-
公开(公告)号：CN102763196B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201180010143.5
申请日：2011-02-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02063 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32816 , H01J37/32862 , H01L21/76808 , H01L21/76814
Abstract: 提供一种能够在保持图案形状的状态下清洗至图案底部的清洗方法。在保持为真空状态的处理容器（100）内对晶片（W）上的膜上形成有规定图案的晶片（W）进行清洗的方法，包括：利用所希望的清洁气体对通过蚀刻处理形成有规定图案的晶片（W）上的膜进行清洗的工序（前工序）；在前工序后，利用氧化性气体使图案表面的残渣氧化的工序（氧化工序）；和利用还原性气体使上述被氧化的残渣还原的工序（还原工序）。氧化工序和还原工序连续执行（连续工序）。前工序和连续工序中所使用的气体，通过从内部压力（PS）保持为比处理容器（100）的内部压力（P0）高的气体喷嘴（110）放出至处理容器（100）内而被团簇化。
-
公开(公告)号：CN102763196A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201180010143.5
申请日：2011-02-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02063 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32816 , H01J37/32862 , H01L21/76808 , H01L21/76814
Abstract: 提供一种能够在保持图案形状的状态下清洗至图案底部的清洗方法。在保持为真空状态的处理容器（100）内对晶片（W）上的膜上形成有规定图案的晶片（W）进行清洗的方法，包括：利用所希望的清洁气体对通过蚀刻处理形成有规定图案的晶片（W）上的膜进行清洗的工序（前工序）；在前工序后，利用氧化性气体使图案表面的残渣氧化的工序（氧化工序）；和利用还原性气体使上述被氧化的残渣还原的工序（还原工序）。氧化工序和还原工序连续执行（连续工序）。前工序和连续工序中所使用的气体，通过从内部压力（PS）保持为比处理容器（100）的内部压力（P0）高的气体喷嘴（110）放出至处理容器（100）内而被团簇化。
-
公开(公告)号：CN102754194A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180008696.7
申请日：2011-02-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/3205 , C23C14/32 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/76814 , C23C14/046 , C23C14/221 , C23C16/0281 , H01L21/02063 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/5222 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种基板的配线方法，其能够将Cu埋入至在基板上形成的配线用图案的底部。该基板的配线方法是在保持为真空状态的处理容器（100）内对形成有配线用图案的基板进行配线的方法，其特征在于：包括用所期望的清洗气体清洗晶片上的配线用图案的前工序和在前工序之后使用团簇化后的金属气体（金属气体团簇Cg）在配线用图案内埋入金属纳米粒子的埋入工序。
-
公开(公告)号：CN102349136A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201080011199.8
申请日：2010-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B3/14 , B08B7/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/02101 , H01L21/02071 , H01L21/67051 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法，其能够以简单的装置构造实施，用于以短时间对形成有微细图案的基板进行清洗，并不会对该微细图案坏带来影响。从对晶片(W)的表面实施规定的加工的处理腔室向实施晶片(W)的清洗的清洗腔室输送晶片(W)，在清洗腔内将晶片(W)冷却到规定温度，将作为超流体的超流动氦供给到晶片(W)的表面，从晶片(W)的表面使超流动氦流出，由此冲走微细图案内的污染成分。
-
公开(公告)号：CN102754192B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201180008727.9
申请日：2011-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02057 , B08B5/02 , H01L21/02046 , H01L21/67028
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法，其能够清除基板上附着的异物，且防止基板和该基板上形成的膜的劣化。向附着有异物（22）且配置在几乎真空气氛中的晶片（W）以0.3MPa~2.0MPa中的任一压力喷雾清洗气体形成包含多个气体分子（20）的团簇（21），使该团簇（21）不离子化就向晶片（W）碰撞。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102754194B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201180008696.7
申请日：2011-02-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/3205 , C23C14/32 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/76814 , C23C14/046 , C23C14/221 , C23C16/0281 , H01L21/02063 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/5222 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种基板的配线方法，其能够将Cu埋入至在基板上形成的配线用图案的底部。该基板的配线方法是在保持为真空状态的处理容器（100）内对形成有配线用图案的基板进行配线的方法，其特征在于：包括用所期望的清洗气体清洗晶片上的配线用图案的前工序和在前工序之后使用团簇化后的金属气体（金属气体团簇Cg）在配线用图案内埋入金属纳米粒子的埋入工序。
-
公开(公告)号：CN101728243A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910207039.X
申请日：2009-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B08B7/0071 , B08B7/0064 , B08B7/02 , H01L21/67028 , H01L21/67115
Abstract: 本发明提供一种不会产生图案毁坏的基板清洗方法。在清洗、除去附着在晶片(W)表面的颗粒(P)的基板清洗方法中，具有：加热晶片(W)通过热应力使附着在晶片(W)表面的颗粒(P)从晶片(W)表面剥离的加热步骤；通过晶片(W)表面附近产生的温度梯度使颗粒(P)从晶片(W)表面脱离的脱离步骤；通过与晶片(W)相对配置的捕集板(13)捕集从晶片(W)表面脱离的颗粒(P)的颗粒(P)的捕集步骤。
-
公开(公告)号：CN102024683B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201010286530.9
申请日：2010-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够在由基板制成的半导体器件的成品率较高的状态下开始规定的处理的处理开始可否的判定方法。在具备收纳晶片(W)的腔室(11)和对该腔室(11)进行排气的排气系统(14)的基板处理装置(10)中，在清洗了腔室(11)的构成部件之后，仅以规定的次数重复实施比用于半导体器件的制造的等离子体蚀刻处理更高温的气氛和/或更低压的气氛的干燥处理，对排气系统(14)的初步排气管路(15)内流动的颗粒的数量进行测算，并对该测算出的颗粒的数量的随时间经过的变动程度进行监视，在该监视中的颗粒数量的减少程度发生变化时，判定为等离子体蚀刻处理能够开始。
-
公开(公告)号：CN102754192A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180008727.9
申请日：2011-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02057 , B08B5/02 , H01L21/02046 , H01L21/67028
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法，其能够清除基板上附着的异物，且防止基板和该基板上形成的膜的劣化。向附着有异物（22）且配置在几乎真空气氛中的晶片（W）以0.3MPa~2.0MPa中的任一压力喷雾清洗气体形成包含多个气体分子（20）的团簇（21），使该团簇（21）不离子化就向晶片（W）碰撞。
-
公开(公告)号：CN102024683A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010286530.9
申请日：2010-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够在由基板制成的半导体器件的成品率较高的状态下开始规定的处理的处理开始可否的判定方法。在具备收纳晶片(W)的腔室(11)和对该腔室(11)进行排气的排气系统(14)的基板处理装置(10)中，在清洗了腔室(11)的构成部件之后，仅以规定的次数重复实施比用于半导体器件的制造的等离子体蚀刻处理更高温的气氛和/或更低压的气氛的干燥处理，对排气系统(14)的初步排气管路(15)内流动的颗粒的数量进行测算，并对该测算出的颗粒的数量的随时间经过的变动程度进行监视，在该监视中的颗粒数量的减少程度发生变化时，判定为等离子体蚀刻处理能够开始。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.021 seconds)
