公开(公告)号：CN1263092C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200410001360.X

申请日：2004-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩奎熙 ,  刘尚昱 ,  李锡燀

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/4558

Abstract: 一种用于将沉积气体供应到基板表面上的供气装置，所述供气装置包括：供气环，带有一个或多个沿所述供气环的内部形成的供气通道，还带有多个指向所述供气环中央的气体分布通道；以及多个适配器，带有分别连接到气体分布通道的喷气嘴，所述适配器可拆卸地连接到供气环内部，其中所述喷气嘴具有多种喷射构造。

公开(公告)号：CN119105645A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411019176.1

申请日：2019-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉硕 ,  宋在允 ,  李宇镛 ,  姜慧真 ,  安浚镐 ,  俞炯珍 ,  韩奎熙 ,  朴智允 ,  李姃恩

IPC: G06F3/01 ,  G06F3/00 ,  G06F3/0346 ,  G06F3/04815 ,  G06V40/20 ,  G06T13/40 ,  G06T7/20

Abstract: 提供了一种电子装置。该电子装置包括：相机；显示器；传感器；存储器；以及处理器，被配置为：通过显示器显示与在使用相机获取的一个或多个图像中包括的外部对象相对应的替身，通过相机和传感器中的至少一个识别外部对象相对于电子装置的位置的改变，基于位置的改变来确定与显示的替身有关的视点，以及通过显示器，基于确定的视点来显示替身。

公开(公告)号：CN110867361B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN201910534236.6

申请日：2019-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永焘 ,  林成龙 ,  姜璨秀 ,  权度勋 ,  金敏周 ,  南象基 ,  梁正模 ,  皮宗勋 ,  韩奎熙

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/32

Abstract: 一种被配置用于等离子体处理室的RF感测装置包括穿透单元，沿向上/向下方向开口；主返回路径单元，围绕穿透单元的全部或一部分；以及辅返回路径单元，位于穿透单元与主返回路径单元之间，与主返回路径单元间隔开，并围绕穿透单元的全部或一部分。主返回路径单元和辅返回路径单元包括电流沿向上/向下方向中的一个方向流过的路径。

公开(公告)号：CN110299282B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201910116607.9

申请日：2019-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔虎燮 ,  金旼亨 ,  刘钒镇 ,  张原赫 ,  方政民 ,  韩奎熙

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种清洁基底的方法，一种用于清洁基底的设备以及一种使用该清洁基底的设备制造半导体器件的方法。所述清洁基底的方法可以包括：在湿工艺中对基底进行清洁；将超临界流体提供到基底上以从基底去除湿气；以及在干工艺中对基底进行清洁以从基底去除由超临界流体产生的缺陷颗粒。

公开(公告)号：CN109817620B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201811381520.6

申请日：2018-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金埈宽 ,  安商熏 ,  韩奎熙 ,  朴在花 ,  朴嬉淑

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/768 ,  H01L23/535

Abstract: 提供一种半导体器件，该半导体器件包括：在衬底上的器件区域；在器件区域上的层间电介质层；在层间电介质层的一侧的第一界面层；低k电介质层，隔着第一界面层而与层间电介质层间隔开并具有比层间电介质层的介电常数小的介电常数；以及在低k电介质层中的导电线。第一界面层包括与低k电介质层接触的第一子界面层以及与层间电介质层接触的第二子界面层。第二子界面层具有比第一子界面层的氢渗透性小的氢渗透性。

公开(公告)号：CN107887362B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN201710911772.4

申请日：2017-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩奎熙 ,  白宗玟 ,  V.H.阮 ,  刘禹炅 ,  张相信 ,  金秉熙

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/764 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的第一层间电介质膜；在第一层间电介质膜内在第一方向上分别延伸的第一布线和第二布线，第一布线和第二布线在不同于第一方向的第二方向上彼此相邻；在第一层间电介质膜上的硬掩模图案，硬掩模图案包括开口；以及在第一层间电介质膜内的气隙，气隙在第一方向上包括与开口垂直交叠的第一部分和不与开口交叠的第二部分。

公开(公告)号：CN114175113A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080054195.1

申请日：2020-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉硕 ,  姜慧真 ,  宋在允 ,  徐祥均 ,  安浚镐 ,  韩奎熙 ,  裵昌燮 ,  李大松

IPC: G06V40/16

Abstract: 提供了一种电子装置。所述电子装置包括头像及其操作方法。所述电子装置包括显示器，以及与所述显示器可操作地耦接的至少一个处理器，其中，所述至少一个处理器被配置为：在至少一个图像中检测脸部；确定与检测到的脸部相对应的用户头像；确定所述脸部和与所述脸部相关的至少一个对象二者的区域；基于所确定的区域来确定所述用户头像的尺寸；以及控制所述显示器通过基于所确定的所述用户头像的尺寸呈现所述用户头像而在所述显示器上显示所述用户头像。

公开(公告)号：CN110828370A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910378795.2

申请日：2019-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志荣 ,  韩奎熙 ,  朴成彬 ,  金永吉 ,  白宗玟 ,  李敬雨 ,  郑德泳

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括：下布线；层间绝缘膜，位于下布线上方并包括具有第一密度的第一部分和位于第一部分上的第二部分，第一部分和第二部分具有相同的材料，第二部分具有小于第一密度的第二密度；上布线，位于层间绝缘膜的第二部分中；以及通路，至少部分地位于层间绝缘膜的第一部分中，通路连接上布线和下布线。

公开(公告)号：CN109817620A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811381520.6

申请日：2018-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金埈宽 ,  安商熏 ,  韩奎熙 ,  朴在花 ,  朴嬉淑

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/768 ,  H01L23/535

Abstract: 提供一种半导体器件，该半导体器件包括：在衬底上的器件区域；在器件区域上的层间电介质层；在层间电介质层的一侧的第一界面层；低k电介质层，隔着第一界面层而与层间电介质层间隔开并具有比层间电介质层的介电常数小的介电常数；以及在低k电介质层中的导电线。第一界面层包括与低k电介质层接触的第一子界面层以及与层间电介质层接触的第二子界面层。第二子界面层具有比第一子界面层的氢渗透性小的氢渗透性。

公开(公告)号：CN109698109A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811228077.9

申请日：2018-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李永光 ,  姜姓佶 ,  南象基 ,  许桄熀 ,  韩奎熙

IPC: H01J37/32

Abstract: 腔室具有上壳体和下壳体并接收反应气体。第一等离子体源包括电子束源，电子束源将电子束提供到上壳体中以产生上部等离子体。第二等离子体源包括孔，孔在连接上壳体和下壳体的孔内产生下部等离子体。上部等离子体的自由基、下部等离子体的自由基和下部等离子体的离子通过所述孔被提供到下壳体，使得下壳体具有离子与自由基在浓度上的预定比率的自由基和离子。第二等离子体源将腔室分成上壳体和下壳体。晶片卡盘位于下壳体中以接收晶片。