公开(公告)号：CN108705422A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201810286499.5

申请日：2018-03-30

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 山本晓 ,  中西正行 ,  小寺健治

IPC: B24B21/00 ,  B24B41/06 ,  B24B57/02 ,  B24B53/10

CPC classification number: B23B31/307 ,  B24B37/30 ,  B24B41/068 ,  H01L21/6838 ,  Y10T279/11 ,  B24B21/008 ,  B24B21/004 ,  B24B41/06 ,  B24B53/10 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明提供真空吸附垫和基板保持装置，该真空吸附垫能够在对基板进行真空吸附时使基板难以剥离。真空吸附垫(8)具有：垫主体(37)，该垫主体(37)的下表面粘贴于基板保持装置(2)的工作台(5)；以及多个圆弧状的基板保持凸部(38)，该多个圆弧状的基板保持凸部(38)设置于垫主体(37)的上表面，对真空吸附于垫主体(37)的上表面的基板(W)进行保持。圆弧状的基板保持凸部(38)配置成与圆形的垫主体(37)呈同心圆状，多个圆弧状的基板保持凸部(38)中的配置在径向外侧的基板保持凸部(38)的径向的宽度(W1)比配置在径向内侧的基板保持凸部(38)的径向的宽度(W2)窄。

公开(公告)号：CN108705383A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201810253976.8

申请日：2018-03-26

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 渡边敏史 ,  山本晓 ,  町田优

IPC: B24B1/00 ,  B24B21/00 ,  B24B21/18 ,  B24B49/12 ,  B08B3/02

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B24B9/065 ,  B24B21/002 ,  B24B21/004 ,  B24B21/008 ,  B24B37/00 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/67288 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  B24B1/00 ,  B08B3/02 ,  B24B21/18 ,  B24B49/12

Abstract: 本发明提供基板处理方法、基板处理装置及基板处理系统，能够在研磨基板的周缘部后清洗基板的周缘部，并确认该清洗效果，另外能够清洗以往不太能够清洗到的区域即基板的周缘部。基板保持部(2)保持基板(W)并使其旋转，通过第一头(3A、3B)将具有磨粒的研磨带(PT)按压于基板(W)的周缘部而研磨基板(W)的周缘部，通过清洗喷嘴(53)向研磨后的基板(W)的周缘部供给清洗液而清洗基板(W)的周缘部，通过第二头(3D)使不具有磨粒的带(T)与清洗后的基板(W)的周缘部接触，通过传感器(70)对与基板(W)的周缘部接触后的带(T)照射光并接收来自带(T)的反射光，在接收的反射光的强度低于规定值的情况下判定为基板(W)的周缘部被污染。

公开(公告)号：CN108695211A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810301919.2

申请日：2018-04-04

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 藤方淳平 ,  荒木裕二 ,  佐藤天星 ,  小泉龙也

IPC: H01L21/67 ,  C23C14/04

CPC classification number: H01L21/67276 ,  C25D3/12 ,  C25D17/001 ,  C25D17/02 ,  C25D17/10 ,  C25D21/06 ,  C25D21/10 ,  C25D21/12 ,  G05B19/058 ,  G05B23/0283 ,  G05B2219/2602 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/67242 ,  C23C14/04 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供半导体制造装置、故障预知方法、存储介质及管理系统，能够提高半导体制造装置的故障预知精度。半导体制造装置具备：第一装置；一个或多个传感器，检测表示第一装置的状态的物理量；第一算出电路，根据所检测出的物理量算出第一装置的一个或多个特征量；以及故障预知电路，将由第一算出电路算出的一个或多个特征量与直至第一装置发生故障为止的一个或多个特征量的经时变化的多个模型数据进行比较，决定多个模型数据中的与所算出的一个或多个特征量的差为最小的模型数据，根据在该模型数据中与所算出的一个或多个特征量的差成为最小的时刻与故障时刻的差算出故障预测时间，在故障预测时间小于规定的阈值的情况下，停止新的基板的接收。

公开(公告)号：CN108695205A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810286570.X

申请日：2018-03-30

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 渡边和英 ,  小畠严贵

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67219 ,  B24B37/046 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/677

Abstract: 提供一种能够尽可能不产生催化剂的机械劣化的基板处理装置以及包括基板处理装置的基板处理系统。提供一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使催化剂与基板靠近或接触，从而对基板的被处理区域进行蚀刻，该基板处理装置具有：用于保持基板的基板保持部；以及用于保持催化剂的催化剂保持部，所述催化剂保持部具有：高刚性的基部板；与所述基部板相邻配置的压电元件；与所述压电元件相邻配置的高刚性的催化剂保持基部；以及保持于所述催化剂保持基部的催化剂、所述基板处理装置还具有用于控制向所述压电元件施加的驱动电压的控制装置。

公开(公告)号：CN108691000A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810296363.2

申请日：2018-03-30

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 藤方淳平 ,  下山正 ,  宫本龙 ,  石本健太郎

