公开(公告)号：CN114496884A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111211452.0

申请日：2021-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 立花康三 ,  森川胜洋 ,  水永耕市 ,  饱本正巳 ,  根岸康介

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。在使基板吸附于利用加热器加热的基板台并进行基板处理时，降低基板的吸附时产生于基板的背面的损伤。基板处理方法为在基板处理装置中对基板进行液处理的方法，该基板处理装置包括：基板台，其吸附所述基板；加热器，其加热所述基板台；以及处理液喷嘴，其向吸附于所述基板台的所述基板供给处理液，其中，该基板处理方法包括：吸附工序，在该吸附工序中，在所述基板与所述基板台之间没有温度差或温度差在预先确定的范围内时，利用所述基板台吸附所述基板；以及所述吸附工序之后的处理液供给工序，在该处理液供给工序中，自所述处理液喷嘴向吸附于利用所述加热器加热的所述基板台的所述基板供给处理液。

公开(公告)号：CN109545709A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811107656.8

申请日：2018-09-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岩坂英昭 ,  水永耕市 ,  林田贵大

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供加热处理装置和加热处理方法。在将基板在热处理空间中加热之际，防止热处理空间内的气流的停滞的产生而使升华物的排气所需要的排气量减少。热处理空间(S)的侧面部由具有外侧闸门(260)和内侧闸门(270)的闸门构件(250)构成。供气(A)从处于与载置台(210)的热板(211)上的晶圆(W)相同的高度的、闸门构件(250)下端部的空隙(d1)成为水平层流而朝向晶圆(W)供给，供气(B)从处于比晶圆(W)高的位置的闸门构件(250)的上端部的空隙(d2)向热处理空间(S)内供给。供气(A)的流量与供气(B)的流量的流量比是4：1。

公开(公告)号：CN102446801A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110306096.0

申请日：2011-09-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 水永耕市 ,  大岛和彦 ,  高木康弘

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67178 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/6875

Abstract: 本发明提供一种不因将基板交接到热处理板时的基板的横向滑动所致的位置偏移、实施加热处理的适当处理的热处理装置(方法)。包括：用于在热处理板(60)的基板载置面与基板的背面之间取得第一间隙距离的、自由伸缩的弹性部件形成的多个第一载置支承部件(64)；用于在基板载置面与基板背面之间设置比上述第一间隙距离小的间隙距离的第二间隙距离的多个第二载置支承部件(62)；和设置于热处理板(60)的基板载置面、用于吸引与上述基板的背面的间隙的空间的多个吸引孔(63)，通过上述吸引孔吸引被支承于第一载置支承部件(64)上的基板来使第一载置支承部件(64)收缩而将基板支承于第二载置支承部件(62)上。

公开(公告)号：CN101799624A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200910258112.6

申请日：2009-12-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 水永耕市

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67748 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68707

Abstract: 本发明提供一种在高生产率的系统中削减无用的时间、具有交接基板的功能且迅速将高温基板降温调节至规定温度的基板处理装置。其包括加热处理晶圆(W)的加热处理部、自加热处理部接收由加热处理部加热处理后的晶圆并将其载置于交接部的第1输送臂(A1)、具有自该交接部接收载置于交接部的晶圆并将其输送的板状镊子状构件(34)的第2输送臂(C)，交接部包括：具有载置晶圆的冷却面(11b)的冷却板(11)；设置在冷却板的内部且流通将该冷却板冷却至比加热处理温度低的温度调节水的温度调节流路(16)；设置于冷却板的冷却面并且是比第2输送臂的基板保持部的平面形状稍大的相似形状、而且能够使保持平面相对于冷却面突出、没入的凹部(11a)。

公开(公告)号：CN118841346A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410827977.4

申请日：2019-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森川胜洋 ,  饱本正巳 ,  守田聪 ,  水永耕市

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。相对于基板周围的腐蚀性的环境来保护用于向加热器的供电和加热器的控制的电气部件。基板处理装置具备：旋转驱动机构，其使保持着基板的旋转台绕旋转轴线旋转；处理液喷嘴，其向保持于旋转台的基板的上表面供给处理液；电加热器，其设置于顶板，隔着顶板对基板进行加热；电气部件，其设置于顶板的下表面侧，接收或发送用于向电加热器的供电和电加热器的控制的信号；以及周缘罩体，其与顶板的周缘部连接，与顶板一起旋转。在顶板的下方形成有收纳电气部件的收纳空间，收纳空间被包括顶板和周缘罩体的包围构造物包围，顶板的周缘部与周缘罩体之间被密封。

