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公开(公告)号：CN111653502B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202010111245.7
申请日：2020-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的基片处理装置包括液处理槽、移动机构、释放部和控制部。液处理槽贮存处理液。移动机构使浸渍于液处理槽的多个基片移动至比处理液的液面靠上方处。释放部向多个基片的从液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气。控制部使释放部释放有机溶剂的蒸气的释放位置随着多个基片的上升而上升。本发明在通过使有机溶剂的蒸气与附着有处理液的基片接触而使基片干燥的技术中，提高处理液与有机溶剂的置换效率。
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公开(公告)号：CN110010520A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811464878.5
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/673 , H01L21/677 , H01L21/30
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。抑制基板从支承槽脱落。实施方式的基板处理装置具备基板保持部和处理槽。基板保持部保持多个基板。处理槽积存处理液。另外，基板保持部具备支承体、升降机构以及限制部。支承体具有多个支承槽，从下方将立起状态的多个基板分别支承于多个支承槽中。升降机构使支承体在处理槽的上方的待机位置与处理槽的内部的处理位置之间升降。限制部与支承体一起利用升降机构升降，限制基板相对于支承体向上方移动。
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公开(公告)号：CN108695208A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810292833.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67086 , H01L21/67051 , H01L21/67057
Abstract: 本发明提供一种对于防止用于向处理液供给气体的喷嘴的堵塞有效的基板液处理装置。基板液处理装置(A1)具备：处理槽(41)，其容纳处理液(43)和基板(8)；气体喷嘴(70)，其在处理槽(41)内的下部喷出气体；以及气体供给部(89)，其向气体喷嘴(70)供给气体，其中，气体喷嘴(70)具有：管状的主体(71)，其以沿着处理槽(41)的底面的方式进行配置；以及喷出孔(77)，其形成为贯通主体(71)的内表面(73)与外表面(74)之间，并且开口面积随着从内表面(73)侧朝向外表面(74)侧而变小。
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公开(公告)号：CN110010520B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201811464878.5
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/673 , H01L21/677 , H01L21/30
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。抑制基板从支承槽脱落。实施方式的基板处理装置具备基板保持部和处理槽。基板保持部保持多个基板。处理槽积存处理液。另外，基板保持部具备支承体、升降机构以及限制部。支承体具有多个支承槽，从下方将立起状态的多个基板分别支承于多个支承槽中。升降机构使支承体在处理槽的上方的待机位置与处理槽的内部的处理位置之间升降。限制部与支承体一起利用升降机构升降，限制基板相对于支承体向上方移动。
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公开(公告)号：CN107086172B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201710086419.7
申请日：2017-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种液处理方法和基板处理装置。其中，能够迅速地获得进行基板的表面的憎水化处理、且将存在于基板的图案内的纯水、憎水剂去除而干燥的基板。在向水平地保持的基板(W)供给了纯水之后、进行基板(W)的干燥时，在第1溶剂供给工序中，向供给纯水后的基板(W)的表面供给第1溶剂，在之后的憎水剂供给工序中，向基板(W)的表面供给憎水剂。在第2溶剂供给工序中，向憎水化之后的基板(W)的表面供给第2溶剂，在之后的干燥工序中将基板(W)的表面的第2溶剂去除。并且，第1溶剂的比重比所述憎水剂的比重小，所述第2溶剂的比重比该憎水剂的比重大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111653502A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010111245.7
申请日：2020-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的基片处理装置包括液处理槽、移动机构、释放部和控制部。液处理槽贮存处理液。移动机构使浸渍于液处理槽的多个基片移动至比处理液的液面靠上方处。释放部向多个基片的从液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气。控制部使释放部释放有机溶剂的蒸气的释放位置随着多个基片的上升而上升。本发明在通过使有机溶剂的蒸气与附着有处理液的基片接触而使基片干燥的技术中，提高处理液与有机溶剂的置换效率。
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公开(公告)号：CN118231325A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410274298.9
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。抑制基板从支承槽脱落。实施方式的基板处理装置具备基板保持部和处理槽。基板保持部保持多个基板。处理槽积存处理液。另外，基板保持部具备支承体、升降机构以及限制部。支承体具有多个支承槽，从下方将立起状态的多个基板分别支承于多个支承槽中。升降机构使支承体在处理槽的上方的待机位置与处理槽的内部的处理位置之间升降。限制部与支承体一起利用升降机构升降，限制基板相对于支承体向上方移动。
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公开(公告)号：CN108376660B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201810096859.5
申请日：2018-01-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板液处理装置。防止从内槽内的处理液的表面飞散的处理液的飞沫飞散到内槽的外侧的意料之外的区域。基板液处理装置具备盖体(71、72)，该盖体(71、72)能够在使内槽(34A)的上部开口封闭的封闭位置与使内槽的上部开口开放的开放位置之间移动。盖体具有：主体部(71A、72A)，其在该盖体位于封闭位置时覆盖内槽的上部开口；以及飞沫遮蔽部(71B、72B、71D、72D)，其连接到主体部。在盖体位于封闭位置时，飞沫遮蔽部从比与该飞沫遮蔽部相邻的内槽的侧壁的上端高的高度位置延伸至比该侧壁靠外槽那一侧且比该侧壁的上端低的位置。
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公开(公告)号：CN114388398A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111120675.6
申请日：2021-09-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供降低疏水化剂的使用量，且使基片整体疏水化的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理槽、保持部、有机溶剂供给部、排液口、气体供给部和排气口。上述处理槽积存浸渍基片的水层。上述保持部保持上述基片。上述有机溶剂供给部对上述水层之上供给有机溶剂，形成上述有机溶剂的液层。上述排液口从上述处理槽的底壁将上述水层排出，使上述有机溶剂的上述液层从比上述基片靠上方处下降至比上述基片靠下方处。上述气体供给部在上述液层下降的期间，从上述处理槽的上方对上述液层供给疏水化剂的气体。上述排气口因上述液层的下降而在上述处理槽的侧壁露出，将上述疏水化剂的气体排出。
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公开(公告)号：CN108376660A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810096859.5
申请日：2018-01-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67086 , H01L21/67034 , H01L21/67057 , H01L21/67309 , H01L21/67313 , H01L21/67742 , H01L21/67751 , H01L21/67757
Abstract: 本发明提供一种基板液处理装置。防止从内槽内的处理液的表面飞散的处理液的飞沫飞散到内槽的外侧的意料之外的区域。基板液处理装置具备盖体(71、72)，该盖体(71、72)能够在使内槽(34A)的上部开口封闭的封闭位置与使内槽的上部开口开放的开放位置之间移动。盖体具有：主体部(71A、72A)，其在该盖体位于封闭位置时覆盖内槽的上部开口；以及飞沫遮蔽部(71B、72B、71D、72D)，其连接到主体部。在盖体位于封闭位置时，飞沫遮蔽部从比与该飞沫遮蔽部相邻的内槽的侧壁的上端高的高度位置延伸至比该侧壁靠外槽那一侧且比该侧壁的上端低的位置。
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