-
公开(公告)号：CN105702603A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510916892.4
申请日：2015-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种在对形成于晶片的涂敷膜进行加热处理时，能够防止升华物向处理容器外部泄露且对于涂敷膜的膜厚能够获得良好的面内均匀性的技术。在将涂敷有SOC膜的晶片载置于处理容器(1)内，加热晶片使交联反应进行时，一边从中央排气口(34)以少的流量排气，并从外周排气口(31)以大的流量排气，一边使交联反应进行。在另一例中，从晶片的加热开始起仅进行外周排气口(31)的排气，从晶片的加热开始起20秒后除了从外周排气口(31)排气之外，还从中央排气口(34)排气。在又一例中，从晶片的加热开始的20秒间仅从外周排气口(31)排气，之后，停止外周排气口(31)的排气，并且从中央排气口(34)排气。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111025850B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201910954931.8
申请日：2019-10-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种在多个基板之间进行均匀性高的处理的涂布显影装置和涂布显影方法。该涂布显影装置构成为具备：处理块，其具备上下地层叠并且彼此划分开的多个基板搬送区域；处理模块，其分别设置于多个基板搬送区域；搬送机构，其分别设置于多个基板搬送区域，在搬送块与处理模块之间搬送基板；温度调整模块，其为了调整多个处理模块中的至少一个处理模块中的基板的温度，而调整向该一个处理模块搬送前的该基板的温度，被搬送机构进行温度调整后的该基板的搬出；温度传感器，其检测多个基板搬送区域中的至少一个基板搬送区域的气氛温度；以及温度变更机构，其基于由温度传感器检测出的所述气氛温度来变更温度调整模块中的基板的温度。
-
公开(公告)号：CN106409670B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201610597359.0
申请日：2016-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及基板处理装置的维护方法。在对晶圆进行加热处理时分解由于晶圆的处理而产生的升华物，从而抑制升华物附着于排气路径的情况。另外，在利用来自光源部的光对晶圆W进行加热等处理时将附着到透光窗的升华物去除。在处理容器的内表面形成热催化剂层，对该热催化剂层进行了加热。因此，在自晶圆上的涂敷膜升华而引入到处理容器内的升华物到达了热催化剂层的附近时，利用热催化剂层的热活性化从而升华物被分解去除。另外，在将附着到透光窗的升华物去除时，将在表面形成有热催化剂层的清洁用基板输入处理容器内，在将热催化剂层靠近了透光窗后，加热清洁用基板，从而将附着到透光窗的表面的升华物去除。
-
公开(公告)号：CN105702603B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201510916892.4
申请日：2015-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种在对形成于晶片的涂敷膜进行加热处理时，能够防止升华物向处理容器外部泄露且对于涂敷膜的膜厚能够获得良好的面内均匀性的技术。在将涂敷有SOC膜的晶片载置于处理容器(1)内，加热晶片使交联反应进行时，一边从中央排气口(34)以少的流量排气，并从外周排气口(31)以大的流量排气，一边使交联反应进行。在另一例中，从晶片的加热开始起仅进行外周排气口(31)的排气，从晶片的加热开始起20秒后除了从外周排气口(31)排气之外，还从中央排气口(34)排气。在又一例中，从晶片的加热开始的20秒间仅从外周排气口(31)排气，之后，停止外周排气口(31)的排气，并且从中央排气口(34)排气。
-
公开(公告)号：CN111025850A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201910954931.8
申请日：2019-10-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种在多个基板之间进行均匀性高的处理的涂布显影装置和涂布显影方法。该涂布显影装置构成为具备：处理块，其具备上下地层叠并且彼此划分开的多个基板搬送区域；处理模块，其分别设置于多个基板搬送区域；搬送机构，其分别设置于多个基板搬送区域，在搬送块与处理模块之间搬送基板；温度调整模块，其为了调整多个处理模块中的至少一个处理模块中的基板的温度，而调整向该一个处理模块搬送前的该基板的温度，被搬送机构进行温度调整后的该基板的搬出；温度传感器，其检测多个基板搬送区域中的至少一个基板搬送区域的气氛温度；以及温度变更机构，其基于由温度传感器检测出的所述气氛温度来变更温度调整模块中的基板的温度。
-
公开(公告)号：CN106409670A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610597359.0
申请日：2016-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及基板处理装置的维护方法。在对晶圆进行加热处理时分解由于晶圆的处理而产生的升华物，从而抑制升华物附着于排气路径的情况。另外，在利用来自光源部的光对晶圆W进行加热等处理时将附着到透光窗的升华物去除。在处理容器的内表面形成热催化剂层，对该热催化剂层进行了加热。因此，在自晶圆上的涂敷膜升华而引入到处理容器内的升华物到达了热催化剂层的附近时，利用热催化剂层的热活性化从而升华物被分解去除。另外，在将附着到透光窗的升华物去除时，将在表面形成有热催化剂层的清洁用基板输入处理容器内，在将热催化剂层靠近了透光窗后，加热清洁用基板，从而将附着到透光窗的表面的升华物去除。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.023 seconds)
