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公开(公告)号：CN109256328B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201810030517.3
申请日：2018-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 提供硬掩模组合物、其制法和使用其形成图案化的层的方法。所述硬掩模组合物可包括石墨烯量子点、金属化合物、和溶剂。所述金属化合物可与所述石墨烯量子点化学键合(例如，共价键合)。所述金属化合物可包括金属氧化物、金属碳化物、或其组合。所述金属氧化物可包括如下的至少一种：锆(Zr)氧化物、钛(Ti)氧化物、钨(W)氧化物、或铝(Al)氧化物，和所述金属碳化物可包括如下的至少一种：锆(Zr)碳化物、钛(Ti)碳化物、钨(W)碳化物、或铝(Al)碳化物。所述石墨烯量子点可通过M‑O‑C键或M‑C键与所述金属化合物键合，其中M为金属元素，O为氧，且C为碳。
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公开(公告)号：CN108288625B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201711443369.X
申请日：2017-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/0352
Abstract: 提供包括石墨烯量子点的光学传感器和图像传感器。所述光学传感器可包括石墨烯量子点层，所述石墨烯量子点层包括与第一官能团结合的多个第一石墨烯量子点且可进一步包括与不同于所述第一官能团的第二官能团结合的多个第二石墨烯量子点。可基于与相应的石墨烯量子点结合的官能团的类型和/或所述石墨烯量子点的尺寸调节所述光学传感器的吸收波长带。
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公开(公告)号：CN106410002B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201610601246.3
申请日：2016-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明涉及包括扩散阻挡层的多层结构体、包括其的器件和电子器件。所述多层结构体包括第一材料层、第二材料层、和扩散阻挡层。所述第二材料层连接至所述第一材料层。所述第二材料层与所述第一材料层隔开。所述扩散阻挡层在所述第一材料层和所述第二材料层之间。所述扩散阻挡层可包括二维(2D)材料。所述2D材料可为非基于石墨烯的材料，如具有2D晶体结构的基于金属硫属化物的材料。所述第一材料层可为半导体或绝缘体，且所述第二材料层可为导体。所述多层结构体的至少一部分可构成用于电子器件的互连。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104659096B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201410433124.9
申请日：2014-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种包括分离的结接触的石墨烯器件及其制造方法。石墨烯器件是其中石墨烯被用作沟道的场效应晶体管(FET)。源电极和漏电极不直接接触石墨烯沟道，通过掺杂半导体而形成的结接触分离地设置在石墨烯沟道和源电极之间以及石墨烯沟道和漏电极之间。因此，在其中电压不施加到栅电极的截止状态中，由于在石墨烯沟道和结接触之间的势垒，载流子不会移动。结果，石墨烯器件在截止状态可以具有低电流。
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公开(公告)号：CN109324474A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810722896.2
申请日：2018-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F1/62 , G03F1/64 , G03F7/0035
Abstract: 公开配置成保护光掩模的表膜、包括该表膜的掩模版、和制造该表膜的方法。所述表膜配置成保护光掩模免受外部污染物并且可包括金属催化剂层和在所述金属催化剂层上的包括2D材料的表膜膜片，其中所述金属催化剂层支撑所述表膜膜片的边缘区域且不支撑所述表膜膜片的中央区域。所述金属催化剂层可在基底上，使得所述基底和所述金属催化剂层共同支撑所述表膜膜片的边缘区域且不支撑所述表膜膜片的中央区域。所述表膜可基于如下形成：在所述金属催化剂层生长所述2D材料和蚀刻支撑所形成的表膜膜片的中央区域的所述金属催化剂层的内部区域。
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公开(公告)号：CN107768517A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710362544.6
申请日：2017-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , H01L27/24 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1641 , H01L45/04
Abstract: 公开包括二维材料的相变存储器件、操作其的方法和相变层。所述相变存储器件可包括包含二维(2D)材料的相变层。所述相变层可包括包含一个或多个2D材料层的层状结构。所述相变层可提供在第一电极和第二电极之间，并且所述2D材料层的一个或多个的至少一部分的相可基于通过所述第一电极和所述第二电极施加到所述相变层的电信号而改变。所述2D材料可包括基于硫属化物的材料或磷烯。所述2D材料可具有大于或等于约200℃且低于或等于约500℃的相变温度。
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公开(公告)号：CN103715259B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201310221610.X
申请日：2013-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/16 , B82Y99/00 , H01L29/0895 , H01L29/1606 , H01L29/7391 , H01L29/78 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 提供包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管(TFET)。该TFET包括：在基板上的第一电极；在第一电极上的半导体层；在半导体层上的石墨烯沟道，该石墨烯沟道朝向与第一电极相邻的第一区域延伸；在石墨烯沟道上的第二电极，该第二电极在第一区域上；覆盖石墨烯沟道的栅绝缘层；以及在栅绝缘层上的栅电极。第一电极和石墨烯沟道设置为彼此面对，半导体层设置在其间。
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公开(公告)号：CN106233453A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580020424.7
申请日：2015-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , C01B31/04
CPC classification number: H01L23/53276 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/53266 , H01L2924/0002 , Y02E60/13 , H01L2924/00
Abstract: 示例实施方式涉及布线结构、形成该布线结构的方法以及采用该布线结构的电子装置。该布线结构包括第一导电材料层和在第一导电材料层上与金属层直接接触的纳米晶石墨烯层。
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