公开(公告)号：CN105702603A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510916892.4

申请日：2015-12-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 水田诚人 ,  川路辰也 ,  中野圭悟

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供一种在对形成于晶片的涂敷膜进行加热处理时，能够防止升华物向处理容器外部泄露且对于涂敷膜的膜厚能够获得良好的面内均匀性的技术。在将涂敷有SOC膜的晶片载置于处理容器(1)内，加热晶片使交联反应进行时，一边从中央排气口(34)以少的流量排气，并从外周排气口(31)以大的流量排气，一边使交联反应进行。在另一例中，从晶片的加热开始起仅进行外周排气口(31)的排气，从晶片的加热开始起20秒后除了从外周排气口(31)排气之外，还从中央排气口(34)排气。在又一例中，从晶片的加热开始的20秒间仅从外周排气口(31)排气，之后，停止外周排气口(31)的排气，并且从中央排气口(34)排气。

公开(公告)号：CN105702603B

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201510916892.4

申请日：2015-12-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 水田诚人 ,  川路辰也 ,  中野圭悟

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供一种在对形成于晶片的涂敷膜进行加热处理时，能够防止升华物向处理容器外部泄露且对于涂敷膜的膜厚能够获得良好的面内均匀性的技术。在将涂敷有SOC膜的晶片载置于处理容器(1)内，加热晶片使交联反应进行时，一边从中央排气口(34)以少的流量排气，并从外周排气口(31)以大的流量排气，一边使交联反应进行。在另一例中，从晶片的加热开始起仅进行外周排气口(31)的排气，从晶片的加热开始起20秒后除了从外周排气口(31)排气之外，还从中央排气口(34)排气。在又一例中，从晶片的加热开始的20秒间仅从外周排气口(31)排气，之后，停止外周排气口(31)的排气，并且从中央排气口(34)排气。

公开(公告)号：CN105374711B

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201510486773.X

申请日：2015-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 水田诚人 ,  高柳康治

IPC: H01L21/67 ,  G03F7/16

Abstract: 本发明提供基板加热装置，包括：多个加热模块，其包括对基板进行处理的处理容器；和与各加热模块共用的排气路径，该基板加热装置高精度控制各加热模块中的排气量。基板加热装置包括：多个加热模块，各自包括用于对上述处理容器内的处理氛围取入清洁用的气体的供气口和对处理氛围进行排气的排气口；与各个排气口连接的单独排气路径；与各单独排气路径的下游端共同连接的共用排气路径；分支地设于各单独排气路径的、在处理容器的外部开口的分支路径；和排气量调节部，其调节从排气口侧排出到共用排气路径的排气量和从处理容器的外部经由分支路径取入到共用排气路径的取入量的流量比。由此抑制从各单独排气路径向共用排气路径的气体流量的变动。

公开(公告)号：CN105374711A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510486773.X

申请日：2015-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 水田诚人 ,  高柳康治

IPC: H01L21/67 ,  G03F7/16

Abstract: 本发明提供基板加热装置，包括：多个加热模块，其包括对基板进行处理的处理容器；和与各加热模块共用的排气路径，该基板加热装置高精度控制各加热模块中的排气量。基板加热装置包括：多个加热模块，各自包括用于对上述处理容器内的处理氛围取入清洁用的气体的供气口和对处理氛围进行排气的排气口；与各个排气口连接的单独排气路径；与各单独排气路径的下游端共同连接的共用排气路径；分支地设于各单独排气路径的、在处理容器的外部开口的分支路径；和排气量调节部，其调节从排气口侧排出到共用排气路径的排气量和从处理容器的外部经由分支路径取入到共用排气路径的取入量的流量比。由此抑制从各单独排气路径向共用排气路径的气体流量的变动。