公开(公告)号：CN110957241B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN201910915803.2

申请日：2019-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守田聪 ,  饱本正巳 ,  森川胜洋 ,  水永耕市

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在以将基板保持于旋转台的状态进行基板的处理的基板处理中提高基板温度的控制精度。具备：旋转驱动机构，其使保持着基板的旋转台旋转；电加热器，其与旋转台一起旋转地设于旋转台，并加热基板；受电电极，其与旋转台一起旋转地设于旋转台，与电加热器电连接；供电电极，其与受电电极接触而经由它向电加热器供给驱动电力；电极移动机构，其使供电电极和受电电极相对接触、分离；供电部，其向供电电极供给驱动电力；处理杯，其包围旋转台的周围；至少1个处理液喷嘴，其向基板供给处理液；处理液供给机构，其向处理液喷嘴供给处理液；控制部，其控制电极移动机构、供电部、旋转驱动机构以及处理液供给机构。

公开(公告)号：CN110957242B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN201910915822.5

申请日：2019-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森川胜洋 ,  饱本正巳 ,  守田聪 ,  水永耕市

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。相对于基板周围的腐蚀性的环境来保护用于向加热器的供电和加热器的控制的电气部件。基板处理装置具备：旋转驱动机构，其使保持着基板的旋转台绕旋转轴线旋转；处理液喷嘴，其向保持于旋转台的基板的上表面供给处理液；电加热器，其设置于顶板，隔着顶板对基板进行加热；电气部件，其设置于顶板的下表面侧，接收或发送用于向电加热器的供电和电加热器的控制的信号；以及周缘罩体，其与顶板的周缘部连接，与顶板一起旋转。在顶板的下方形成有收纳电气部件的收纳空间，收纳空间被包括顶板和周缘罩体的包围构造物包围，顶板的周缘部与周缘罩体之间被密封。

公开(公告)号：CN110957256B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN201910915946.3

申请日：2019-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 水永耕市 ,  饱本正巳 ,  守田聪 ,  森川胜洋

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。能够在以将基板吸附于旋转台的状态进行基板的处理的基板处理装置中，容易地更换旋转台中的、与基板接触的部分。基板处理装置具备：旋转台，其具备：底座，其具有设置有至少1个抽吸口的表面；和吸附板，其具有：表面，其与基板的非处理面接触而吸附基板；背面，其与底座的表面接触；以及至少1个贯通孔，其将表面和背面连接；旋转驱动机构，其使旋转台绕旋转轴线旋转；以及抽吸部，其使抽吸力作用于底座的抽吸口，通过使抽吸力作用于所述底座与所述吸附板之间，从而使底座与吸附板密合，且通过使抽吸力经由至少1个贯通孔作用于吸附板与基板之间，从而使吸附板与基板密合。

公开(公告)号：CN109545709B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN201811107656.8

申请日：2018-09-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岩坂英昭 ,  水永耕市 ,  林田贵大

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供加热处理装置和加热处理方法。在将基板在热处理空间中加热之际，防止热处理空间内的气流的停滞的产生而使升华物的排气所需要的排气量减少。热处理空间(S)的侧面部由具有外侧闸门(260)和内侧闸门(270)的闸门构件(250)构成。供气(A)从处于与载置台(210)的热板(211)上的晶圆(W)相同的高度的、闸门构件(250)下端部的空隙(d1)成为水平层流而朝向晶圆(W)供给，供气(B)从处于比晶圆(W)高的位置的闸门构件(250)的上端部的空隙(d2)向热处理空间(S)内供给。供气(A)的流量与供气(B)的流量的流量比是4：1。

公开(公告)号：CN115985807A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211221700.4

申请日：2022-10-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 水永耕市 ,  武井利亲

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本公开涉及一种基板处理装置，能够提高热处理中的基板的吸附性，从而提高热处理的均匀性。热处理单元(U2)具备：热板(20)，其用于载置晶圆(W)，并且对所载置的晶圆(W)进行加热；多个间隙构件(22)，所述多个间隙构件(22)沿着热板(20)的用于载置晶圆(W)的表面(20a)形成，用于支承晶圆(W)并在热板(20)与晶圆(W)之间确保空隙(V)；吸引部(70)，其将晶圆(W)以朝向热板(20)的方式进行吸引；以及升降销(51)，其以贯通热板(20)的方式设置，所述升降销(51)通过进行升降来使载置于热板(20)的晶圆(W)升降，热板(20)的表面(20a)具有随着从外侧去向内侧而向下方倾斜的凹状区域(20d)。