公开(公告)号：CN105470305B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201510622878.3

申请日：2015-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 杨昌宰 ,  前田茂伸 ,  金昶和 ,  崔永文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明的一个示例实施例，该半导体器件以如下方式提供。有源鳍从衬底突起，沿着一个方向延伸。栅极结构与该有源鳍的第一区域交叉。源极/漏极布置在该有源鳍的第二区域上。该源极/漏极包括上表面及竖直侧表面。竖直侧表面实质上平行于有源鳍的侧表面。

公开(公告)号：CN107919357A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710749122.4

申请日：2017-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  萧养康 ,  曾伟雄

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L23/535 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76895 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823475

Abstract: 一种半导体装置包括：衬底，具有有源区；栅极结构，设置在所述有源区上；源极/漏极区，在所述栅极结构的一侧设置在所述有源区中；第一层间绝缘层及第二层间绝缘层，依序设置在所述栅极结构及所述源极/漏极区上；第一接触插塞，穿过所述第一层间绝缘层连接到所述源极/漏极区；第二接触插塞，穿过所述第一层间绝缘层及所述第二层间绝缘层连接到所述栅极结构；第一金属线，设置在所述第二层间绝缘层上，且具有金属通孔，所述金属通孔设置在所述第二层间绝缘层中且连接到所述第一接触插塞；以及第二金属线，设置在所述第二层间绝缘层上，且直接连接到所述第二接触插塞。所述第一接触插塞与所述第二接触插塞之间的间隔可为约10nm或小于10nm。

公开(公告)号：CN107871739A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710864541.2

申请日：2017-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  崔庆寅 ,  全辉璨 ,  权劝宅

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7854

Abstract: 本公开涉及集成电路器件。一种集成电路器件包括：衬底，其包括器件有源区；鳍型有源区，其在器件有源区上从衬底突出；栅线，其交叉鳍型有源区并重叠鳍型有源区的表面和彼此相反的侧壁；绝缘间隔物，其设置在栅线的侧壁上；源极区和漏极区，其在栅线的彼此相反的侧设置在鳍型有源区上；第一导电插塞，其连接源极区或漏极区；以及封盖层，其设置在栅线上并平行于栅线延伸。封盖层包括重叠栅线的第一部分以及重叠绝缘间隔物的第二部分。第一部分和第二部分相对于彼此具有不同的成分。第二部分接触第一部分和第一导电插塞。

公开(公告)号：CN110828493B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201910503830.9

申请日：2019-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉准 ,  金宽植 ,  金昶和 ,  朴商秀 ,  赵万根

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：衬底，包括与光入射的第二表面相对的第一表面；第一光电转换层，位于衬底中；包括多个布线层的布线结构，位于衬底的第一表面上；层间绝缘膜，位于衬底的第二表面上；电容器结构，位于层间绝缘膜中；以及第一布线，位于层间绝缘膜上。所述电容器结构包括依次堆叠在衬底的第二表面上的第一导电图案、介电图案和第二导电图案。第二导电图案连接到第一布线。

公开(公告)号：CN107871739B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN201710864541.2

申请日：2017-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  崔庆寅 ,  全辉璨 ,  权劝宅

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及集成电路器件。一种集成电路器件包括：衬底，其包括器件有源区；鳍型有源区，其在器件有源区上从衬底突出；栅线，其交叉鳍型有源区并重叠鳍型有源区的表面和彼此相反的侧壁；绝缘间隔物，其设置在栅线的侧壁上；源极区和漏极区，其在栅线的彼此相反的侧设置在鳍型有源区上；第一导电插塞，其连接源极区或漏极区；以及封盖层，其设置在栅线上并平行于栅线延伸。封盖层包括重叠栅线的第一部分以及重叠绝缘间隔物的第二部分。第一部分和第二部分相对于彼此具有不同的成分。第二部分接触第一部分和第一导电插塞。

公开(公告)号：CN114823756A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210072528.4

申请日：2022-01-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴商秀 ,  金宽植 ,  金昶和 ,  金太䪸 ,  林奎显

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括：衬底，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；以及像素隔离部分，其设置在衬底中，并且被配置为将单位像素彼此隔离。像素隔离部分包括：第一填充绝缘图案，其从第一表面朝着第二表面延伸，并且具有空气间隙区，第一填充绝缘图案包括第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁；导电结构，其包括第一侧壁上的第一部分、第二侧壁上的第二部分和将第一部分和第二部分连接的连接部分；以及绝缘衬垫，其设置在第一部分与衬底之间，并且设置在第二部分与衬底之间。

公开(公告)号：CN111129072A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911312886.2

申请日：2018-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贵德 ,  金政勳 ,  金昶和 ,  朴商秀 ,  严祥训 ,  李范硕 ,  李泰渊 ,  任东模

IPC: H01L27/30

Abstract: 本申请提出一种图像传感器。滤色器设置在衬底上。有机光电二极管设置在所述滤色器上。所述有机光电二极管包括：电极绝缘层，在所述衬底上具有凹槽区；第一电极，位于所述滤色器上，所述第一电极填充所述电极绝缘层的所述凹槽区；第二电极，位于所述第一电极上；以及有机光电转换层，夹置在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一电极包括相对于所述电极绝缘层的所述凹槽区的侧表面以第一角度延伸的接缝。

公开(公告)号：CN110993628A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201910521368.5

申请日：2019-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宽植 ,  金昶和 ,  金润庆 ,  朴商秀 ,  李范硕 ,  赵万根 ,  崔珉准

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/30

Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：第一基底；第一结构，位于第一基底的前表面上，第一结构包括围绕第一导电层的第一层间绝缘层；第二基底；第二结构，位于第二基底的面对第一基底的前表面的前表面上，第二结构包括第二层间绝缘层，第二层间绝缘层结合到第一层间绝缘层；有机光电层，位于第二基底的后表面上；以及通路电极结构，穿过第二基底和第二结构与第一导电层接触，通路电极结构包括位于通路电极结构中的气隙。

公开(公告)号：CN110880519A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910500928.9

申请日：2019-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  金宽植 ,  朴商秀 ,  李范硕 ,  赵万根 ,  崔珉准

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，具有位于其中的光电转换元件；第一通孔，延伸到基底的第一表面，使得第一通孔的第一上表面邻近基底的第一表面暴露，第一通孔的第二上表面远离基底的第一表面延伸；第一绝缘膜至第三绝缘膜，顺序堆叠在基底的第一表面上；以及接触件，延伸穿过第一绝缘膜至第三绝缘膜，并延伸到第一通孔的第二上表面。接触件包括在第一通孔内的第一部分、在第一绝缘膜中的第二部分、在第二绝缘膜中的第三部分和在第三绝缘膜中的第四部分。

公开(公告)号：CN110164904A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201811561259.8

申请日：2018-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞宗铉 ,  金恩美 ,  金俊 ,  金昶和 ,  朴商秀 ,  边炅来 ,  宋相勋

IPC: H01L27/30

Abstract: 本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器可以包括：具有多个像素区域的基板，光电转换器件和存储节点区域在所述多个像素区域中彼此间隔开；下接触通路，其在所述多个像素区域中在光电转换器件之间；第一绝缘层，其在下接触通路上并具有开口；上接触通路，其穿过第一绝缘层电连接到下接触通路并从第一绝缘层突出；第二绝缘层，其围绕第一绝缘层和上接触通路，开口中的第二绝缘层的上表面限定沟槽；以及填充沟槽的滤色器。可以提供暴露上接触通路的保护膜、在保护膜上并与上接触通路接触的第一透明电极、以及形成在第一透明电极上的有机光电层。