公开(公告)号：CN107086172A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710086419.7

申请日：2017-02-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川渕洋介 ,  立花康三 ,  中森光则 ,  大石幸太郎 ,  江头佳祐 ,  田中幸二 ,  稻富弘朗 ,  山下刚秀 ,  福田喜辉 ,  山下浩司 ,  钓船祐 ,  增住拓朗

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02041 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提供一种液处理方法和基板处理装置。其中，能够迅速地获得进行基板的表面的憎水化处理、且将存在于基板的图案内的纯水、憎水剂去除而干燥的基板。在向水平地保持的基板(W)供给了纯水之后、进行基板(W)的干燥时，在第1溶剂供给工序中，向供给纯水后的基板(W)的表面供给第1溶剂，在之后的憎水剂供给工序中，向基板(W)的表面供给憎水剂。在第2溶剂供给工序中，向憎水化之后的基板(W)的表面供给第2溶剂，在之后的干燥工序中将基板(W)的表面的第2溶剂去除。并且，第1溶剂的比重比所述憎水剂的比重小，所述第2溶剂的比重比该憎水剂的比重大。

公开(公告)号：CN107086172B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201710086419.7

申请日：2017-02-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川渕洋介 ,  立花康三 ,  中森光则 ,  大石幸太郎 ,  江头佳祐 ,  田中幸二 ,  稻富弘朗 ,  山下刚秀 ,  福田喜辉 ,  山下浩司 ,  钓船祐 ,  增住拓朗

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种液处理方法和基板处理装置。其中，能够迅速地获得进行基板的表面的憎水化处理、且将存在于基板的图案内的纯水、憎水剂去除而干燥的基板。在向水平地保持的基板(W)供给了纯水之后、进行基板(W)的干燥时，在第1溶剂供给工序中，向供给纯水后的基板(W)的表面供给第1溶剂，在之后的憎水剂供给工序中，向基板(W)的表面供给憎水剂。在第2溶剂供给工序中，向憎水化之后的基板(W)的表面供给第2溶剂，在之后的干燥工序中将基板(W)的表面的第2溶剂去除。并且，第1溶剂的比重比所述憎水剂的比重小，所述第2溶剂的比重比该憎水剂的比重大。