颗粒的发生原因的颗粒发生原因判别系统(43)具备客户PC(47)和主服务器(48)，主服务器(48)具被保存计算与多个颗粒发生原因的各个有关的准确度的计算方法的程序的存储器；和基于各保存的程序，由颗粒分布图、各颗粒的材质、形状和尺寸，针对各颗粒发生原因计算上述准确度的CPU，客户PC(47)在显示器(51)上显示关于各颗粒发生原因计算出的准确度。
-
公开(公告)号：CN100494471C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510117628.0
申请日：2005-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4404
Abstract: 本发明提供能够确实地抑制水分的附着和脱离的陶瓷喷镀部件的制造方法、用于执行该方法的程序、存储介质、以及陶瓷喷镀部件。将具有基质材料(210)和由喷镀形成在基质材料(210)表面的喷镀膜(220)的陶瓷喷镀部件(200)，在含有丙酮、乙醇、以及异丙醇中的至少1种的有机溶剂中浸渍规定时间，去除吸附在喷镀膜(220)上的有机物，并在压力为202.65kPa以上、相对湿度为90%以上的环境下，通过在温度为100～300℃左右的炉中加热1～24小时，对喷镀膜(220)的外表面进行水合处理。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
126
records
(took 0.029 seconds)