IPC: C25D7/12 ,  C25D17/00

CPC classification number: C25D5/34 ,  C23C18/54 ,  C25D3/02 ,  C25D5/022 ,  C25D7/12 ,  C25D17/001 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明提供镀覆方法和镀覆装置，抑制由于在抗蚀剂开口部中存在的气泡和抗蚀剂残渣所引起的镀覆不良的产生。提供对具有抗蚀剂开口部的基板进行镀覆的镀覆方法。该镀覆方法具有如下的工序：抗蚀剂残渣去除工序，对基板的形成有抗蚀剂开口部的面喷射第一处理液而去除基板的抗蚀剂开口内的抗蚀剂残渣；填充工序，使经过了去除工序的基板浸渍在第二处理液中而在基板的抗蚀剂开口部内填充第二处理液；以及镀覆工序，对经过了液体填充工序的基板进行镀覆。

公开(公告)号：CN108588800A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201710733577.7

申请日：2008-12-04

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 斋藤信利 ,  藤方淳平 ,  山本忠明 ,  上村健司

IPC: C25D17/00 ,  C25D21/10 ,  C25D17/08 ,  C25D7/12

Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时，即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有：保持电镀液(Q)的电镀槽(10)；浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26)；保持被电镀体(W)，配置在与阳极相对的位置上的保持架(24)；配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间，与该被电镀体平行地往复移动，搅拌电镀液的搅拌器(32)；以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部，使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70～100cm/sec。

公开(公告)号：CN108472783A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780001292.2

申请日：2017-01-06

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 中西正行 ,  渡边敏史 ,  小寺健治

IPC: B24B21/00 ,  B24B9/00 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B9/065 ,  B24B21/002 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种研磨装置，即使斜角部的形状有各种状况，仍可根据研磨前的状态选择适当的研磨处理程序进行研磨。研磨装置(100)具有：保持基板(W1)而研磨的保持研磨部(102)；及辨识关于进行研磨前的基板(W1)外周部的状态的数据(104a)的辨识部(104)。保持研磨部(102)具有：保持基板(W1)使其旋转的保持部(106)；及将研磨部件按压于基板(W1)的外周部来研磨外周部的研磨部(108)。研磨条件决定部(110)根据表示外周部的形状是关于形状的多类型中的哪种类型的数据(104a)来决定研磨条件。

公开(公告)号：CN108406577A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810339114.7

申请日：2014-04-25

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 金马利文

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B1/00 ,  B24B49/12

Abstract: 一种研磨方法，在基板的研磨中接受从该基板反射的光，根据该反射光生成光谱波形，对光谱波形进行傅里叶变换处理，确定基板的膜的厚度以及所对应的频率成分的强度，在频率成分的强度高于规定的阈值的情况下，将确定的膜的厚度认定为可靠性高的测量值，在确定的频率成分的强度为规定的阈值以下的情况下，将确定的膜的厚度认定为可靠性低的测量值，根据可靠性高的测量值达到规定的目标值的时刻而确定基板的研磨终点，使所述规定阈值根据不良数据率而变化。采用本发明，能在基板的研磨中取得形成在基板上的膜的正确厚度，并根据得到的膜的厚度而能准确地确定基板的研磨终点。

公开(公告)号：CN108396364A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810114119.X

申请日：2018-02-05

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 增田泰之 ,  下山正 ,  藤方淳平 ,  和久田阳平 ,  张绍华

IPC: C25D21/10 ,  C25D5/08

CPC classification number: B01F11/0082 ,  B01F11/0097 ,  B01F2215/0096 ,  C25D17/001 ,  C25D17/02 ,  C25D17/06 ,  C25D21/10 ,  C25D21/12 ,  C25D21/18 ,  C25D5/08

Abstract: 本发明提供桨叶、镀覆装置及镀覆方法，该桨叶能够不提高往复运动的速度就提高镀覆液的搅拌力。桨叶(16)具备沿铅垂方向延伸的多个搅拌棒(22A～22F)。多个搅拌棒(22A～22F)分别由平面部(40)、两个倾斜面(41)及顶端部(42)构成，平面部(40)相对于桨叶(16)的往复运动的方向垂直，两个倾斜面(41)从平面部(40)的两端(40a、40b)向彼此接近的方向延伸，顶端部(42)连接于两个倾斜面(41)。两个倾斜面(41)关于与平面部(40)垂直的各搅拌棒的中心线(SL)对称地配置。

公开(公告)号：CN108396360A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810122732.6

申请日：2018-02-07

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 横山俊夫 ,  平尾智则 ,  田村翔

IPC: C25D17/06 ,  C25D17/00 ,  C25D5/02 ,  C25D7/12 ,  H01L21/687 ,  H01L21/768

CPC classification number: C25D17/004 ,  C25D5/028 ,  C25D5/10 ,  C25D17/001 ,  C25D17/005 ,  C25D17/008 ,  C25D17/06 ,  H01L21/2885 ,  C25D5/02 ,  C25D7/12 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/76838

Abstract: 本发明提供电镀装置、与电镀装置一同使用的基板保持架、电镀方法、计算机程序及存储介质。电镀装置能够在基板的表面和背面上单独地控制电镀工艺，基板保持架能够在这样的电镀装置中使用。提供用于在电镀处理中保持作为电镀对象物的基板的基板保持架，该基板保持架具有用于保持基板的主体部，该主体部具有第一开口部和第二开口部，主体部构成为当在主体部上保持基板时，通过第一开口部将基板的表面的被电镀区域露出，通过第二开口部将基板的背面的被电镀区域露出，在主体部的外周部的至少一部分具有从外周部突出的密封部。