公开(公告)号：CN106409670B

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201610597359.0

申请日：2016-07-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 牟田行志 ,  守屋刚 ,  森拓也 ,  竹下和宏 ,  江崎智规 ,  水永耕市 ,  田中雅山 ,  金川耕三 ,  中野圭悟

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及基板处理装置的维护方法。在对晶圆进行加热处理时分解由于晶圆的处理而产生的升华物，从而抑制升华物附着于排气路径的情况。另外，在利用来自光源部的光对晶圆W进行加热等处理时将附着到透光窗的升华物去除。在处理容器的内表面形成热催化剂层，对该热催化剂层进行了加热。因此，在自晶圆上的涂敷膜升华而引入到处理容器内的升华物到达了热催化剂层的附近时，利用热催化剂层的热活性化从而升华物被分解去除。另外，在将附着到透光窗的升华物去除时，将在表面形成有热催化剂层的清洁用基板输入处理容器内，在将热催化剂层靠近了透光窗后，加热清洁用基板，从而将附着到透光窗的表面的升华物去除。

公开(公告)号：CN113227453A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980085147.6

申请日：2019-12-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 稻富裕一郎 ,  江崎智规

IPC: C23C18/31

Abstract: 向基板供给镀液的基板液处理装置具备：基板保持部，其用于保持基板；镀液送出部，其向第一流路送出镀液；温度调整部，其经由第一流路来与镀液送出部连接，对经由第一流路供给的流体的温度进行调整；推出流体送出部，其向第一流路送出与镀液不同的推出流体；以及喷出部，其经由第二流路来与温度调整部连接，喷出经由第二流路供给的流体。

公开(公告)号：CN113227453B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN201980085147.6

申请日：2019-12-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 稻富裕一郎 ,  江崎智规

IPC: C23C18/31

Abstract: 向基板供给镀液的基板液处理装置具备：基板保持部，其用于保持基板；镀液送出部，其向第一流路送出镀液；温度调整部，其经由第一流路来与镀液送出部连接，对经由第一流路供给的流体的温度进行调整；推出流体送出部，其向第一流路送出与镀液不同的推出流体；以及喷出部，其经由第二流路来与温度调整部连接，喷出经由第二流路供给的流体。

公开(公告)号：CN106409670A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610597359.0

申请日：2016-07-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 牟田行志 ,  守屋刚 ,  森拓也 ,  竹下和宏 ,  江崎智规 ,  水永耕市 ,  田中雅山 ,  金川耕三 ,  中野圭悟

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及基板处理装置的维护方法。在对晶圆进行加热处理时分解由于晶圆的处理而产生的升华物，从而抑制升华物附着于排气路径的情况。另外，在利用来自光源部的光对晶圆W进行加热等处理时将附着到透光窗的升华物去除。在处理容器的内表面形成热催化剂层，对该热催化剂层进行了加热。因此，在自晶圆上的涂敷膜升华而引入到处理容器内的升华物到达了热催化剂层的附近时，利用热催化剂层的热活性化从而升华物被分解去除。另外，在将附着到透光窗的升华物去除时，将在表面形成有热催化剂层的清洁用基板输入处理容器内，在将热催化剂层靠近了透光窗后，加热清洁用基板，从而将附着到透光窗的表面的升华物去除。