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公开(公告)号:CN103060871A
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:CN201210570167.2
申请日:2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C25D21/10 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/008 , C25D21/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时,即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有:保持电镀液(Q)的电镀槽(10);浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26);保持被电镀体(W),配置在与阳极相对的位置上的保持架(24);配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间,与该被电镀体平行地往复移动,搅拌电镀液的搅拌器(32);以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部,使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70~100cm/sec。
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公开(公告)号:CN108588800B
公开(公告)日:2020-07-07
申请号:CN201710733577.7
申请日:2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时,即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有:保持电镀液(Q)的电镀槽(10);浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26);保持被电镀体(W),配置在与阳极相对的位置上的保持架(24);配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间,与该被电镀体平行地往复移动,搅拌电镀液的搅拌器(32);以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部,使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70~100cm/sec。
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公开(公告)号:CN107604426B
公开(公告)日:2019-08-30
申请号:CN201710733595.5
申请日:2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时,即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有:保持电镀液(Q)的电镀槽(10);浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26);保持被电镀体(W),配置在与阳极相对的位置上的保持架(24);配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间,与该被电镀体平行地往复移动,搅拌电镀液的搅拌器(32);以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部,使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70~100cm/sec。
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公开(公告)号:CN108588800A
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201710733577.7
申请日:2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时,即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有:保持电镀液(Q)的电镀槽(10);浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26);保持被电镀体(W),配置在与阳极相对的位置上的保持架(24);配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间,与该被电镀体平行地往复移动,搅拌电镀液的搅拌器(32);以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部,使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70~100cm/sec。
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公开(公告)号:CN1610769A
公开(公告)日:2005-04-27
申请号:CN03801815.2
申请日:2003-07-18
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25D21/12
CPC classification number: C25D21/12 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/002 , C25D17/008
Abstract: 本发明提供电镀装置,其特征在于具有:电镀槽(40),用于保持镀液(10);阳极(56),其浸入并设置在上述电镀槽(40)内的镀液(10)中;调整板(60),其设置在上述阳极(56)以及设置成与该阳极(56)相对置的基片(W)之间;以及电镀电源(24),其用于在上述阳极(56)和基片(W)之间通电进行电镀;上述调整板(60),其设置状态是把保存在上述电镀槽(40)内的镀液(10)遮断在上述阳极和被镀体侧,内部设置了由多个通孔(66)构成的通孔群(68)。
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公开(公告)号:CN101451264B
公开(公告)日:2013-01-23
申请号:CN200810178892.9
申请日:2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C25D21/10 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/008 , C25D21/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时,即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有:保持电镀液(Q)的电镀槽(10);浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26);保持被电镀体(W),配置在与阳极相对的位置上的保持架(24);配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间,与该被电镀体平行地往复移动,搅拌电镀液的搅拌器(32);以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部,使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70~100cm/sec。
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公开(公告)号:CN101812711B
公开(公告)日:2011-11-16
申请号:CN201010144713.7
申请日:2004-03-09
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C25D17/008 , C23C18/1628 , C25D5/08 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D21/10 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L24/11 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1147 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种镀覆装置,其包括:用于保持镀液的镀槽;和具有搅拌叶片的搅拌机构,所述搅拌叶片浸在镀槽的镀液中并且布置在面对工件的待镀表面的位置,所述搅拌叶片可平行于工件的待镀表面往复运动以搅拌镀液;其中所述搅拌叶片具有相对于工件的待镀表面的一个角度,当所述搅拌叶片的运动方向变化时该角度可变,从而使与待镀表面接触的镀液的流动更加均匀和有效,在待镀表面上形成膜厚一致性更好的镀膜。
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公开(公告)号:CN101504911A
公开(公告)日:2009-08-12
申请号:CN200910004366.5
申请日:2004-05-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/00 , H01L21/288 , C25D5/02 , C25D7/12 , H01L21/306 , H01L21/48
CPC classification number: H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2924/01078
Abstract: 一种电镀设备具有灰化单元(300),将其构成为在施加于形成在衬底(W)上的籽晶层(500)的表面上的抗蚀剂(502)上进行灰化处理;以及预润湿部件(26),将其构成为在灰化处理之后为衬底表面提供亲水性。该电镀设备包括预浸泡部件(28),将其构成为使衬底表面与处理液接触,从而清洗或激活形成在衬底上的籽晶层的表面。该电镀设备还包括电镀单元(34),将其构成为将衬底表面浸在电镀槽中的电镀液中,同时使用抗蚀剂作为掩模,以便在形成在衬底上的籽晶层的表面上形成镀膜(504)。
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公开(公告)号:CN101451264A
公开(公告)日:2009-06-10
申请号:CN200810178892.9
申请日:2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C25D21/10 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/008 , C25D21/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时,即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有:保持电镀液(Q)的电镀槽(10);浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26);保持被电镀体(W),配置在与阳极相对的位置上的保持架(24);配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间,与该被电镀体平行地往复移动,搅拌电镀液的搅拌器(32);以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部,使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70~100cm/sec。
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公开(公告)号:CN101369533A
公开(公告)日:2009-02-18
申请号:CN200810166115.2
申请日:2004-03-09
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/288 , C25D7/12 , C25D5/08 , C25D21/10
CPC classification number: H01L2924/01078
Abstract: 本发明涉及一种镀覆装置,该镀覆装置用于在半导体晶片的表面中限定的沟槽、通孔、或者保护层开口中形成镀膜,和在半导体晶片上形成突出部以电连接到封装的电极。该镀覆装置(170)具有用于保持镀液(188)的镀槽(186);用于保持工件(W)和使工件的待镀表面与镀槽(186)中的镀液(188)接触的支座(160);和布置在镀槽(186)中的环形喷管(220)或具有搅拌叶片的搅拌机构,其中该喷管具有多个镀液注入喷嘴(222),以用于朝着由支座(160)保持的工件的待镀表面注入镀液(188),从而将镀液(188)供应到镀槽(186)中。
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