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公开(公告)号：CN109300871A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201810794961.2
申请日：2018-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/48 , H01L25/065
Abstract: 一种半导体器件包括：在基板上的导电部件；钝化层，在基板上并且包括暴露导电部件的至少一部分的开口；以及焊盘结构，在开口中并且位于钝化层上，焊盘结构电连接到导电部件。焊盘结构包括：在开口的内侧壁上共形地延伸的下导电层，下导电层包括顺序地堆叠的导电阻挡层、第一籽晶层、蚀刻停止层和第二籽晶层；第一焊盘层，在下导电层上并且至少部分地填充开口；以及第二焊盘层，在第一焊盘层上并且与下导电层的位于钝化层的顶表面上的外围部分接触。
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公开(公告)号：CN109103124A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810521429.3
申请日：2018-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种晶片结合装置，用于在晶片结合工艺和/或包括所述晶片结合装置的晶片结合系统中精确地检测晶片的结合状态。所述晶片结合装置包括：第一支撑板，包括第一表面和用于真空吸附在第一表面上设置的第一晶片的真空槽；第二支撑板，包括面对第一表面的第二表面。第二晶片在第二表面上。所述晶片结合装置和/或所述晶片结合系统包括位于第一支撑板的中心部分处的结合引发器和位于第一支撑板上的区域传感器，所述区域传感器被配置为检测第一晶片与第二晶片之间的结合的传播状态。
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公开(公告)号：CN108004583A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711043826.6
申请日：2017-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C25D5/006 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/005 , C25D21/12 , H01L21/2885 , H01L21/76873 , H01L21/76877
Abstract: 一种电镀设备包括：电镀槽，包括安装于其中的阳极和容纳于其中的电镀溶液；基底保持器，被构造为保持将要浸到电镀溶液中的基底，并且包括围绕基底的支撑件和位于支撑件上以电连接到基底的外围的阴极；磁场产生组件，设置在支撑件中，并且包括沿基底的圆周延伸的至少一个电磁线圈；以及电源，被构造为将电流供应到电磁线圈。
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公开(公告)号：CN110739290B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN201910633897.4
申请日：2019-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/48 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括：衬底；位于所述衬底上的接合焊盘；以及穿过所述衬底并连接到所述接合焊盘的贯穿通路结构。所述贯穿通路结构包括导电插塞、覆盖所述导电插塞的侧壁和下表面的第一导电阻挡层、以及覆盖所述第一导电阻挡层的侧壁的第二导电阻挡层。
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公开(公告)号：CN112242365B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202010098518.9
申请日：2020-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L25/18 , H10B80/00 , H01L21/768
Abstract: 公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：基底；第一贯穿基底过孔，被构造为至少部分地穿透基底，第一贯穿基底过孔具有第一高宽比；以及第二贯穿基底过孔，被构造为至少部分地穿透基底。第二贯穿基底过孔具有大于第一高宽比的第二高宽比，并且第一贯穿基底过孔和第二贯穿基底过孔中的每个包括第一导电层和第二导电层。第一贯穿基底过孔的第一导电层在竖直方向上的厚度小于第二贯穿基底过孔的第一导电层在竖直方向上的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118782565A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410263252.7
申请日：2024-03-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/544 , H01L25/16 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体封装，包括：衬底；衬底上的半导体层；半导体层上的布线结构；在布线结构上并连接到布线结构的连接焊盘；在布线结构上并连接到布线结构的测试焊盘；彼此水平间隔开的测试焊盘和连接焊盘；第一衬垫膜，位于布线结构上并具有第一接合焊盘沟槽；第二衬垫膜，位于第一衬垫膜上并具有第二接合焊盘沟槽；第一接合焊盘，包括与第一衬垫膜接触的阻挡层以及在阻挡层上的金属层；以及第二接合焊盘，填充第二接合焊盘沟槽的内部并与第二衬垫膜接触，其中第二衬垫膜一体地覆盖阻挡层和金属层的上表面。
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公开(公告)号：CN111223774B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201910800373.X
申请日：2019-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3105 , H01L27/146
Abstract: 一种晶片平坦化方法，包括在具有芯片区域和划线区域的基板上形成第二绝缘层和抛光层；在芯片区域和划线区域中的抛光层中形成第一通孔并且在芯片区域中的第二绝缘层中形成第二通孔，其中第二通孔与第一通孔在芯片区域中相接；在第一通孔和第二通孔内以及抛光层的上表面上形成焊盘金属层；通过化学机械抛光(CMP)工艺抛光该抛光层和焊盘金属层，以暴露芯片区域和划线区域中的第二绝缘层的上表面。
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公开(公告)号：CN117352483A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310540116.3
申请日：2023-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 可以提供一种半导体器件，包括：衬底；布线图案，在衬底中；钝化层，在衬底上，钝化层和衬底包括穿透钝化层和衬底中的每一个的一部分并朝向布线图案延伸的第一凹部；柱体，连接到布线图案，并且包括在第一凹部内的第一部分和在第一部分上并从钝化层的顶表面突出的第二部分；信号凸块，包括：种子层，在柱体上；下凸块，在种子层上；以及上凸块，在下凸块上；以及传热凸块，与信号凸块间隔开，并且与布线图案电绝缘，并且传热凸块包括：另一种子层，在钝化层上；另一下凸块，在另一种子层上；以及另一上凸块，在另一下凸块上。
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公开(公告)号：CN116230699A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211475104.9
申请日：2022-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L21/60 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一半导体芯片，包括第一焊盘和第一绝缘层；以及第二半导体芯片，包括第二上焊盘、第二绝缘层、第二下焊盘以及将第二上焊盘和第二下焊盘彼此连接的贯通电极。该半导体器件包括：第三半导体芯片，包括第三上焊盘、上阻挡层、第三绝缘层、第三下焊盘、下阻挡层以及将第三上焊盘和第三下焊盘彼此连接的虚设电极结构。该半导体器件包括：密封物，在第一半导体芯片下方以密封第二半导体芯片和第三半导体芯片中的每一个的至少一部分，并覆盖第三下焊盘的侧表面。该半导体器件包括：凸块结构，在密封物以及第二半导体芯片和第三半导体芯片下方。
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公开(公告)号：CN115346949A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210423659.2
申请日：2022-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 本发明提供一种集成电路器件和包括该集成电路器件的半导体封装，其中该集成电路器件包括：具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的半导体基板；在半导体基板的第一表面上的第一绝缘层；电极落着焊盘，位于半导体基板的第一表面上并具有由第一绝缘层围绕的侧壁、与半导体基板的第一表面间隔开的顶表面以及与顶表面相反的底表面；以及贯通电极，配置为穿透半导体基板并接触电极落着焊盘的顶表面，其中电极落着焊盘的顶表面的水平宽度小于电极落着焊盘的底表面的水平宽度，并大于贯通电极的与电极落着焊盘的顶表面接触的底表面的水平宽度。
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