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公开(公告)号：CN111668136B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202010118877.6
申请日：2020-02-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的基片处理装置包括液处理槽、移动机构、释放部和控制部。液处理槽贮存处理液。移动机构使浸渍于液处理槽中的多个基片移动至比处理液的液面靠上方的位置。释放部向多个基片的从液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气。控制部使释放部释放有机溶剂的蒸气的释放流量随着多个基片的上升而变化。由此，在通过使有机溶剂的蒸气与附着有处理液的基片接触而使基片干燥的技术中，能够提高处理液与有机溶剂的置换效率。
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公开(公告)号：CN111668136A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010118877.6
申请日：2020-02-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的基片处理装置包括液处理槽、移动机构、释放部和控制部。液处理槽贮存处理液。移动机构使浸渍于液处理槽中的多个基片移动至比处理液的液面靠上方的位置。释放部向多个基片的从液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气。控制部使释放部释放有机溶剂的蒸气的释放流量随着多个基片的上升而变化。由此，在通过使有机溶剂的蒸气与附着有处理液的基片接触而使基片干燥的技术中，能够提高处理液与有机溶剂的置换效率。
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公开(公告)号：CN112652552A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011060753.3
申请日：2020-09-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明涉及基板处理系统和基板处理方法。提供能够使基板处理系统小型化的技术。基板处理系统具有：送入送出部，其用于送入送出收纳多片所述基板的盒；批量处理部，其成批地处理包含多片基板的批次；单片处理部，其逐片处理所述批次的所述基板；以及接口部，其在所述批量处理部和所述单片处理部之间交接所述基板，所述送入送出部、所述单片处理部、所述接口部、所述批量处理部以该顺序排列，所述接口部包括：批次形成部，其形成所述批次；以及输送部，其将所述基板从所述单片处理部向所述批次形成部输送且将所述基板从所述批量处理部向所述单片处理部输送。
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公开(公告)号：CN111312619A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911273652.1
申请日：2019-12-12
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/311
摘要： 本发明提供基板处理装置和处理液浓缩方法。能够高效地使成为磷酸处理液的原料的磷酸水溶液浓缩成期望的浓度。本公开的一技术方案的基板处理装置包括：处理部，其利用处理液处理基板；以及处理液生成部，其生成向处理部供给的处理液。处理液生成部具有：储存部、循环管线、加热部以及喷嘴。储存部储存处理液。循环管线使储存于储存部的处理液循环。加热部加热处理液。喷嘴设于循环管线的下游侧，具有自储存于储存部的处理液的液面上方喷出由加热部加热了的处理液的喷出口。
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公开(公告)号：CN110610875B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201910509553.2
申请日：2019-06-13
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/306
摘要： 本发明提供一种能够削减处理液的废弃量的技术。本发明的基片处理装置包括处理槽、存积部、去除部、混合部和返回路径。处理槽使基片浸渍于包含药液和硅的处理液中进行该基片的蚀刻处理。存积部将从处理槽排出的处理液回收并存积。去除部回收从处理槽排出的处理液的一部分，从回收的处理液中去除硅。混合部将存积部中存积的处理液和由去除部去除了硅后的处理液混合。返回路径将由混合部混合后的处理液返回处理槽。
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公开(公告)号：CN114551280A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111332141.X
申请日：2021-11-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，是管理去除基板的一部分的去除量的技术。基板处理装置具备：盒块，其载置用于收容基板的盒；处理块，其处理所述基板；中继块，其在所述盒块与所述处理块之间中继所述基板；以及控制装置。所述处理块包括处理模块，所述处理模块进行去除所述基板的一部分的去除处理。所述中继块包括重量测定部，所述重量测定部测定由所述处理块处理之前的所述基板的重量、或者由所述处理块处理之后的所述基板的重量。所述控制装置包括去除量判定部，所述去除量判定部使用所述重量测定部的测定结果，来计算由所述处理块处理前后的所述基板的重量差，并判定所述去除处理的去除量是否在允许范围内。
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公开(公告)号：CN106409670B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201610597359.0
申请日：2016-07-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及基板处理装置的维护方法。在对晶圆进行加热处理时分解由于晶圆的处理而产生的升华物，从而抑制升华物附着于排气路径的情况。另外，在利用来自光源部的光对晶圆W进行加热等处理时将附着到透光窗的升华物去除。在处理容器的内表面形成热催化剂层，对该热催化剂层进行了加热。因此，在自晶圆上的涂敷膜升华而引入到处理容器内的升华物到达了热催化剂层的附近时，利用热催化剂层的热活性化从而升华物被分解去除。另外，在将附着到透光窗的升华物去除时，将在表面形成有热催化剂层的清洁用基板输入处理容器内，在将热催化剂层靠近了透光窗后，加热清洁用基板，从而将附着到透光窗的表面的升华物去除。
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公开(公告)号：CN111312619B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201911273652.1
申请日：2019-12-12
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/311
摘要： 本发明提供基板处理装置和处理液浓缩方法。能够高效地使成为磷酸处理液的原料的磷酸水溶液浓缩成期望的浓度。本公开的一技术方案的基板处理装置包括：处理部，其利用处理液处理基板；以及处理液生成部，其生成向处理部供给的处理液。处理液生成部具有：储存部、循环管线、加热部以及喷嘴。储存部储存处理液。循环管线使储存于储存部的处理液循环。加热部加热处理液。喷嘴设于循环管线的下游侧，具有自储存于储存部的处理液的液面上方喷出由加热部加热了的处理液的喷出口。
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公开(公告)号：CN114388398A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111120675.6
申请日：2021-09-24
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供降低疏水化剂的使用量，且使基片整体疏水化的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理槽、保持部、有机溶剂供给部、排液口、气体供给部和排气口。上述处理槽积存浸渍基片的水层。上述保持部保持上述基片。上述有机溶剂供给部对上述水层之上供给有机溶剂，形成上述有机溶剂的液层。上述排液口从上述处理槽的底壁将上述水层排出，使上述有机溶剂的上述液层从比上述基片靠上方处下降至比上述基片靠下方处。上述气体供给部在上述液层下降的期间，从上述处理槽的上方对上述液层供给疏水化剂的气体。上述排气口因上述液层的下降而在上述处理槽的侧壁露出，将上述疏水化剂的气体排出。
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公开(公告)号：CN112687577A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011078492.8
申请日：2020-10-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供在进行批处理的基片处理装置中，能够抑制排液管路的堵塞的基片处理装置和装置清洗方法。本发明的基片处理装置包括：处理槽、承液部、承液部排出管、贮存部、第一液供给管、第二液供给管、释放管、第一液流量调节部和第二液流量调节部。承液部承接从处理槽洒出的处理液。承液部排出管从承液部排出处理液。第一液供给管供给清洗液的第一液，该清洗液含有第一液和第二液，用于除去来自处理液的析出物。第二液供给管供给第二液。释放管与第一液供给管和第二液供给管连接，向承液部释放清洗液、第一液或第二液。第一液流量调节部设置于第一液供给管，调节在第一液供给管中流动的第一液的流量。第二液流量调节部设置于第二液供给管，调节在第二液供给管中流动的第二液的流量。
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