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公开(公告)号：CN105097612A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510232817.6
申请日：2015-05-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67103
Abstract: 本发明提供能够对在升温的过程产生翘曲的基板均匀且迅速地进行加热的热处理装置和热处理方法。在热处理装置(1)中，被调节至加热温度的加热板(2)用于载置在升温的过程中产生翘曲且之后恢复到平坦的基板(W)，支承构件(3)自基板(W)的下表面侧支承基板(W)并利用升降机构(31、32)在上方侧的交接位置与加热板(2)的下方侧的位置之间升降。控制部(4)进行控制，以便在使基板(W)自交接位置下降的期间内，在加热板(2)的上方侧，利用来自该加热板(2)的热量使基板(W)升温到产生翘曲的温度，接着，在经过基板(W)恢复到平坦的恢复时间之后，将该基板(W)载置于加热板(2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105702603B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201510916892.4
申请日：2015-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种在对形成于晶片的涂敷膜进行加热处理时，能够防止升华物向处理容器外部泄露且对于涂敷膜的膜厚能够获得良好的面内均匀性的技术。在将涂敷有SOC膜的晶片载置于处理容器(1)内，加热晶片使交联反应进行时，一边从中央排气口(34)以少的流量排气，并从外周排气口(31)以大的流量排气，一边使交联反应进行。在另一例中，从晶片的加热开始起仅进行外周排气口(31)的排气，从晶片的加热开始起20秒后除了从外周排气口(31)排气之外，还从中央排气口(34)排气。在又一例中，从晶片的加热开始的20秒间仅从外周排气口(31)排气，之后，停止外周排气口(31)的排气，并且从中央排气口(34)排气。
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公开(公告)号：CN118448298A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410117464.4
申请日：2024-01-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请涉及热处理装置和热处理方法。在对处理空间内的基板进行加热处理的情况下提高加热处理结果的面内均匀性。一种热处理装置，其对基板进行加热处理，其中，该热处理装置具备：热板，其载置所述基板，加热该载置的基板；上部盖，其覆盖所述热板的上方的处理空间，形成作为所述基板相对于所述处理空间送入送出的送入送出口的开口；排气部，其设置在俯视时与所述开口隔着所述热板相对的位置，从所述处理空间排气；闸门，其构成为能够覆盖所述开口的下部；以及气流引导件，其设于与所述闸门分离开的位置，所述气流引导件使由于所述排气部的排气而从由所述闸门覆盖下部的所述开口的上部流入所述处理空间的气体向上侧和下侧分流。
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公开(公告)号：CN105097612B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201510232817.6
申请日：2015-05-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够对在升温的过程产生翘曲的基板均匀且迅速地进行加热的热处理装置和热处理方法。在热处理装置(1)中，被调节至加热温度的加热板(2)用于载置在升温的过程中产生翘曲且之后恢复到平坦的基板(W)，支承构件(3)自基板(W)的下表面侧支承基板(W)并利用升降机构(31、32)在上方侧的交接位置与加热板(2)的下方侧的位置之间升降。控制部(4)进行控制，以便在使基板(W)自交接位置下降的期间内，在加热板(2)的上方侧，利用来自该加热板(2)的热量使基板(W)升温到产生翘曲的温度，接着，在经过基板(W)恢复到平坦的恢复时间之后，将该基板(W)载置于加热板(2)。
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公开(公告)号：CN105702603A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510916892.4
申请日：2015-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种在对形成于晶片的涂敷膜进行加热处理时，能够防止升华物向处理容器外部泄露且对于涂敷膜的膜厚能够获得良好的面内均匀性的技术。在将涂敷有SOC膜的晶片载置于处理容器(1)内，加热晶片使交联反应进行时，一边从中央排气口(34)以少的流量排气，并从外周排气口(31)以大的流量排气，一边使交联反应进行。在另一例中，从晶片的加热开始起仅进行外周排气口(31)的排气，从晶片的加热开始起20秒后除了从外周排气口(31)排气之外，还从中央排气口(34)排气。在又一例中，从晶片的加热开始的20秒间仅从外周排气口(31)排气，之后，停止外周排气口(31)的排气，并且从中央排气口(34)排气。
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公开(公告)号：CN221947099U
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202420204661.5
申请日：2024-01-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请涉及热处理装置。在对处理空间内的基板进行加热处理的情况下提高加热处理结果的面内均匀性。一种热处理装置，其对基板进行加热处理，其中，该热处理装置具备：热板，其载置所述基板，加热该载置的基板；上部盖，其覆盖所述热板的上方的处理空间，形成作为所述基板相对于所述处理空间送入送出的送入送出口的开口；排气部，其设置在俯视时与所述开口隔着所述热板相对的位置，从所述处理空间排气；闸门，其构成为能够覆盖所述开口的下部；以及气流引导件，其设于与所述闸门分离开的位置，所述气流引导件使由于所述排气部的排气而从由所述闸门覆盖下部的所述开口的上部流入所述处理空间的气体向上侧和下侧分流。
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